Takashi KITA OnLine Reference

CONFERENCE

国際会議発表

[299] “Optimal Band Gap Energies for Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Partial Absorptivity”
Y. Harada, T. Matsuo, S. Asahi, and T. Kita
(35th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, Belgium, September 24-28, 2018)

[298] “Effects of GaAs-Capping Temperature on The Emission Wavelength of InAs Quantum Dots Grown on Nitrogen-Doped GaAs(001)Surfaces” N. Uenishi, T. Kaizu, T. Kita
(20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, China, September 2-7, 2018)

[297] “Exciton Hopping Dynamics in GaAsBi” Y. Harada, T. Wilson, N. P. Hylton, R.D. Richards, J.P. David, T. Kita and N.J. Ekins-Daukes
(9th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Kyoto, July 15-18, 2018)

[296] “Development of Mercury-Free Ultraviolet Light Emitting Devices; T. Kita
(31st International Vacuum Nanoelectronics Conference, Kyoto, July 9-13, 2018)(Invited Talk)

[295] “Optimization of Excitation Wavelength in YAG:Yb for Laser Cooling”
S. Yamamoto, O. Kojima, T. Kita
(The 12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials,Nara, July 8-13, 2018)

[294] “Effects of Modulation of Ultrafast Transient Carrier Dynamics by Interface on Terahertz Signal”
Y. Nakayama, K. Terada, Y. Harada, and T. Kita
(The 12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials,Nara, July 8-13, 2018)

[293] “Carrier Collection Efficiency of Intraband-Excited Carriers in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells” S. Asahi, K. Nishimura, T. Kaizu, and T. Kita
(The 7th edition of the World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Hawaii, June 10-15, 2018)

[292] “Multiple Stacking of Capping Temperature-Controlled InAs/GaAs Quantum Dots with AlGaAs Barrier Layers for Broadband Emission” T. Kaizu, T. Koike, and T. Kita
(Compound Semiconductor Week 2018, Cambridge, MA, USA, May 29-June 1, 2018)

[291] “Extraction Efficiency of Up-Converted Electrons in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells”
S. Asahi, K. Nishimura, T. Kaizu, and T. Kita
(International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, ICNN11-3, Yokohama, April 25-27, 2018)

[290] “One-Dimensional Electronic States in Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Different Growth Temperatures” T. Kaizu, K. Hirao, and T. Kita (International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, ICNN2-4, Yokohama, April 25-27, 2018)

[289] “Polarization Dependent Photocurrent in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells”
Y. Harada, J. Yamada, D. Watanabe, S. Asahi, and T. Kita
(International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, ICNN11-2, Yokohama, April 25-27, 2018)

[288] “Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cell: Propose and Demonstration” S. Asahi, and T. Kita
(SPIE Photonics West, San Francisco, 10527-1, January 27- February 1, 2018)(Invited Paper)

[287] “Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells” T. Kita, and S. Asahi (MTSA2017-OptoX Nano-TeraNano8, Okayama Convention Center, Iv-19, November 19-23, 2017) (Invited Talk)

[286] “Two-Step Photo-Excited Electrons with Extremely-Long Lifetime in Intermediate-Band Solar Cells Using Dot-in Well Structure” S. Asahi, H. Teranishi, T. Kaizu, and T. Kita
(The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Otsu, 6ThPo.184, November 12-17, 2017)

[285] “Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells Incorporating a Voltage Booster Hetero-Interface”
S. Asahi, K. Kusaki, Y. Harada, and T. Kita
(The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Otsu, 6ThO5.3, November 12-17, 2017)

[284] “Efficient Two-Step Photocurrent in Intermediate Band Solar Cells Using Highly Homogeneous InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice” K. Hirao, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, and T. Kita
(The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Otsu, 6ThO5.1, November 12-17, 2017)

[283] “Infrared Absorption Characteristics in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells”
K. Kusaki, S, Asahi, T. Kaizu, R. Tamaki, Y. Okada, and T. Kita
(The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Otsu, 6ThO5.4, November 12-17, 2017)

