[1] H. Tsuchiya, S. Shimizu, N. Fujino, M. Ogawa, and T. Miyoshi, “Quantum Mechanical Simulation of Hole Piling and Transient Response of Long Wavelength APD’s,” Proc. 3rd Optoelectronics Conf. (OEC’90), Chiba, pp. 226-227, Jul., 1990.
[2] H. Tsuchiya, M. Ogawa, S. Shimizu, N. Fujino, and T. Miyoshi, “Quantum Mechanical Simulation of Long Wavelength Avalanche Photo-Diodes Using Wigner-Function,” Proc. 1st Int. Conf. on Electrical Engineering Analysis and Design (ElectroSoft90), Boston, Massachusetts, pp. 163-174, 21-23 Aug., 1990.
[3] H. Tsuchiya, M. Ogawa, and T. Miyoshi, “Dynamic Simulation of Electron Transport Using Improved Wigner Function Model,” Proc. 7th Int. Conf. on Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits (NASECODE7), Copper Mountain, Colorado, pp. 134-135, 8-12 Apr., 1991.
[4] H. Tsuchiya, M. Ogawa, and T. Miyoshi, “Hole Transport at the Heterointerfaces of InGaAs/InP Avalanche Photodiodes,” Proc. Integrated Photonics Research, p. 109, Apr., 1991.
[5] H. Tsuchiya, M. Ogawa, and T. Miyoshi, “Wigner Function Model of Quantum Transport in an Electron Waveguide,” Proc. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM91), Yokohama, pp. 86-88, 27-29 Aug., 1991.
[6] H. Tsuchiya, M. Ogawa, and T. Miyoshi, “Simulation of Quantum Transport in Electron Waveguides Using Wigner Function Model,” Proc. 8th Int. Conf. on Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits (NASECODE8), Vienna, pp. 140-141, 19-22 May, 1992.
[7] H. Tsuchiya, M. Ogawa, and T. Miyoshi, “Wigner Function Model of Nonlinear Quantum Transport in a Split-Gate Electron Waveguide,” Proc. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM92), Tsukuba, pp. 732-734, 26-28 Aug., 1992.
[8] T. Miyoshi, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, “Comparative Study on Electron Transport Modeling of Quantum Devices (invited),” Proc. 2nd Int. Conf. on Electrical Engineering Analysis and Design (ElectroSoft93), Southampton, UK, pp. 367-374, May, 1993.
[9] H. Tsuchiya, M. Ogawa, and T. Miyoshi, “Quantum Mechanical Model of Carrier Transport in SCH-Quantum Well Lasers,” Proc. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM93), Chiba, pp. 679-681, 29 Aug. - 1 Sep., 1993.
[10] H. Tsuchiya and T. Miyoshi, “Electron Transport Modeling of Electron Waveguides in Nonlinear Transport Regime,” Proc. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM94), Yokohama, pp. 802-804, 23-26 Aug., 1994.
[11] H. Tsuchiya and T. Miyoshi, “Quantum Transport Simulation of Mesoscopic Devices Based upon Wigner Function Model,” Proc. Int. Workshop on Mesoscopic Physics and Electronics (MPE95), Tokyo, pp. 88-89, 6-8 Mar., 1995.
[12] Y. Okawa, H. Tsuchiya, and T. Miyoshi, “Guided Modes of Electron Wave in a Si-Quantum Wire,” Proc. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM95), Osaka, pp. 345-347, 21-24 Aug., 1995.
[13] H. Tsuchiya, Y. Hayashi, and T. Miyoshi, “Influence of Bipolar Quantum Transport on Gain Characteristics of Strained-MQW Lasers,” Proc. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM95), Osaka, pp. 986-988, 21-24 Aug., 1995.
[14] T. Miyoshi, Y. Okawa, H. Tsuchiya, and M. Ogawa, “Finite Element Analysis of Guided Modes in a Silicon-Quantum Wire,” Proc. 3rd Int. Conf. on Electrical Engineering Analysis and Design (ElectroSoft96), Pisa, Italy, pp. 317-326, May, 1996.
[15] H. Tsuchiya and T. Miyoshi, “Nonequilibrium Carrier Distribution Caused by Electron-Phonon Interactions in Quantum Dots,” Proc. Int. Workshop on Nano-Physics and Electronics (NPE97), Tokyo, pp. 179-180, 18-20 Sep., 1997.
[16] H. Tsuchiya, K. Komaki, and T. Miyoshi, “Microscopic Gain Modeling of Semiconductor Lasers Considering Higher-Order Many-Body Effects,” Proc. 6th Int. Workshop on Computational Electronics (IWCE6), Osaka, pp. 73-76, 19-21 Oct. 1998.
[17] H. Tsuchiya and T. Miyoshi, “Simulation of Dynamic Particle Trajectories through Resonant-Tunneling Structures Based upon Wigner Distribution Function,” Proc. 6th Int. Workshop on Computational Electronics (IWCE6), Osaka, pp. 156-159, 19-21 Oct., 1998.
[18] T. Miyoshi and H. Tsuchiya, “Quantum Mechanical Device Simulation of Ultrasmall MOSFETs,” Proc. 4th Int. Conf. on Electrical Engineering Analysis and Design (ElectroSoft99), Seville, Spain, pp. 287-296, 17-19 May, 1999.
[19] H. Tsuchiya and T. Miyoshi, “Two-Dimensional Quantum Monte Carlo Device Simulation of Ultrasmall MOSFET's,” Proc. Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM99), Tokyo, pp. 140-141, 21-24 Sep., 1999.
[20] K. Matsuda, T. Saiki, H. Tsuchiya, H. Saito, and K. Nishi, “Homogeneous Linewidth Study of a Single In0.5Ga0.5As Quantum Dot at High Temperature by Using Near-Field Scanning Optical Microscope,” Technical Digest of Quantum Electronics and Laser Science Conference (QELS2000), San Francisco, pp. 278-279, 7-12 May, 2000.
[21] T. Miyoshi, H. Tsuchiya, and D. Tsujio,“Quantum Monte Carlo Device Simulation of Ultrasmall Semiconductor Devices,”Proc. of JSST2000, Electronics 1, pp. 147-150, Oct., 2000.
