　　2015年5月　土屋・兼古君(M2)・森君(M2)・平井君(D1)の学術論文（招待論文）が公開されました

H. Tsuchiya, S. Kaneko, N. Mori, and H. Hirai, "Simulation of electron transport in atomic monolayer semiconductor FETs," J. Adv. Simulat. Sci. Eng., vol. 2, no. 1, pp. 127-152, May 2015.

　　2015年5月　大阪大学の森伸也教授 Grとの共著論文が公開されました

C. Clendennen, N. Mori, and H. Tsuchiya, "Non-equilibrium Green function simulations of graphene, silicene, and germanene nanoribbon field-effect transistors," J. Adv. Simulat. Sci. Eng., vol. 2, no. 1, pp. 171-177, May 2015.

　　2015年4月　土屋の学術論文（招待論文）が公開されました

土屋英昭, "微細化限界に挑戦する新型MOSFETのキャリア輸送特性とシミュレーション技術," 電子情報通信学会論文誌C, vol. J98-C, no. 5, pp. 70-78, May 2015.

　　2015年4月　一居君(M1)、石田君(M2)の学術論文が公開されました

M. Ichii, R. Ishida, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, Nobuya Mori, and M. Ogawa, "Computational study of effects of surface roughness and impurity scattering in Si double-gate junctionless transistors," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 62, no. 4, pp. 1255-1261, Apr. 2015.

　　　2014年11月　石田君(M2)，平井君(M2)が応用物理学会関西支部講演会で発表を行いました

石田良馬，木場隼介，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，宇野重康，小川真人，"モンテカルロシミュレーションによるSiマルチゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送特性解析，"応用物理学会関西支部平成26年度第2回講演会，P-16，神戸大学．
平井秀樹，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"絶縁基板上グラフェンの電子輸送シミュレーション，" 応用物理学会関西支部平成26年度第2回講演会，P-17，神戸大学．

　　2014年11月　土屋が電子情報通信学会の研究会で発表を行いました

土屋英昭，石田良馬，鎌倉良成，森伸也，宇野重康，小川真人，"モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出，"電子情報通信学会シリコン材料・デバイス，11月7日，機械振興会館（東京都港区）．

　　2014年10月　木場君、石田君(M2)の学術論文が公開されました

S. Koba, R. Ishida, Y. Kubota, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Effects of increased acoustic phonon deformation potential and surface roughness scattering on quasi-ballistic transport in ultrascaled Si-MOSFETs," Japanese Journal of Applied Physics, vol. 53, 114301, 2014.

　　　2014年9月　平井君(M2)，一居君(M1)，森君(M1)が応用物理学会で発表を行いました

平井秀樹，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"絶縁基板上グラフェンの電子移動度解析，"第75回応用物理学会秋季学術講演会，北海道大学．
一居雅人，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"ジャンクションレストランジスタの表面ラフネス散乱及び不純物散乱の影響，" 同上．
森規泰，下井田健太，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"単原子層Geナノリボンの電子移動度解析，" 同上．

　　2014年9月　岩永さん(D3)の学術論文が公開されました

J. Sato-Iwanaga, Y. Liu, R. W. Dutton, H. Tsuchiya, and T. Yokogawa, "Theoretical considerations on efficiency degradation due to thermal effect in a planar GaN-based LED with a GaN substrate," Japanese Journal of Applied Physics, vol. 53, 102101, 2014.

　　2014年9月　石田君(M2)が国際会議(SISPAD)で発表を行いました

R. Ishida, S. Koba, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, S. Uno, and M. Ogawa, "Extraction of quasi-ballistic transport parameters in Si double-gate MOSFETs based on Monte Carlo method," presented at Int'l Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD'14), Yokohama, 9-11 Sep. 2014.

　　2014年8月　平井君(M2)の学術論文が公開されました

H. Hideki, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Electron mobility calculation for graphene on substrates," Journal of Applied Physics, vol. 116, 083703, 2014.

　　2014年7月　土屋が応用物理学会の研究会で発表を行いました

土屋英昭，兼古志郎，平井秀樹，森規泰，"シリセン／ゲルマネン／グラフェンFETの電子輸送モデリング，"応用物理学会シリコンテクノロジー分科会，7月4日，機械振興会館（東京都港区）．

　　2014年4月15日　学部4年生4名が研究メンバーに加わりました（一緒に頑張りましょう）

新メンバー：岡直左君，片木慎也君，田中佐和さん，平井佑昂君

　　2014年3月24日　木場隼介君が学位（工学博士）を取得しました

学位論文題目, "Development of Monte Carlo Simulators for Integrated Nanoscale Devices," （ナノスケール集積デバイスのモンテカルロシミュレータの開発）

　　　2014年3月　兼古君(B4)が応用物理学会で発表を行いました

兼古志郎，長谷川直実，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"シリセン／ゲルマネン／グラフェンナノリボンFETのバリスティック性能評価，"第61回応用物理学会春季学術講演会，青山学院大学．
下井田健太，森規泰，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，宇野重康，小川真人，"原子論的アプローチに基づくGeナノワイヤの電子移動度解析，" 同上．

　　2014年3月　兼古君(B4)の学術論文が公開されました

S. Kaneko, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Theoretical performance estimation of silicene, germanene, and graphene nanoribbon field-effect transistors under ballistic transport," Applied Physics Express, vol. 7, 035102, 2014.

