■平成7年度，奨励研究(A)，”電子波デバイスの動的量子輸送モデルに関する研究”，800千円．
■平成13〜14年度，奨励研究(A)，”ナノ構造デバイスシミュレーションにおける量子補正多粒子モンテカルロ法に関する研究”，2,200千円．
■平成15〜17年度，基盤研究(C)，”シリコン集積化デバイスの量子輸送特性に関する研究”，3,600千円．
■平成18〜21年度，基盤研究(C)，”新材料及び新構造MOSFETの準バリスティック量子輸送モデリングに関する研究”，3,300千円．
■平成23〜26年度，基盤研究(C)，”極低消費電力LSIの実現に向けたグリーンナノデバイスの研究”，3,900千円．
共同研究費
■平成21〜26年度，科学技術振興機構・戦略的創造研究推進事業（JST-CREST），”原子論から始まる統合シミュレータの開発”，35,000千円（研究代表者：大阪大学 森 伸也 先生）．
受託研究費
■平成16年度，新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO），”バリスティック輸送下でのMOSFETの性能予測と最適素子構造設計”，5,000千円．
■平成17年度，新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO），”疑似バリスティック輸送下でのMOSFETの性能予測と最適素子構造設計”，5,250千円．
■平成18〜19年度，新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO），”極限構造MOSトランジスタの性能予測と最適素子構造設計”，5,355千円．
■平成20〜22年度，新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO），”バリスティックCMOSトランジスタの特性シミュレーションおよび最適設計技術”，7,611千円．
財団等からの助成金
■平成13年度，川西記念新明和教育財団，”次世代ナノスケールULSIデバイスの量子力学的シミュレータの開発”，1,500千円．
■平成13年度，（財）実吉奨学会，”超高集積回路デバイスのナノデバイスモデリングに関する研究”，400千円．
民間企業等との共同研究
■平成15〜17年度，株式会社 富士通研究所，”ナノメータCMOSの量子効果の検討”，1,500千円．
■平成18年度，株式会社 富士通研究所，”土屋英昭先生に対する研究助成”，500千円．
■平成18年度，住友電気工業（株）半導体技術研究所，”シミュレーション技術による窒化物半導体の基礎物性の解析”，2,762千円．
■平成19年度，株式会社 半導体理工学研究センター，”微細MOSシミュレーション（モンテカルロ）に関するテーマ検討”，3,000千円．
■平成18年度，住友電気工業（株）半導体技術研究所，”モンテカルロ法による窒化物半導体の基本物性の研究”，819千円．
■平成20〜22年度，株式会社 半導体理工学研究センター，”極限ナノCMOSデバイスシミュレータの開発”，13,552千円．