[22] H. Tsuchiya, B. Fischer, and K. Hess, “A Full-Band Monte Carlo Model for Silicon Nanoscale Devices with a Quantum Mechanical Correction of the Potential,” Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting (IEDM2000), San Francisco, pp. 283-286, 10-13 Dec., 2000.
[23] T. Miyoshi and H. Tsuchiya,“Particle Modeling of Semiconductor Quantum Devices,” Proc. of 5th Int. Conf. Software for Electrical Engineering Analysis and Design (ElectroSoft 2001), pp. 57-65, May, 2001.
[24] M. Ogawa, H. Tsuchiya, and T. Miyoshi, “Quantum Transport Modeling in Nano-Scale Devices (invited),” Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Kobe, pp. 261-266, Sep., 2002.
[25] H. Tsuchiya, M. Horino, and T. Miyoshi,“Quantum Monte Carlo Device Simulation of Nano-Scaled SOI-MOSFETs,” Proc. 9th Int. Workshop on Computational Electronics (IWCE9), pp. 6-7, Rome, May, 2003.
[26] H. Tsuchiya, A. Svizhenko, M. P. Anantran, M. Ogawa, and T. Miyoshi,“Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Corrected Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation,” Proc. 10th Int. Workshop on Computational Electronics (IWCE10), pp. 93-94, West Lafayette, IN, Oct., 2004.
[27] Yoshiyuki Teratani, Tomohiro Ando, Hideaki Tsuchiya, and Tanroku Miyoshi,“A First Principles Study on Electronic Band Structures of Nano-Scaled SOI Films,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM05), Kobe, pp. 270-271, 13-15 Sep., 2005.
[28] Hideaki Tsuchiya, Kazuya Fujii, Takashi Mori, and Tanroku Miyoshi,“A Picture of Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM06), Yokohama, pp. 350-351, 13-15 Sep., 2006.
[29] Yoshihiro Yamada and Hideaki Tsuchiya,“First Principles Approach to Tunneling in Si/SiO2/Si Structures,” Abstracts of Int’l Symposium on Frontiers in Computational Science of Nanoscale Transport (FCSNT), Tokyo, pp. 9-10, 7-8 June, 2007.
[30] Takashi Mori, Yūsuke Azuma, Hideaki Tsuchiya, and Tanroku Miyoshi,“Comparative Study on Drive Current of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n-MOSFETs based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation,” Abstracts of 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, pp. 25-26, 10-11 June, 2007.
[31] Kazuya Fujii, Kyōsuke Okuda, Hideaki Tsuchiya, and Tanroku Miyoshi,“Influences of Lateral Quantum Confinement on Carrier Transport in Nanoscale Double-Gate MOSFETs,” Abstracts of 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, pp. 141-142, 10-11 June, 2007.
[32] Hideaki Tsuchiya, Kazuya Fujii, Takashi Mori, Yūsuke Azuma, Kyōsuke Okuda, and Tanroku Miyoshi,“On the Performance Limits of Emerging Nano-MOS Transistors: A Simulation Study (invited),” Proceedings of 2007 7th IEEE Int’l Conf. on Nanotechnology (IEEE-NANO2007), Hong Kong, pp. 530-535, 2-5 August, 2007.
[33] Hideaki Tsuchiya and Shin-ichi Takagi,“Influences of Elastic and Inelastic Scatterings on Ballistic Transport in MOSFETs,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM07), Tsukuba, pp. 44-45, 19-21 Sep., 2007.
[34] Yūsuke Azuma, Takashi Mori, and Hideaki Tsuchiya, “Drive Current of Ultrathin Ge-on-Insulator n-Channel MOSFETs,” Abstracts of 34th Int’l Symp. on Compound Semiconductors, Kyoto, p. 131, 15-18 Oct., 2007.
[35] Takeshi Hara, Yoshihiro Yamada, Tadashi Maegawa, and Hideaki Tsuchiya, “Atomistic Study on Electronic Properties of Nanoscale SOI Channels,” Abstracts of Int’l Symp. on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN2007), Hawaii, pp. 123-124, 2-7 Dec., 2007.
[36] Yoshihiro Yamada and Hideaki Tsuchiya, “Three-Dimensional Quantum Transport Simulation of Si-Nanowire Transistors Based on Wigner Function Model,” Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2008), Hakone, pp. 281-284, 9-11 Sep., 2008.
[37] Wei Wang, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Enhancement of Carrier Ballistic Transport in Schottky S/D MOSFETs,” Extended Abstracts of 215th Electrochemical Society Meeting, San Francisco, pp. 345-350, May 24-29, 2009.
[38] Hideaki Tsuchiya, Akihiro Maenaka, Takashi Mori, and Yūsuke Azuma, “Performance Projection of III-V and Ge channel MOSFETs (invited),” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM09), Sendai, pp. 250-251, 7-9 Oct., 2009.
[39] Haruki Ando, Shun Sawamoto, Tadashi Maegawa, Takeshi Hara, Hironobu Yao, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Performance Comparisons of Ballistic Silicon-Nanowire and Graphene Nanoribbon MOSFETs Considering First-Principles Bandstructure Effects,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM09), Sendai, pp. 984-985, 7-9 Oct., 2009.
[40] Hiroshi Hosokawa, Haruki Ando, and Hideaki Tsuchiya, “Performance Potentials of Bilayer Graphene and Graphene Nanoribbon FETs,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM10), Tokyo, pp. 878-879, 22-24 Sep., 2010.
[41] Shunsuke Koba, Ryō Aoyagi, and Hideaki Tsuchiya, “Fully Quantum Study of Silicon Devices with Scattering Based on Wigner Monte Carlo Approach,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM10), Tokyo, pp. 705-706, 22-24 Sep., 2010.
[42] Ryūtaro Sako, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Performance projections of ballistic graphene FETs with bilayer graphene and graphene nanoribbon semiconducting channels,” Abstracts of 2011 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, pp. 31-32, 12-13 June, 2011.
[43] Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Wigner Monte Carlo approach to quantum and dissipative transport in Si-MOSFETs,” Extended Abstracts of the 2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2011), Osaka, pp. 79-82, 8-10 Sep., 2011.
[44] Yōsuke Maegawa, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Simulation of electron transport in source and drain electrodes of ultrathin body III-V channel MOSFETs,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM11), Nagoya, pp. 116-117, 28-30 Sep., 2011.