[282] “Laser-induced Hydrogen Production Using Porous Carbon” M. Enomoto, Y. Kawajiri, T. Kaizu, T. Uchino, Y. Ichihashi, K. Taniya, S. Nishiyama, M. Mizuhata, M. Sugiyama, M. Ueno, and T. Kita
(International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth -Material Research, Characterization and Imaging by In situ/Operando XAFS and X-ray Techniques-,
Tokyo, 2P-53, October 28-30, 2017)

[281] “One-Dimensional Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice” T. Kaizu, and T. Kita (International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth -Material Research, Characterization and Imaging by In situ/Operando XAFS and X-ray Techniques-,
Tokyo, 1P-49, October 28-30, 2017)

[280] “Photon Up-Converted Photocurrent in a Single Junction Solar Cell with a Hetero-Interface”
K. Kusaki, S. Asahi, T. Kaizu, and T. Kita (33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Netherlands, 1CV.3.89, September 25-29, 2017)

[279] “Extended Optical Response of Two-Step Photoexcitation in InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cells” K. Hirao, S. Asahi, T. Kaizu, and T. Kita (33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Netherlands, 1CV.3.88, September 25-29, 2017)

[278] “Increasing Photovoltage Boosted by Photon Up-Conversion in a Single-Junction Solar Cell with a Hetero-Interface” S. Asahi, K. Kusaki, T. Kaizu, and T. Kita (33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Netherlands, 1AO.3.2, September 25-29, 2017)

[277] “Carrier Dynamics in Photon Up-Conversion Solar Cells” T. Kita, and S. Asahi
(SemiconNano 2017: 6th International Workshop Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Como, September 25-28, 2017) (Invited Talk)

[276] “Stokes and Anti-Stokes Photoluminescence in Nitrogen δ-Doped Layer in GaAs”
Y. Harada, Y. Ogawa, T. Kaizu, and T. Kita
(29th International Conference on Defects in Semiconductors, Matsue, MoA2-1, July 31-August 4, 2017)

[275] “Increasing Current Generation by Photon Up-Conversion in a Single-Junction Solar Cell with a Hetero-Interface” S. Asahi, K. Kusaki, T. Kaizu, and T. Kita
(2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Washington D.C., June 25-30, 2017)

[274] “Broadband Control of Polarization Characteristics in Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots”
T. Kaizu, Y. Tajiri, and T. Kita (Compound Semiconductor Week 2017 , Berlin, B2.5, May 14-18, 2017)

[273] “Control of Carrier Dynamics and Efficient Two-Step Photon Up-Conversion in Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cells ”
T. Kita (2017 MRS Spring Meeting and Exhibit , Arizona, ES11.12.05, April 17-21, 2017)(Invited Talk)

[272] “Variation of Terahertz Wave Characteristics Due to Covering InAs Quantum Dots by Nitrogen Atoms” O. Kojima, R. Izumi, and T. Kita (Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2016 , Sapporo, October 10-13, 2016)

[271] “Photo-Emission of Cyanine Molecule Thin Films on Si Substrate Due to Inorganic-Organic Energy Transfer” Y. Ito, O. Kojima, T. Kita, and Y. G. Shim (Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2016 , Sapporo, 1P-016, October 10-13, 2016)

[270] “Carrier Dynamics in InAs Quantum Dot Solar Cell for Photon Ratchet” T. Kita (HEMP 2016: Hot Electrons and Solar Energy , London, September 15-16, 2016)(Invited Talk)

[269] “Control In-Ga Intermixing in InAs Quantum Dot on Nitrogen δ-Doped GaAs” T. Kaizu, and T. Kita (19th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy , Montpellier, Th-C7, September 4-9, 2016)

[268] “Spatial Electronic Structure of an Isovalent Nitrogen Center in GaAs” R. Plantenga, V. Kortan, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, M. Flatte, and P. Koenraad (33rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2016) , Beijing, July 31- August 5, 2016)

[267] “Polarization-Insensitive Intraband Transition in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices” Y. Harada, J. Yamada, D. Watanabe, S. Asahi, and T. Kita (UK Semiconductors 2016 , Sheffield, D-O-3, July 6-7, 2016)