　　2014年2月　木場君(D3)の学術論文が公開されました

S. Koba, M. Ohmori, Y. Maegawa, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Channel length scaling limits of III-V channel MOSFETs governed by source-drain direct tunneling," Japanese Journal of Applied Physics, vol. 53, 04EC10, 2014.

　　2014年2月3日　木場君がIEDM Student Awardを受賞しました (Congratulations!)
　　　　木場隼介（博士後期課程3年），IEEE EDS Japan Chapter Student Award
　　　（IEEE EDS Japan Chapterウェブサイトに受賞者氏名が紹介されています）

　　2013年12月　木場君(D3)が国際会議(IEDM)で発表を行いました

S. Koba, R. Ishida, Y. Kubota, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "The impact of increased deformation potential at MOS interface on quasi-ballistic transport in ultrathin channel MOSFETs scaled down to sub-10nm channel length," presented at 2013 IEEE International Electron Devices Meeting, Washington, DC, 9-11 Dec. 2013.

　　2013年11月　岩永さん（D2, パナソニック）の学術論文が公開されました

J. Sato-Iwanaga, A. Inoue, H. Sorada, T. Takagi, A. Rothschild, R. Loo, S. Biesemans, C. Ito, Y. Liu, R. W. Dutton, and H. Tsuchiya, "Optimized design of Si-cap layer in strained-SiGe channel p-MOSFETs based on computational and experimental approaches," Solid-State Electron., vol. 91, pp. 1-8, 2014.

　　2013年11月　大森君(M1)が応用物理学会の研究会で発表を行いました

大森正規，木場隼介，前川容佑，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析，"応用物理学会シリコンテクノロジー分科会，11月15日，機械振興会館（東京都港区）．

　　2013年9月　木場君(D2)、下井田君(M2)、長谷川さん(M2)が国際会議(SSDM)で発表を行いました

S. Koba, M. Ohmori, Y. Maegawa, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Channel length scaling limits of III-V channel MOSFETs governed by source-drain direct tunneling," presented at Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'13), Fukuoka, 25-27 Sep. 2013.
K. Shimoida, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Performance projections of III-V channel nanowire nMOSFETs in the ballistic transport limit," presented at Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'13), Fukuoka, 25-27 Sep. 2013．
N. Hasegawa, K. Shimoida, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Performance comparison of graphene nanoribbon, Si nanowire and InAs nanowire FETs in the ballistic transport limit," presented at Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'13), Fukuoka, 25-27 Sep. 2013.

　　　2013年9月　長谷川さん(M2)、大森君(M1)、木場君(D2)、石田君(M1)が応用物理学会で発表を行いました

長谷川直実，下井田健太，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"バリスティック輸送下でのグラフェンナノリボンFETの性能評価，"第74回応用物理学会学術講演会，同志社大学．
大森正規，木場隼介，前川容佑，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"ソースドレイン直接トンネリングによるIII-V MOSFETの短チャネル化限界，" 同上．
木場隼介，石田良馬，久保田結子，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"MOS界面における変位ポテンシャル上昇が超薄膜チャネルMOSFETのドレイン電流に与える影響，" 同上．
石田良馬，木場隼介，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，"短チャネルSi MOSFETの準バリスティック輸送パラメータの抽出，" 同上．

　　2013年8月23日「ナノ構造エレクトロニクス入門」がコロナ社より出版されました
　　　著者：土屋英昭
　　　　　　　　　　　　

　　2013年5月20日　木場君の学術論文が公開されました

S. Koba, Y. Maegawa, M. Ohmori, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Increased subthreshold current due to source-drain direct tunneling in ultrashort-channel III-V metal-oxide-semiconductor field-effect transistors," Applied Physics Express, vol. 6, 064301, 2013.

　　2013年4月16日　学部4年生4名が研究メンバーに加わりました

新メンバー：一居雅人君，兼古志郎君，下谷将人君，森規泰君

　　2013年4月9日　迫君の学術論文が公開されました

R. Sako, N. Hasegawa, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Computational study on band structure engineering using graphene nanomeshes," Journal of Applied Physics, vol. 113, 143702, 2013.

　　2013年3月26日　竹水会優秀論文賞受賞 (Congratulations!)
　　　迫龍太郎（2013年3月修士課程修了）
“グラフェンナノ構造を用いたバンド構造エンジニアリングとそのFETチャネルへの応用”

　　2013年3月27日　学術論文発表

K. Nagai, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Channel length scaling effects on device performance of junctionless field-effect transistor," Japanese Journal of Applied Physics, vol. 52, 044302, 2013.