[45] Yoshihiro Yamada, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Electron mobility calculations of free-standing Si-nanowires with atomistic electron-phonon interactions,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM11), Nagoya, pp. 1274-1275, 28-30 Sep., 2011.
[46] Kenta Shimoida, Yoshihiro Yamada, Ryūtaro Sako, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “A comparative study on drive currents and consumption powers of Si and InAs nanowire MOSFETs based on atomistic ballistic simulation,” presented at the Eighth Int’l Nanotechnology Conference on communication and cooperation (INC8), Tsukuba, 8-11 May, 2012.
[47] Yōsuke Maegawa, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Quantum transport simulation of III-V MOSFETs based on Wigner Monte Carlo approach,” presented at 2012 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, pp. 109-110, 10-11 June, 2012.
[48] Ryūtaro Sako, Naomi Hasegawa, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Electronic band structures of graphene nanomeshes,” presented at 2012 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, pp. 113-114, 10-11 June, 2012.
[49] Naomi Hasegawa, Ryūtaro Sako, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Band structure and electron transport in multi-junction graphene nanoribbons,” presented at 2012 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, pp.115-116, 10-11 June, 2012.
[50] Kenta Shimoida, Yoshihiro Yamada, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Wire-orientation dependence in device performances of Si and InAs nanowire MOSFETs under ballistic transport,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM12), Kyoto, pp. 86-87, 25-27 Sep., 2012.
[51] Katsuyuki Nagai, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, and Matsuto Ogawa, “Monte Carlo study on the role of high channel doping in junctionless transistors,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM12), Kyoto, pp. 90-91, 25-27 Sep., 2012.
[52] Shunsuke Koba, Masaki Ohmori, Yosuke Maegawa, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa, “Channel length scaling limits of III-V channel MOSFETs governed by source-drain direct tunneling,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM13), Fukuoka, pp. 716-717, 25-27 Sep., 2013.
[53] Kenta Shimoida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa, “Performance projections of III-V channel nanowire nMOSFETs in the ballistic transport limit,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM13), Fukuoka, pp. 422-423, 25-27 Sep., 2013.
[54] Naomi Hasegawa, Kenta Shimoida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa, “Performance comparison of graphene nanoribbon, Si nanowire and InAs nanowire FETs in the ballistic transport limit,” Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM13), Fukuoka, pp. 664-665, 25-27 Sep., 2013.
[55] Yoshinari Kamakura, Kentaro Kukita, Indra N. Adisusilo, Sunsuke Koba, and Hideaki Tsuchiya, "Simulation study on quasi-ballistic heat transfer effect in FinFETs (invited)," Extended Abstracts of Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM13), Fukuoka, pp. 704-705, 25-27 Sep., 2013.
[56] Shunsuke Koba, Ryoma Ishida, Yuko Kubota, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, and Matsuto Ogawa, “The impact of increased deformation potential at MOS interface on quasi-ballistic transport in ultrathin channel MOSFETs scaled down to sub-10nm channel length,” Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting (IEDM2013), Washington, DC, pp. 312-315, 9-11 Dec., 2013.
[57] Nobuya Mori, Gennady Mil'nikov, Hideki Minari, Yoshinari Kamakura, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe, Masashi Uematsu, Kohei Itoh, Shigeyasu, Uno, and Hideaki Tsuchiya, “Nano-device simulation from an atomistic view (invited),” Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting (IEDM2013), Washington, DC, pp. 116-119, 9-11 Dec., 2013.
[58] Hideaki Tsuchiya, “Understanding Carrier Transport in the Ultimate Physical Scaling Limit of MOSFETs (invited),” The 2014 Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2014 IMFEDK), Kyoto, pp. 22-23, 19-20 June, 2014.
[59] Ryoma Ishida, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Shigeyasu Uno, and Matsuto Ogawa, “Extraction of Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Based on Monte Carlo Method,” Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2014), Yokohama, pp. 153-156, 9-11 Sep., 2014.
[60] Yoshinari Kamakura, Indra Nur Adisusilo, Kentaro Kukita, Go Wakimura, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, and Nobuya Mori, “Coupled Monte Carlo Simulation of Transient Electron-Phonon Transport in Small FETs,” Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting (IEDM2014), San Francisco, pp. 176-179, 9-11 Dec., 2014.
国内学会発表
[1] 土屋 英昭，三好 旦六， “光照射超伝導体のジョゼフソン効果”，昭和63年電子情報通信学会秋季全国大会，1988年9月.
[2] 土屋 英昭，三好 旦六， “光ジョゼフソン接合の実現条件”， 昭和63年電気関係学会関西支部連合大会，1988年11月.
[3] 土屋 英昭，三好 旦六， “光ジョゼフソン接合のマイクロ波応答”，1989年電子情報通信学会春季全国大会，1989年3月.
[4] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “有効質量の位置依存性を考慮したWigner関数による量子力学的シミュレーション”，第51回応用物理学会学術講演会，1990年9月.
[5] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六， “InGaAs/InP長波長APDのヘテロ界面における正孔輸送”，1991年電子情報通信学会春季全国大会，1991年3月.
[6] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “共鳴トンネルダイオードのダイナミックシミュレーション”，第38回応用物理学関係連合講演会，1991年3月.
[7] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六， “Wigner関数による量子サイズ構造デバイスのシミュレーション”，1991年電子情報通信学会秋季大会，1991年9月.
[8] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “Wigner関数による共鳴トンネルダイオードのシミュレーション”，第52回応用物理学会学術講演会，1991年9月.
[9] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “電子導波路のWigner関数モデル”，第52回応用物理学会学術講演会，1991年9月.
[10] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “電子導波路の量子輸送シミュレーション”，第39回応用物理学関係連合講演会，1992年3月.
[11] 上野 治彦，土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “電子導波路のモンテカルロ・シミュレーション”，第39回応用物理学関係連合講演会，1992年3月.
[12] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六， “共鳴トンネルダイオードの高速応答特性”，電子情報通信学会 電子デバイス研究会，1992年4月.
[13] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六， “電子導波路の線形・非線形量子輸送特性”，電子情報通信学会 電子デバイス研究会，1992年4月.