[266] “Polarization Anisotropy of Electroluminescence and Net-Modal Gain in Highly Stacked InAs/GaAs Quantum-Dot Laser Devices” T. Kaizu, M. Suwa, T. Andachi, Y. Harada, and T. Kita (2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016) , Toyama, MoP-ISCS-036, June 26-30, 2016)

[265] “GaAs First-Spacer-Layer Thickness Dependence of Polarized Photoluminescence Properties of Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Long-Wavelength Emission” Y. Tajiri, T. Kaizu, and T. Kita (2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016) , Toyama, WeD2-2, June 26-30, 2016)

[264] “Two-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs” Y. Ogawa, Y. Harada, T. Kaizu, and T. Kita (2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016) , Toyama, MoP-ISCS-071, June 26-30, 2016)

[263] “Enhancement of Two-Step Photon Absorption Due to Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cell” S. Watanabe, S. Asahi, T. Kada, T. Kaizu, Y. Harada, and T. Kita (32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Munich, 1BV.6.1, June 20-24, 2016)

[262] “Extended Electron Lifetime in Intermediate-Band Solar Cells Using Dot-in-Well Structure” S. Asahi, H. Teranishi, S. Watanabe, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita (32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Munich, 1AO. 3. 2, June 20-24, 2016)

[261] “Time-Resolved Photoluminescence of Thermally-Annealed Nitrogen Atomic Sheet in GaAs” Y. Ogawa, Y. Harada, T. Kaizu, and T. Kita (17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Nara, TuP30, March 28-31, 2016)

[260] “Polarized Photoluminescence Properties of Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots with Long-Wavelength Emission” T. Kaizu, Y. Tajiri, and T. Kita (17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Nara, TuP28, March 28-31, 2016)

[259] “Extremely Long Carrier Lifetime Due to Electron-Hole Separation in Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cells” S. Asahi, H. Teranishi, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita (17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Nara, TuP29, March 28-31, 2016)

[258] “Effective Drift Mobility Approximation in Multiple Quantum-Well Solar Cells” Kasidit ToprasertpongTomoyuki InoueKentaroh WatanabeTakashi KitaMasakazu Sugiyama, and Yoshiaki Nakano (SPIE Photonics West, San Francisco, 9743-30, February 13-18, 2016 )

[257] “Decrease in Photoluminescence Decay Rate in InAs Quantum Dots Coupling with In Nanoparticles Due to Increase in Excitation Power” O. Kojima, T. Taji, T. Kita, C. Y. Jin, J. Yuan, and R. Nozel (2nd International Conference on Enhanced Spectroscopies, Messina, October 12-15, 2015)

[256] “NGCPV: a New Generation of Concentrator Photovoltaic Cells, Modules and Systems (a Final Review)” A. Datas, A. B. Cristobal, G. Sala, I. Anton Hernandez, J. C. Minano, P. Benitez, A. Marti Vega, A. Luque, A. W. Bett, G. Siefer, N. J. Ekins-Daukes, F. Roca, C. Cancro, I. Luque-Heredia, W. Warmuth, M. Baudrit, Y. Okada, M. Sugiyama, Y. Hishikawa, T. Takamoto, K. Araki, A. Fukuyama, K. Nishioka, H. Suzuki, N. Kuze, Y. Moriyasu, T. Kita, A. Kotagiri, N. Kojima, and M. Yamaguchi (EU PVSEC 2015, Hamburg, 4CP. 2. 1, September 14-18, 2015)

[255] “Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices for Photovoltaics” T. Kita (High-efficiency materials for photovoltaics, London, September 10-11, 2015)(Invited Talk)

[254] “Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs Grown by Nitorogen δ-Doping Technique” Y. Harada, T. Baba, Y. Ogawa, T. Kaizu, and T. Kita (5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Taiwan, September 6-11, 2015)(Invited Talk)

[253] “Growth and Characterization of InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices for Photovoltaics” T. Kita (5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Taiwan, September 6-11, 2015)(Invited Talk)

[252] “Relaxation of Parity Selection Rules in Colloidal PbS Quantum Dots Embedded in Polymer Films” M. Hirota, T. Shibakawa, Y. Harada, and T. Kita (21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Sendai, Tu-PM-7, July 26-31, 2015)