　　2013年2月14日　学術論文発表

K. Shimoida, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, "Performance comparison of InAs, InSb, and GaSb n-channel nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in the ballistic transport limit," Applied Physics Express, vol. 6, 034301, 2013.

　　2012年12月19日　学術論文発表

K. Shimoida, Y. Yamada, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Orientational dependence in device performances of InAs and Si nanowire MOSFETs under ballistic transport," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 60, no. 1, pp. 117-122, Jan. 2013.

　　2012年11月25日「OHM大学テキスト　量子物理」が出版されました
　　　森伸也編著
　　　執筆者：鎌倉良成，宇野重康，森伸也，伊藤博介，土屋英昭，尾崎俊二
　　　　　　　　　　　　

　　2012年10月「神戸大学最前線」18号に研究紹介の記事が掲載されました
　　　”LSIの消費電力を1/100にするグリーン・ナノエレクトロニクス”

　　2012年9月国際会議発表

K. Nagai, S. Koba, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Monte Carlo study on the role of high channel doping in junctionless transistors," presented at Int'l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM'12), Kyoto, Sep. 2012.

　　2012年9月　学会発表

迫龍太郎，長谷川直実，土屋英昭，小川真人，"グラフェンナノメッシュによるバンド構造エンジニアリング，"第73回応用物理学会学術講演会，愛媛大学・松山大学．
長井克之，土屋英昭，小川真人，"Junctionlessトランジスタの高濃度チャネルドーピングの影響に関する考察，" 同上．
前川容佑，木場隼介，土屋英昭，小川真人，"短チャネルIII-V MOSFETの量子輸送効果，" 同上．
下井田健太，山田吉宏，土屋英昭，小川真人，"Siナノワイヤ及びInAsナノワイヤMOSFETのワイヤ方向依存性能の比較，" 同上．

　　2012年6月国際会議発表

Y. Maegawa, S. Koba, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Quantum transport simulation of III-V MOSFETs based on Wigner Monte Carlo approach," presented at Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, Hawaii, June 2012.
R. Sako, N. Hasegawa, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Electronic band structures of graphene nanomeshes," same as above.
N. Hasegawa, R. Sako, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Band structure and electron transport in multi-junction graphene nanoribbons," same as above.

　　2012年5月8日　国際会議発表

K. Shimoida, Y. Yamada, R. Sako, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "A comparative study on drive currents and consumption powers of Si and InAs nanowire MOSFETs based on atomistic ballistic simulation," presented at the 8th Int'l Nanotech. Conf. (INC8), Tsukuba, May 2012.

　　2012年4月24日　学術論文発表

H. Tsuchiya, H. Hosokawa, R. Sako, N. Hasegawa, and M. Ogawa, "Theoretical evaluation of ballistic electron transport in field-effect transistors with semiconducting graphene channels," Japanese Journal of Applied Physics, vol. 51, 055103, 2012.

　　2012年4月16日　学部4年生4名が研究メンバーに加わりました

新メンバー：大森正規君，石田良馬君，久保田結子さん，平井秀樹君

　　2012年4月13日　学術論文発表

J. Choi, K. Nagai, S. Koba, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Performance analysis of junctionless transistors based on Monte Carlo simulation," Applied Physics Express, vol. 5, 054301, 2012.

　　2012年4月5日　博士後期課程1年(社会人ドクター)に研究メンバーが加わりました

新メンバー：岩永順子さん

　　2012年3月29日　学術論文発表

Y. Yamada, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Atomistic modeling of electron-phonon interaction and electron mobility in Si nanowires," Journal of Applied Physics, vol. 111, 063720, 2012.

　　2012年3月23日　山田吉宏君が学位（工学博士）を取得しました

学位論文題目, "Atomistic quantum transport simulation of nanoscale MOS devices," （ナノスケールMOSデバイスの原子論的量子輸送シミュレーションに関する研究）

　　2012年3月23日　竹水会優秀論文賞受賞 (Congratulations!)

　　2012年3月16, 17日　学会発表

土屋英昭，細川博司，迫龍太郎，長谷川直実，小川真人，"半導体的グラフェンのバリスティック電子輸送特性，"第59回応用物理学関係連合講演会，早稲田大学．
長谷川直実，迫龍太郎，土屋英昭，小川真人，"多重接合されたグラフェンナノリボンの電子伝導，" 同上．
滝口直也，下井田健太，土屋英昭，小川真人，"バリスティックInAsナノワイヤFETのワイヤ方向依存性，" 同上．

　　2011年12月23日　学術論文発表

N. Takiguchi, S. Koba, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Comparisons of performance potentials of Si and InAs nanowire MOSFETs under ballistic transport," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 59, no. 1, pp. 206-211, Jan. 2012.

　　2011年9月21日　学術論文発表

R. Sako, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, "Influence of band-gap opening on ballistic electron transport in bilayer graphene and graphene nanoribbon FETs," IEEE Trans. on Electron Devices, vol. 58, no. 10, pp. 3300-3306, Oct. 2011.