[14] 好村 浩二，土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “Wigner関数のモーメント方程式を用いた量子輸送シミュレーション”，平成4年電気関係学会関西支部連合大会，1992年11月.
[15] 上野 治彦，土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “電子導波路の2次元量子輸送解析”，第40回応用物理学関係連合講演会，1993年3月.
[16] 好村 浩二，土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “量子モーメント方程式を用いた電子導波路の解析”，第40回応用物理学関係連合講演会，1993年3月.
[17] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “ウィグナー関数モデルによる共鳴トンネルダイオードの小信号量子輸送シミュレーション”，第40回応用物理学関係連合講演会，1993年3月.
[18] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “キャリア量子輸送を考慮したSCH構造量子井戸レーザの利得特性”，第54回応用物理学会学術講演会，1993年9月.
[19] 上野 治彦，土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六, “不連続狭窄部を有する電子導波路の非線形輸送特性”，第54回応用物理学会学術講演会，1993年9月.
[20] 土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六， “量子輸送モデルによるSCH構造量子井戸レーザの利得解析”，1993年電子情報通信学会秋季大会，1993年9月.
[21] 土屋 英昭，三好 旦六， “量子井戸レーザにおけるキャリア量子輸送の利得に及ぼす影響”，電子情報通信学会 光・量子エレクトロニクス研究会，1993年10月.
[22] 土屋 英昭，三好 旦六, “量子構造デバイスの非線形輸送領域における電子輸送モデリング”，輻射科学研究会，1994年3月.
[23] 土屋 英昭，三好 旦六, “量子構造デバイスにおける電子輸送モデリング -透過確率法とWigner関数モデルの比較-”，第41回応用物理学関係連合講演会，1994年3月.
[24] 土屋 英昭，三好 旦六, “バイポーラ量子輸送による量子井戸活性層への電子・正孔不均一注入”，第41回応用物理学関係連合講演会，1994年3月.
[25] 土屋 英昭，三好 旦六, “多重量子井戸レーザにおけるバイポーラ量子輸送”，第55回応用物理学会学術講演会，1994年9月.
[26] 土屋 英昭，三好 旦六, “Wigner関数モデルによる量子細線の動的量子輸送シミュレーション”，第42回応用物理学関係連合講演会，1995年3月.
[27] 土屋 英昭，林 靖智，三好 旦六, “バイポーラ量子輸送を考慮した歪多重量子井戸レーザの利得特性”，第42回応用物理学関係連合講演会，1995年3月.
[28] 大川 康司，土屋 英昭，三好 旦六, “量子細線の電子波導波モードの解析”，日本シミュレーション学会 第15回計算電気・電子工学シンポジウム，1995年3月.
[29] 土屋 英昭，林 靖智，三好 旦六, “歪多重量子井戸レーザの利得に及ぼすバイポーラ量子輸送の影響”，第56回応用物理学会学術講演会，1995年9月.
[30] 大川 康司，土屋 英昭，三好 旦六, “Si量子細線の電子波導波モードのセルフコンシステント解析”，第56回応用物理学会学術講演会，1995年9月.
[31] 大川 康司，土屋 英昭，三好 旦六, “シリコン量子細線の電子波導波モードとそのゲート電圧制御”，日本シミュレーション学会 第16回計算電気・電子工学シンポジウム，1995年12月.
[32] 土屋 英昭，三好 旦六, “量子細線の高温多モード量子輸送”，第43回応用物理学関係連合講演会，1996年3月.
[33] 土屋 英昭，三好 旦六, “電子-フォノン結合を考慮したナノ構造デバイスの量子輸送モデリング”，第57回応用物理学会学術講演会，1996年9月.
[34] 小野 達己，土屋 英昭，三好 旦六, “Si単電子デバイスの容量評価”，第57回応用物理学会学術講演会，1996年9月.
[35] 王 仲，土屋 英昭，三好 旦六, “量子ドットの非平衡輸送モデルにおける電子電子相互作用”，第57回応用物理学会学術講演会，1996年9月.
[36] 川端 研二，王 仲，土屋 英昭，三好 旦六，”電子間相互作用を考慮したナノ構造半導体の電子状態の解析”，日本シミュレーション学会 第17回計算電気・電子工学シンポジウム，1996年12月.
[37] 土屋 英昭，三好 旦六, “量子ドットのLOフォノン散乱による非平衡電子分布”，第44回応用物理学関係連合講演会，1997年3月.
[38] 土屋 英昭，三好 旦六, “ウィグナー分布関数によるホットエレクトロンの位相コヒーレント長評価”，第44回応用物理学関係連合講演会，1997年3月.
[39] 王 仲，岩永 正臣，土屋 英昭，三好 旦六, “電子スピンを考慮した量子ドットの非平衡量子輸送”，第44回応用物理学関係連合講演会，1997年3月.
[40] 王 仲，土屋 英昭，三好 旦六, “二次元調和ポテンシャルを持つ量子ドットの量子準位”，第58回応用物理学会学術講演会，1997年9月.
[41] 土屋 英昭，三好 旦六, “共鳴トンネルダイオードの量子軌道シミュレーション”，第58回応用物理学会学術講演会，1997年9月.
[42] 小牧 浩輔，土屋 英昭，三好 旦六, “非平衡グリーン関数法に基づいた半導体レーザの微視的理論”，第58回応用物理学会学術講演会，1997年9月.
[43] 王 仲，岩永 正臣，土屋 英昭，三好 旦六，”2次元量子ドットの電子状態の解析”，日本シミュレーション学会 第18回計算電気・電子工学シンポジウム，1997年11月.
[44] 小牧 浩輔，土屋 英昭，三好 旦六, “グリーン関数法による半導体レーザの光学特性に及ぼす多体効果の検討”，第45回応用物理学関係連合講演会，1998年3月.
[45] 土屋 英昭，三好 旦六，“量子ドリフト・拡散モデルによるMOS-FETの電子輸送モデリング”，第45回応用物理学関係連合講演会，1998年3月.
[46] 土屋 英昭，三好 旦六，“ポテンシャル量子補正を考慮した量子ドリフト・拡散モデル”，第45回応用物理学関係連合講演会，1998年3月.