[251] “Enhancement of Two Dimensionality in Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs by Rapid Thermal Annealing” Y. Harada, Y. Ogawa, T. Baba, T. Kaizu, and T. Kita (21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Sendai, Tu-B3-4, July 26-31, 2015)

[250] “Excitation of Cyanine Dye Thin Film Via Energy Transfer from a Si Substrate” Y. Ito, O. Kojima, T. Kita, and Y. G. Shim (21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Sendai, Mo-PM-31, July 26-31, 2015)

[249] “Broadband Control of Emission Wavelength of InAs/GaAs Quantum Dots by Growth Temperature GaAs Capping Layer” T. Kaizu, T. Matsumura, and T. Kita (21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Sendai, Mo-PM-6, July 26-31, 2015)

[248] “Effects of Homogeneous and Inhomogeneous Broadenings of Excitons on Amplitude of Exciton Quantum Beats” O. Kojima, and T. Kita (21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Sendai, Tu-PM-15, July 26-31, 2015)

[247] “Two-Step Photocarrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cell” T. Kada, T. Tanibuchi, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, R. Tamaki, Y. Okada, and K. Miyano (42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 736, June 14-19, 2015)

[246] “Ultrafast Photocarrier Transport Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cell” T. Tanibuchi, T. Kada, N. Kasamatsu, T. Matsumura, S. Asahi, and T. Kita (42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 554, June 14-19, 2015)

[245] “Comparison of Electron and Hole Mobilities in Multiple Quantum Well Solar Cells Using a Time-of-Flight Technique” K. Toprasertpong, T. Tanibuchi, H. Fujii, T. Kada, S. Asahi, K. Watanabe, M. Sugiyama, T. Kita, and Y. Nakano (42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 297, June 14-19, 2015)

[244] “Saturable Two-Step Photocurrent Generation in Intermediate-Band Solar Cells Including InAs Quantum Dots Embedded in Al0.3Ga0.7As/GaAs Quantum Wells” S. Asahi, H. Teranishi, N. Kasamatsu, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita (42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 552, June 14-19, 2015)

[243] “Time-Resolved Photoluminescence of MBE-Grown LeV GaAsSbN for Multi-Junction Solar Cells” T. Thomas, N. Kasamatsu, K. H. Tan, S. Wicaksono, W. K. Loke, S. F. Yoon, A. Johnson, T. Kita, and N. E-Daukes (42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, 437, June 14-19, 2015)

[242] “Hot-Carrier Cooling Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices” Y. Harada, N. Kasamatsu, D. Watanabe, and T. Kita (11th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials, Montreal, May 18-22, 2015)

[241] “Suppression of Thermal Carrier Escape and Enhanced Two-Step Photon Absorption in Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cells with a High-Potential Barrier” S. Asahi, H. Teranishi, N. Kasamatsu, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita (SPIE Photonics West, San Francisco, 9358-32, February 7-12, 2015)

[240] “Hot Carrier Intermediate Band Solar Cell Using Low-Dimensioned Quantum Structures” D. Watanabe, N. Kasamatsu, T. Kada, S. Asahi, Y. Harada, and T. Kita (The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Kyoto, 1WePo.1.7, November 23-27, 2014)

[239] “Efficient Two-Step Photon Absorption in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells” T. Kada, S. Asahi, T. Kita, R. Tamaki, Y. Okada, and K. Miyano (The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Kyoto, 1WePo. 1. 3, November 23-27, 2014)

[238] “Suppression of Thermal Carrier Escape and Efficient Photo-Carrier Generation by Two-Step Photon Absorption in Intermediate-Band Solar Cells Using a Dot-in-Well Structure” S. Asahi, H. Teranishi, N. Kasamatsu, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita (The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Kyoto, 1WeO. 2. 1, November 23-27, 2014)(Extended Oral)

[237] “Modulation of Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs” T. Kaizu, and T. Kita (International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe, November 13-14, 2014)

[236] “Control of Electronic States Colloidal PbS Quantum Dots Embedded in Polymer Films” M. Hirota, T. Shibakawa, Y. Harada, and T. Kita (International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe, November 13-14, 2014)