[47] 土屋 英昭，三好 旦六，“HEMT構造2次元電子ガスの量子補正エネルギー”，第59回応用物理学会学術講演会，1998年9月.
[48] 栗山 昇久，山本 哲也，土屋 英昭，三好 旦六, “超微細MOSFETの量子力学的デバイスシミュレーション”，日本シミュレーション学会 第19回計算電気・電子工学シンポジウム，1998年11月.
[49] 土屋 英昭，三好 旦六，“量子ドットレーザスペクトルのフォノン散乱による有限均一広がり”，第46回応用物理学関係連合講演会，1999年3月.
[50] 土屋 英昭，栗山 昇久，三好 旦六，“極微細MOSFETの2次元量子デバイスシミュレーション”，第46回応用物理学関係連合講演会，1999年3月.
[51] 土屋 英昭，三好 旦六， “極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション”，電子情報通信学会 VLSI設計技術研究会，1999年8月.
[52] 土屋 英昭，辻尾 大輔，山本 哲也，三好 旦六，“量子モンテカルロデバイスシミュレーション”，第60回応用物理学会学術講演会，1999年9月.
[53] 土屋 英昭，都築 透，三好 旦六，“極微細MOSFETの量子論的C-Vシミュレータ”，第60回応用物理学会学術講演会，1999年9月.
[54] B. Winstead, H. Tsuchiya, and U. Ravaioli, “An Approach to Quantum Correction in Monte Carlo Device Simulation,” Proc. Int. Conf. on Modeling and Simulation of Microsystems (MSM-ICCN2001), Hilton Head, South Carolina, 19-21 Mar. 2001.
[55] 辻尾 大輔，土屋 英昭，三好 旦六，“超微細化MOSFETの量子モンテカルロデバイスシミュレーション”，第48回応用物理学関係連合講演会，2001年3月.
[56]庄田 有作，土屋 英昭，三好 旦六，“共鳴トンネル現象の量子力学的粒子シミュレーション”，第48回応用物理学関係連合講演会，2001年3月.
[57] H. Tsuchiya and U. Ravaioli,“Particle Description Model for Quantum Transport Behavior of Electron Wave,”Proc. of Progress in Electromagnetics Research Symposium (PIERS 2001), Osaka, p. 400, 18-22 July, 2001.
[58]土屋 英昭，Brian Winstead, Umberto Ravaioli，“量子補正力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーション”，電子情報通信学会 VLSI設計技術研究会，2001年9月.
[59]土屋 英昭，“量子輸送解析における高次量子補正の影響”，第49回応用物理学関係連合講演会，2002年3月.
[60]土屋 英昭，“量子力学的効果の粒子表現モデル”，第49回応用物理学関係連合講演会，2002年3月.
[61] 土屋 英昭，三好 旦六，“トンネリング粒子の量子ポテンシャル”，第63回応用物理学会学術講演会，2002年9月.
[62] 土屋 英昭，三好 旦六，“モンテカルロシミュレーションにおける量子補正のモデル化”，第63回応用物理学会学術講演会，2002年9月.
[63]土屋 英昭，三好 旦六， “モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，2002年9月.
[64]土屋 英昭，堀野 元気，三好 旦六，“10nmチャネル長SOI-MOSFETの準バリスティック量子輸送”，第50回応用物理学関係連合講演会，2003年3月．
[65]土屋 英昭，三好 旦六，“ナノスケールMOSFETの非平衡量子輸送シミュレーション”，第50回応用物理学関係連合講演会，2003年3月．
[66] H. Tsuchiya, M. Horino, M. Ogawa, and T. Miyoshi,“Quantum Transport Modeling of Nano-Scaled MOSFETs”, The 2003 Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2003 IMFEDK), Osaka, 57-58, July 2003.
[67]土屋 英昭，堀野 元気，小川 真人，三好 旦六，“サブ10nm MOSFETの準バリスティック量子輸送特性”，第64回応用物理学会学術講演会，2003年9月.
[68]土屋 英昭，堀野 元気，小川 真人，三好 旦六，“準バリスティックMOSFETのゲートオーバーラップ効果”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，2003年9月.
[69]平野 貴生，堀野 元気，土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六，“不純物原子の離散的配置を考慮した３次元MC/MDデバイスシミュレーション”，第51回応用物理学関係連合講演会，2004年3月．
[70]土屋 英昭，高木 信一，小川 真人，三好 旦六，“ナノMOSトランジスタのバリスティック極限性能”，第51回応用物理学関係連合講演会，2004年3月．
[71]土屋 英昭，小川 真人，堀野 元気，三好 旦六，“ナノMOSシミュレーションにおける非平衡グリーン関数法と量子モンテカルロ法の比較”，第51回応用物理学関係連合講演会，2004年3月．
[72]淺沼 昭彦，土屋 英昭，三好 旦六，“ナノスケールMOSFETの電流雑音特性”，第65回応用物理学会学術講演会，2004年9月.
[73] 土屋 英昭，三好 旦六，“擬似バリスティック輸送下におけるMOSFETの電流駆動力”，第65回応用物理学会学術講演会，2004年9月.
[74]土屋 英昭，堀野 元気，淺沼 昭彦，三好 旦六，“ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，2004年9月.
[75]土屋 英昭，高木 信一，三好 旦六，“擬似バリスティック輸送下におけるMOSFETの電流駆動力−電子電子散乱の影響−”，第52回応用物理学関係連合講演会，2005年3月．
[76]土屋 英昭，小田 梓，山根 崇史，小川 真人，三好 旦六，“量子補正モンテカルロ・分子動力学法による速度飽和の電子濃度依存性解析”，第52回応用物理学関係連合講演会，2005年3月．
[77]寺谷 佳之，安藤 智宏，土屋 英昭，三好 旦六，“第一原理計算によるナノスケールシリコン薄膜の電子状態解析”，第52回応用物理学関係連合講演会，2005年3月．
[78]土屋 英昭，小田 梓，三好 旦六，“ナノスケールMOSFETの電流雑音特性(2)”，第52回応用物理学関係連合講演会，2005年3月．
[79]藤井 一也，土屋 英昭，三好 旦六，“3次元量子補正モンテカルロ法による反転層電子移動度の解析”，第66回応用物理学会学術講演会，2005年9月.
[80]土屋 英昭，小田 梓，三好 旦六，“ナノスケールMOSFETにおけるキャリア散乱効果”，第66回応用物理学会学術講演会，2005年9月.
[81]土屋 英昭，小田 梓，藤井 一也，三好 旦六，“ナノスケールMOSFETの電流駆動力に関するキャリア散乱の影響”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，2005年9月.
[82]上中 恒雄，山田 吉宏，土屋 英昭，三好 旦六，“第一原理計算を用いたSiナノワイヤの電子状態解析”，第53回応用物理学関係連合講演会，2006年3月．
[83]寺谷 佳之，土屋 英昭，三好 旦六，“第一原理計算に基づくサブ1 nm SOI薄膜の電子状態解析”，第53回応用物理学関係連合講演会，2006年3月．
[84]三好 旦六，土屋 英昭，小田 梓，“量子補正モンテカルロシミュレーションによるナノMOSFETの電流雑音評価”，第25回 日本シミュレーション学会大会，pp. 239-242，2006年6月.
[85]清水 崇之，清水 裕量，宮村 雄介，土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六，“ナノスケールMOS素子の電流雑音の量子力学的シミュレーション”，第25回 日本シミュレーション学会大会，pp. 247-250，2006年6月.
[86]土屋 英昭，藤井 一也，森 隆志，三好 旦六，“準バリスティックMOSFETのソース端キャリア輸送”，第67回応用物理学会学術講演会，2006年8月.
[87]東 祐介，山根 崇史，土屋 英昭，三好 旦六，“モンテカルロシミュレーションによるバルクGeのドリフト速度・移動度評価”，第67回応用物理学会学術講演会，2006年8月.
[88]三好 旦六，土屋 英昭，小田 梓，“ナノスケールMOSFETの電流雑音特性(3)”，第67回応用物理学会学術講演会，2006年8月.
[89]清水 崇之，清水 裕量，宮村 雄介，土屋 英昭，小川 真人，三好 旦六，“ナノスケールMOS素子の量子輸送理論による電流雑音シミュレーション”，第67回応用物理学会学術講演会，2006年8月.
[90]上中 恒雄，土屋 英昭，三好 旦六，“第一原理計算によるSiナノワイヤ電子状態の断面形状依存性”，第67回応用物理学会学術講演会，2006年8月.
[91]土屋 英昭，藤井 一也，森 隆志，三好 旦六，“ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 84，pp. 77-82，2006年9月.
[92]土屋 英昭，藤井 一也，三好 旦六，“量子補正モンテカルロ法によるナノMOSシミュレーション”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 86，pp. 22-27，2006年11月.
[93]土屋 英昭，“極限構造MOSトランジスタの性能予測と最適素子構造設計”，2006年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会，p. 119，2006年12月.
[94]寺谷 佳之，上中 恒雄，山田 吉宏，土屋 英昭，三好 旦六，“シリコンナノMOS構造の第一原理シミュレーション”，第54回応用物理学関係連合講演会，27p-SQ-9，p. 47，2007年3月．
[95]鎌倉 良成，土屋 英昭，谷口 研二，三好 旦六，“モンテカルロ法によるナノスケールMOSFETのシミュレーションとモデリングの検討”，第54回応用物理学関係連合講演会，27p-SQ-8，p. 46，2007年3月．
[96]土屋 英昭，高木 信一，三好 旦六，“準バリスティックMOSFETにおける弾性散乱および非弾性散乱の役割”，第54回応用物理学関係連合講演会，29p-ZQ-10，p. 936，2007年3月．
[97]山田 吉宏，土屋 英昭，三好 旦六，“第一原理量子輸送シミュレーションによるSi/SiO2/Si構造のトンネル電流解析”，第54回応用物理学関係連合講演会，29a-ZQ-11，p. 933，2007年3月．
[98]藤井 一也，奥田 恭介，土屋 英昭，三好 旦六，“新型構造MOSFETの3次元量子補正モンテカルロシミュレーション”，第54回応用物理学関係連合講演会，28p-G-4，p. 946，2007年3月．
[99]森 隆志，東 祐介，土屋 英昭，三好 旦六，“Ge及びGaAsチャネルMOSFETの量子補正モンテカルロシミュレーション”，第54回応用物理学関係連合講演会，28p-G-7，p. 947，2007年3月．
[100]東 祐介，森 隆志，土屋 英昭，“極薄Ge-on-Insulator(GOI) n-チャネルMOSFETの電流駆動力”，第68回応用物理学会学術講演会，7p-ZL-4, p. 883, 2007年9月7日，北海道工業大学.
[101]森 隆志，東 祐介，土屋 英昭,“量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価”，応用物理学会分科会シリコンテクノロジー，No. 96, pp. 6-11, 2007年10月30日，機械振興会館．
[102]前川 忠志，原 孟史，山田 吉宏，土屋 英昭,“シリコンナノワイヤの第一原理電子状態解析”，平成19年電気関係学会関西支部連合大会，G6-40,2007年11月18日，神戸大学．
[103]土屋 英昭，森 隆志，東 祐介,“Si及び非Si材料MOSFETの準バリスティック動作特性（招待講演）”，More Moore, More Than Mooreにおける化合物半導体電子デバイス調査専門委員会（電気学会）,2007年11月27日，法政大学．
[104]土屋英昭，“極限構造MOSトランジスタの性能予測と最適素子構造設計”，2007年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会，p. 127，2007年12月18日，つくば国際会議場.
[105]山田吉宏，土屋英昭，“ウィグナー関数モデルによるSiナノワイヤFETの3次元量子輸送シミュレーション”，第55回応用物理学関係連合講演会，28a-NB-10，2008年3月28日，日本大学（千葉）．
[106]前川忠史，山内恒毅，原孟史，山田吉宏，土屋英昭，“第一原理計算による歪Siナノワイヤの電子状態解析”，第55回応用物理学関係連合講演会，28a-P5-8，2008年3月28日，日本大学（千葉）．
[107]原 孟史，山田吉宏，前川忠史，土屋英昭，“第一原理計算による極薄SOIチャネルの電子状態解析”，第55回応用物理学関係連合講演会，29a-P11-14，2008年3月29日，日本大学（千葉）．
[108]土屋英昭，王 威，高木信一，“バリスティック効率向上のためのソース端ポテンシャルエンジニアリング”，第69回応用物理学会学術講演会，4p-E-6, p. 770, 2008年9月4日，中部大学.