[235] “Photoluminescence Decay Dynamics in Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAs” T. Baba, Y. Harada, T. Kaizu, and T. Kita (International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe, November 13-14, 2014)

[234] “Fabrication and Characterization Fabrication and Characterization of Cyanine Dye Thin Films Grown by a Layer-by -Layer Method” J. Nagauchi, O. Kojima, T. Kita, and Y. Shim (International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe, November 13-14, 2014)

[233] “Ultrafast Optical Switch Based on Quantum Beat Oscillation in GaAs/AlAs Multiple Quantum Well” O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane (International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe, November 13-14, 2014)(Invited Talk)

[232] “Two-Dimensional Electronic States of Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in Ga-As” Y. Harada (International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe, November 13-14, 2014)(Invited Talk)

[231] “Growth and Characterization of Stacked InAs/GaAs Quantum Dots for Photovoltaics” T. Kita (International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Kobe, November 13-14, 2014)(Invited Talk)

[230] “Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on Nitrogen δ-Doped GaAs” T. Kaizu, and T. Kita (Eleventh International Conference on Flow Dynamics, Sendai, CRF-74, October 8-10, 2014)

[229] “Carrier Dynamics and Two-Step Photon Absorption in InAs/GaAs Quantum Dot Intermediate Band Solar Cells” T. Kita (High-Efficiency Materials for Photovoltaics 2014, London, July 21-22, 2014)(Invited Talk)

[228] “Low-Power Pulse Modulation Based on Exciton Quantum Beat in a GaA/AlAs Multiple Quantum Well” O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane (UK Semiconductors 2014, Sheffield, A-P-7, July 9- 10, 2014 )

[227] “Carrier Time-of-Flight Measurement Using a Probe Structure for Direct Evaluation of Carrier Transport in Quantum Structure Solar Cells” K. Toprasertpong, N. Kasamatsu, H. Fujii, T. Kada, S. Asahi, Y. Wang, K. Watanabe, M. Suiyama, T. Kita, and Y. Nakano (40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Denver, Colorado, June 8-13, 2014)

[226] “Structural Modification of InAs Quantum Dots Grown on Nitrided GaAs (001) Surface” T. Kaizu, K. Taguchi, and T. Kita (8th International Conference on Quantum Dots, Pisa, Italy, May 11-16, 2014)

[225] “Intraband Carrier Dynamics in Self-Assembled Quantum Dots for Infrared Optical Devices” Y. Harada, T. Maeda, T. Kita (EMN Fall Meeting, Orland, Florida, USA, December 7-10, 2013) (Invited Talk)

[224] “Growth and Characterization of InAs/GaAs Quantum Dots for Optical Devices” T. Kita (Seminar in Sheffield University, Sheffield, November 28, 2013) (Invited Talk)

[223] “Fabrication of InAs Quantum Dots on Nitrided GaAs (001) Surface” T. Kaizu, and T. Kita (Tenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD2013), Sendai, CRF-51, November 25-27, 2013)

[222] “NGCPV: A New Generation of Concentrator Photovoltaic Cells, Modules and Systems” A. Datas, A. B. Cristobal, G. Sala, I. Anton, J. C. Minano, P. Benitez, A. W. Bett, G. Siefer, N. J. Ekins-Daukes, F. Roca, I. Luque-Heredia, W. Warmuth, J. Merten, Y. Okada, M. Sugiyama, Y. Hishikawa, T. Takamoto, K. Araki, A. Fukuyama, N. Kuze, T. Kita, A. Kotagiri, A. Marti, M. Yamaguchi, A. Luque (EU PVSEC 2013, Paris, 1CO. 13. 1, September 30-October4, 2013)

[221] “Gd Doping in AIN and Bright Ultraviolet Light Emission” T. Kita (NSF Workshop on US-Japan Frontiers in Novel Photonic-Magnetic Devices, Nara, September 20-23, 2013) (Invited Talk)

[220] “Electron Localization in GaAs:N Grown by Using δ-Doping Technique” Y. Harada, M. Yamamoto, T. Baba, and T. Kita (2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Kyoto, September 16-20, 2013)

[219] “Large Optical Spin-Splitting in the GdN Electronic States” R. Vidyasagar, T. Kita, T. Sakurai, and H. Ohta (2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Kyoto, 19p-M5-3, September 16-20, 2013)