[109]山田吉宏，土屋英昭，小川真人，“シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレーション”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 105，pp. 76-81，2008年11月14日，機械振興会館.
[110]前川忠史，山内恒毅，原孟史，土屋英昭，小川真人，“第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 105，pp. 82-87，2008年11月14日，機械振興会館.
[111]土屋英昭，“バリスティックCMOSトランジスタの特性シミュレーションおよび最適設計技術”，2008年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会，p. 132，2008年12月10日，つくば国際会議場.
[112]土屋英昭，前中章宏，森隆志，東祐介，“高移動度チャネルMOSトランジスタの性能予測シミュレーション（招待講演）”，応用物理学会ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理―，pp. 25-28, 2009年1月23日．東レ総合研修センター（静岡県三島市）．
[113]山田吉宏，土屋英昭，小川真人，“バリスティック輸送がSi-MOSFETのオフ電流に与える影響”，第56回応用物理学関係連合講演会，30p-V-2， p. 894, 2009年3月30日，筑波大学（つくば）．
[114]王 威，土屋英昭，小川真人，“ショットキーS/D MOSFETの高バリスティック輸送効率”，第56回応用物理学関係連合講演会，1p-V-6， p. 905, 2009年4月1日，筑波大学（つくば）．
[115]前中章宏，松浦慎一郎，土屋英昭，小川真人，“高移動度チャネルMOSFETの電流駆動力シミュレーション”，第56回応用物理学関係連合講演会，1p-V-13， p. 907, 2009年4月1日，筑波大学（つくば）．
[116]澤本俊，前川忠史，原孟史，土屋英昭，小川真人，“第一原理バリスティックシミュレーションによるSiナノワイヤトランジスタの性能予測”，第70回応用物理学会学術講演会，11a-TH-7, p. 799, 2009年9月11日，富山大学.
[117]安藤晴気，澤本俊，前川忠史，土屋英昭，小川真人，“第一原理バリスティックシミュレーションによるグラフェントランジスタの性能予測”，第70回応用物理学会学術講演会，11a-TH-8, p. 800, 2009年9月11日，富山大学.
[118]土屋英昭，“バリスティックCMOSトランジスタの特性シミュレーションおよび最適設計技術”，2009年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会，2009年12月16日，つくば国際会議場.
[119]木場隼介，青柳良，前中章宏，王威，土屋英昭，小川真人，“ナノスケールデバイスのウィグナーモンテカルロシミュレーション（招待講演），” 第57回応用物理学関係連合講演会シンポジウム，17p-C-5, p. 18，2010年3月17日，東海大学（神奈川県平塚市）．
[120]土屋英昭，“高移動度チャネルMOSFETの極限性能（招待講演），” SEMI FORUM JAPAN 2010プロセスインテグレーションセミナー，2010年6月1日，グランキューブ大阪（大阪国際会議場）．
[121]土屋英昭，“不純物偏析を行なったショットキー障壁MOSFETの特性シミュレーション”，2010年半導体MIRAIプロジェクト成果報告会，2010年12月15日，つくば国際会議場.
[122]山田吉宏，土屋英昭，小川真人，“原子論的アプローチによるSiナノワイヤのフォノン散乱移動度モデリング（招待講演）”，第58回応用物理学関係連合講演会シンポジウム，24p-KC-3, P. 73，2011年3月24日，神奈川工科大学（神奈川県厚木市）．
[123]木場隼介，土屋英昭，小川真人，“ウィグナーモンテカルロ法によるMOSFETの散逸的量子輸送解析（招待講演）”，第58回応用物理学関係連合講演会シンポジウム，24p-KC-5, P. 75，2011年3月24日，神奈川工科大学（神奈川県厚木市）．
[124]青柳良，木場隼介，土屋英昭，小川真人，“ショットキー障壁MOSFETのソース端電子輸送に及ぼす不純物偏析の影響”，第58回応用物理学関係連合講演会，26p-KD-6, P. 13-254，2011年3月26日，神奈川工科大学（神奈川県厚木市）．
[125]細川博司，迫龍太郎，土屋英昭，小川真人，“バイレイヤグラフェンFETとグラフェンナノリボンFETの極限性能比較”，第58回応用物理学関係連合講演会，27a-KQ-8, P. 17-164，2011年3月27日，神奈川工科大学（神奈川県厚木市）．
[126]迫龍太郎，細川博司，土屋英昭，小川真人，“グラフェンナノリボンのバンド構造とFETチャネルとしての性能予測”，第58回応用物理学関係連合講演会，27a-KQ-10, P. 17-166，2011年3月27日，神奈川工科大学（神奈川県厚木市）．
[127]山田吉宏，土屋英昭，小川真人，“原子論的電子−フォノン相互作用モデリングによるSiナノワイヤの電子移動度解析（招待講演）”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 138，pp. 2-7，2011年7月8日，大阪大学サイバーメディアセンター.
[128]木場隼介，土屋英昭，小川真人，“ウィグナーモンテカルロ法に基づくMOSFETの新型量子輸送シミュレータの実現（招待講演）”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 138，pp. 8-13，2011年7月8日，大阪大学サイバーメディアセンター.
[129]迫龍太郎，土屋英昭，小川真人，“バンドギャップ開口がグラフェンFETのバリスティック性能に及ぼす影響”，第72回応用物理学会学術講演会，31a-K-9, p. 17-171, 2011年8月31日，山形大学.
[130]滝口直也，澤本俊，土屋英昭，小川真人，“SiナノワイヤFETとInAsナノワイヤFETの極限性能比較”，第72回応用物理学会学術講演会，1a-P7-17, p. 13-182, 2011年9月1日，山形大学.
[131]滝口直也，木場隼介，土屋英昭，小川真人，“第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETとバリスティック性能比較”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 141，pp. 31-36，2011年11月11日，機械振興会館.
[132]滝口直也，下井田健太，土屋英昭，小川真人，“バリスティックInAsナノワイヤFETのワイヤ方向依存性”，第59回応用物理学関係連合講演会，16a-A1-3, p. 13-165, 2012年3月16日，早稲田大学（東京都新宿区）．
[133]長谷川直実，迫龍太郎，土屋英昭，小川真人，“多重接合されたグラフェンナノリボンの電子伝導”，第59回応用物理学関係連合講演会，16p-B2-5, p. 17-124, 2012年3月16日，早稲田大学（東京都新宿区）．
[134]土屋英昭，細川博司，迫龍太郎，長谷川直実，小川真人，“半導体的グラフェンのバリスティック電子輸送特性”，第59回応用物理学関係連合講演会，17p-B2-1, p. 17-145, 2012年3月17日，早稲田大学（東京都新宿区）．
[135] 迫龍太郎，長谷川直実，土屋英昭，小川真人，“グラフェンナノメッシュによるバンド構造エンジニアリング”，第73回応用物理学会学術講演会，12p-C2-7, p. 17-131, 2012年9月12日，愛媛大学・松山大学.
[136] 長井克之，土屋英昭，小川真人，“Junctionlessトランジスタの高濃度チャネルドーピングの影響に関する考察”，第73回応用物理学会学術講演会，13p-F4-13, p. 13-188, 2012年9月13日，愛媛大学・松山大学.
[137] 前川容佑，木場隼介，土屋英昭，小川真人，“短チャネルIII-V MOSFETの量子輸送効果”，第73回応用物理学会学術講演会，13p-F4-14, p. 13-189, 2012年9月13日，愛媛大学・松山大学.
[138] 下井田健太，山田吉宏，土屋英昭，小川真人，“Siナノワイヤ及びInAsナノワイヤMOSFETのワイヤ方向依存性能の比較”，第73回応用物理学会学術講演会，14a-F7-6, p. 13-221, 2012年9月14日，愛媛大学・松山大学.
[139] 長谷川直実，下井田健太，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“バリスティック輸送下でのグラフェンナノリボンFETの性能評価”，第74回応用物理学会学術講演会，16p-P7-47, p. 17-047, 2013年9月16日，同志社大学（京都府京田辺市）.
[140] 大森正規，木場隼介，前川容佑，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“ソースドレイン直接トンネリングによるIII-V MOSFETの短チャネル化限界”，第74回応用物理学会学術講演会，19p-C8-13, p. 13-167, 2013年9月19日，同志社大学（京都府京田辺市）.
[141] 木場隼介，石田良馬，久保田結子，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“MOS界面における変位ポテンシャル上昇が超薄膜チャネルMOSFETのドレイン電流に与える影響”，第74回応用物理学会学術講演会，19p-C8-16, p. 13-170, 2013年9月19日，同志社大学（京都府京田辺市）.
[142] 石田良馬，木場隼介，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“短チャネルSi MOSFETの準バリスティック輸送パラメータの抽出”，第74回応用物理学会学術講演会，19p-C8-17, p. 13-171, 2013年9月19日，同志社大学（京都府京田辺市）.
[143] 大森正規，木場隼介，前川容佑，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 166，pp. 66-71，2013年11月15日，機械振興会館.
[144] 兼古志郎，長谷川直実，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“シリセン／ゲルマネン／グラフェンナノリボンFETのバリスティック性能比較”，第61回応用物理学会春季学術講演会，17a-E2-47, p. 17-047, 2014年3月17日，青山学院大学（神奈川県相模原市）.
[145] 下井田健太，森規泰，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，宇野重康，小川真人，“原子論的アプローチに基づくGeナノワイヤの電子移動度解析”，第61回応用物理学会春季学術講演会，18p-PA11-6, p. 13-010, 2014年3月18日，青山学院大学（神奈川県相模原市）.
[146] 鎌倉良成，久木田健太郎，インドラ ヌル アディスシロ，脇村豪，木場隼介，土屋英昭，森伸也，“極微細FETにおける自己発熱効果の過渡応答シミュレーション”，第61回応用物理学会春季学術講演会，18p-PA11-7, p. 13-011, 2014年3月18日，青山学院大学（神奈川県相模原市）.
[147] 土屋英昭，兼古志郎，平井秀樹，森規泰，“シリセン／ゲルマネン／グラフェンFETの電子輸送モデリング”，応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー，No. 174，pp. 14-19，2014年7月4日，機械振興会館.
[148] 一居雅人，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“ジャンクションレストランジスタの表面ラフネス散乱及び不純物散乱の影響”，第75回応用物理学会学術講演会，17a-PA3-6, p. 13-164, 2014年9月17日，北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）.
[149] 森規泰，下井田健太，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“単原子層Geナノリボンの電子移動度解析”，第75回応用物理学会学術講演会，18a-PA3-47, p. 17-047, 2014年9月18日，北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）.
[150] 平井秀樹，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“絶縁基板上グラフェンの電子移動度解析”，第75回応用物理学会学術講演会，18a-PA3-48, p. 17-048, 2014年9月18日，北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）.
[151] クレンデネン啓示，森伸也，土屋英昭，“グラフェン／シリセン／ゲルマネンナノリボンFETの性能比較”，第75回応用物理学会学術講演会，18a-PA3-55, p. 17-055, 2014年9月18日，北海道大学札幌キャンパス（北海道札幌市）.
[152] 土屋英昭，石田良馬，鎌倉良成，森伸也，宇野重康，小川真人，“モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出”，電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス, Vol. 114, No. 291, p. 53-58, 2014年11月7日，機械振興会館.
[153] クレンデネン啓示，森伸也，土屋英昭，“平坦形2次元結晶ナノリボンFETの性能比較”，応用物理学会関西支部 平成26年度第2回講演会，P-15, 2014年11月12日，神戸大学六甲台キャンパス（兵庫県神戸市）.
[154] 石田良馬，木場隼介，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，宇野重康，小川真人，“モンテカルロシミュレーションによるSiマルチゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送特性解析”，応用物理学会関西支部 平成26年度第2回講演会，P-16, 2014年11月12日，神戸大学六甲台キャンパス（兵庫県神戸市）.
[155] 平井秀樹，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人，“絶縁基板上グラフェンの電子輸送シミュレーション”，応用物理学会関西支部 平成26年度第2回講演会，p. 17, 2014年11月12日，神戸大学六甲台キャンパス（兵庫県神戸市）.