[218] “Bright Ultraviolet Light Emitting Devices Using AlGdN” T. Kita, Y. Ishidu, K. Ichii, S. Kitayama, Y. Chigi, T. Nishimoto, H. Tanaka, M. Kobayashi, T. Ishihara, and H. Izumi (2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Kyoto, 19a-M5-8, September 16-20, 2013) (Invited Talk)

[217] “Effects of Built-in Electric Field on External Quantum Efficiency of InAs/GaAs Quantum Dot Interdimediate Band Solar Cell” T. Kada, A. Hasegawa, and T. Kita (2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Kyoto, 17p-M2-6, September 16-20, 2013)

[216] “Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots for Intermediate-Band Solar Cells” T. Kita (High-Efficiency Materials for Photovoltaics 2013, London, July 18, 2013) (Invited Talk)

[215] “Optical Characteristics of Quantum Dot Ensembles Grown by Using the Strain Compensation Technique” O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane (Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2013, 297, Jeju island, P297, June 24-28, 2013) (Invited Talk)

[214] “Radiative Recombination Properties in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells” N. Kasamatsu, A. Hasegawa, and T. Kita (The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, TuC2-4, May 19-23, 2013)

[213] “Polarization Controlled Emisson from Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots” M. Suwa, A. Takahashi, T. Ueda, Y. Bessho, Y. Harada, and T. Kita (The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, TuA3-3, May 19-23, 2013)

[212] “Energy Relaxation of Photoexcited Electrons in Direct Si-Doped InAs/GaAs Quantrum Dots” R. Hasegawa, Y. Harada, and T. Kita (The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, WeB1-2, May 19-23, 2013)

[211] “Effect of State Filling on Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots” Y. Harada, T. Maeda, and T. Kita (The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, TuC2-3, May 19-23, 2013)

[210] “Anisotropic Intraband Relaxation in a Multistacked Quantum Dot Ensemble” O. Kojima, H. Tanaka, and T. Kita (The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, MoPC-0401, May 19-23, 2013)

[209] “Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots Studied by Two-Color Excitation Spectroscopy” Y. Harada, T. Maeda, and T. Kita ( SPIE Photonics West 2013, 8620-7, San Francisco, February 3, 2013 )

[208] “InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices and Optical Responses” T. Kita (4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells, 8th Seminar on Quantum Nanostructure Materials, Kobe, December 5, 2012) (Invited Talk)

[207] “Control of Electronic Structure of GaAs Using Nitrogen δ-Doping Technique” M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, and T. Kita (The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2012), Nara, WeB-2-7, September 23-28, 2012)

[206] “Effects of Excess Electrons on Recombination Lifetime in Directly Si-Doped InAs/GaAs Quantum Dots” R. Hasegawa, T. Inoue, Y. Harada, O. Kojima, and T. Kita (The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2012), Nara, TuA-3-8, September 23-28, 2012)

[205] “Miniband Formation in Closely-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots” A. Tahahashi, Y. Ikeuchi, T. Ueda, Y. Harada, and T. Kita (The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2012), Nara, TuA-3-4, September 23-28, 2012)

[204] “Control of Stacking Direction of InAs/GaAs Quantum Dots” Y. Bessho, Y. Harada, T. Kita, E. Taguchi, and H. Yasuda (The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2012), Nara, TuP-32, September 23-28, 2012)

[203] “Carrier Dynamics of Electrons in Intermediate States of InAs/GaAs Quantum Dots” T. Kita (High-Efficiency Materials for Photovoltaics 2012, London, September 18, 2012) (Invited Talk)

[202] “Evaluation of Minority and Majority Spin Band Energies of Ferromagnetic GdN Thin Films Using Optical Absorption Spectroscopy” R. Vidya Sagar, S. Kitayama, H. Yoshitomi, T. Kita, T. Sakurai, and H. Ohta (31st International Conference on the Physics of Semiconductors, Zurich, 36. 44, 236, July 29-August 3, 2012)

[201] “Determination of Magnetic Anisotropies in GdN Thin Film by Ferromagnetic Resonance” Fatma. Elmasry, Wei-Min. Zhang, H. Ohta, Y. Fukuoka, S. Okubo, M. Fujisawa, H. Yoshitomi, S. Kitayama, T. Kita, O. Wada, and T. Sakurai (31st International Conference on the Physics of Semiconductors, 36. 51, 243, Zurich, July 29-August 3, 2012)

[200] “Delocalization of Exciton States in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices” Y. Ikeuchi, A. Takahashi, and T. Kita (31st International Conference on the Physics of Semiconductors, 68. 16, 317, Zurich, July 29-August 3, 2012)

[199] “Physical Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Films Deposited Under Various Sputtering Pressure” S. Yasuno, T. Kita, S. Morita, A. Hino, K. Hayashi, and T. Kugimiya (The Nineteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, Kyoto, July4-6, 2012)

[198] “Intraband Optical Response in InAs/GaAs Quantum Dots” T. Maeda, Y. Harada, and T. Kita (The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, P052, Groningen, July 1-6, 2012)

[197] “Tuning Optical and Ferromagnetic Properties of GdN Thin Films by Nitrogen-Vacancy Centers” R. Vidya Sagar, S. Kitayama, H. Yoshitomi, T. Kita, T. Sakurai, and H. Ohta (The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, P053, Groningen, July 1-6, 2012)

[196] “Strong Electron-Hole Correlation in Bound Exciton in Nitrogen δ-Doped GaAs” Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita (The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, P028, Groningen, July 1-6, 2012)

[195] “Excitation Effects of Confined Exciton Polariton on Pulse Shape Propagating in GaAs Thin Films” O. Kojima, S. Ohta, T. Kita, and T. Isu (The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, Groningen, July 1-6, 2012)

[194] “Carrier Dynamics in Intermediate States of InAs/GaAs Quantum Dots Embedded in Photonic Cavity Structure” T. Kita, T. Maeda, and Y. Harada (38th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Texas, Austin, June 3-8, 2012) (Extended Oral)

[193] “Extremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs” Y. Harada, and T. Kita (International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 1C1-2, Nara, June 3-7, 2012) (Invited Talk)

[192] “High-Resolution Optical Coherence Tomography Using Broadband Light Sources with Strain-Controlled InAs/GaAs Quantum Dots” I. Tsubaki, and T. Kita (International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 3P-55, Nara, June 3-7, 2012)

[191] “Carrier Dynamics in Multiple Stacked Quantum Dots Under Spacer Layer Excitation Conditions” J. Tasaki, O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane (International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 1P-24, Nara, June 3-7, 2012)

[190] “Analysis of Spin Splitting in Ferromagnetic GdN Epitaxial Thin Films” R. Vidya Sagar, S. Kitayama, H. Yoshitomi, and T. Kita (2012 MRS Spring Meeting and Exhibit, SanFrancisco, April 9-13, 2012)

[189] “Effects of Argon Plasma Irradiation on Amorphous In-Ga-Zu-Ofilm Evaluated by Microwave Photoconductivity Decay Method” S. Yasuno, T. Kita, S. Morita, K. Hayashi, T. Kugimiya, and S. Sumie (The 18th International Display Workshops, AMDp - 9, Nagoya, December 7-9, 2011)

[188] “Effect of Spacer Layer Thickness on Optical Properties of Multi-Stacked InGaAs Quantum Dot Grown on GaAs (311) B Substrate” Y. Shoji, K. Narahara, H. Tanaka, T. Kita, K. Akimoto, and Y. Okada (21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference PVSECPVSEC-21, Fukuoka, November 28‐December 2, 2011)

[187] “Effects of Absorption Balance in Intermediate Band Quantum Dots Solar Cells” A. Hasegawa, W. Hu, and T. Kita (21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference PVSEC-21, Fukuoka, November 28‐December 2, 2011)

[186] “Suppression of Nonradiative Recombination Process in Directly Si-Doped InAs Quantum Dots” R. Hasegawa, T. Inoue, T. Tanaka, Y. Harada, O. Kojima, and T. Kita (21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference PVSEC-21, Fukuoka, November 28‐December 2, 2011)

[185] “Optical Properties of Quantum Dot Superlattices” T. Kita, O. Wada, and Y. Harada (Eighth International Conference on Flow Dynamics, CRF-39, Miyagi, November 9-11, 2011)

[184] “Correlation Between Local Atomic Structure and Ultra Violet Luminescence of AlGdN Thin Films” K. Ichii, S. Kitayama, S. Iwahashi, J. Nakamura, R. Vidya Sagar, T. Kita, Y. Chigi, T. Nishimoto, H. Tanaka, M. Kobayashi, T. Ishihara, and H. Izumi (15th International Conference on Thin Films, Kyoto, November 8‐11, 2011)

[183] “Magneto-Optical Effect in GaN Epitaxial Thin Films” R. Vidya Sagar, H. Yoshitomi, S. Kitayama, T. Kita, H. Ohta, and T. Sakurai (15th International Conference on Thin Films, Kyoto, November 8‐11, 2011)

[182] “Effect of Capping Layer Growth on Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs” Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita (2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Aichi, September 28‐30, 2011)

[181] “Interaction of Quantized Exciton Polaritons with Nonresonant Pump Pulse in GaAs Thin Films” S. Ohta, O. Kojima, T. Kita, and T. Isu (12th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems, Paris, September 12‐16, 2011)

[180] “Photoluminescence Dynamics of Spacer Layer Carriers in Multi Stacked Quantum Dots” O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane (12th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems, Paris, September 12‐16, 2011)

[179] “Photoluminescence Polarization Anisotropy in Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots” T. Kita, T. Inoue, and Y. Harada (International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Traunkirchen, September 11‐16, 2011)

[178] “Carrier Dynamics in Quantum Dot Superlattices” T. Kita (High-Efficiency Materials for Photovoltaics 2011, London, August 11, 2011) (Invited Talk)

[177] “Two-Photons Transition in Intermediate Band Solar Cells” W. G. Hu, Y. Harada, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita (37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Seattle, June 19-24, 2011)

[176] “Optical Phase Shifter Using Quantum Dots in a Vertical Cavity” C. Y. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and M. Hopkinson (23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Germany, May 22-26, 2011)

[175] “Diamagnetic Shift of Exciton Bound to the Nitrogen Pairs in GaAs” Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita (38th International Symposium on Compound Semiconductors, Tu-1B.4, Germany, May 22-26, 2011)

[174] “Ultraviolet Light Emitting Devices Using AlGdN” T. Kita (2011MRS Spring Meeting and Exhibit, SanFrancisco, April 25-29, 2011) (Invited Talk)

[173] “Near-Field Photoluminescence Spectroscopy of CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Tilted Superlattices” Y. Harada, T. Kita, K. Matsuda, Y. Kanemitsu, and H. Mariette (38th International Symposium on Compound Semiconductors, Germany, May 22-26, 2011)

[172] “Theoretical Analysis the Intermediate-Band Configuration in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell” W. G. Hu, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita ( Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2010, Kobe, December 2-3, 2010)

[171] “Biexcitonic Contribution to Optical Response of Excitons in GaAs/AlAs Superlattices” T. Yamashita, O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane ( Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2010, Kobe, December 2-3, 2010)

[170] “Improvement of Optical Properties in Si-Doped InAs/GaAs Quantum Dots” T. Inoue, and T. Kita (Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2010, Kobe, December 2-3, 2010)

[169] “Multi-Stacked InAs/GaNAs Quantum Dots with Direct Si Doping for Use in Intermediate Band Solar Cell” T. Morioka, R. Oshima, Y. Syoji, T. Inoue, T. Kita, and Y. Okada (Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2010, Kobe, December 2-3, 2010)

[168] “Effect of Spectral Width of Probe Pulses on Response of Excitons Confined in GaAs Thin Films” S. Ohta, O. Kojima, T. Kita, and T. Isu ( Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2010, Kobe, December 2-3, 2010)

[167] “Closely Stacked QD Growth and Novel Optical Properties” M. Asada, T. Inoue, T. Kita (Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2010, Kobe, December 2-3, 2010)

[166] “Band-Edge Structure Induced by Ferromagnetic Spin Ordering in GdN Thin Films” H. Yoshitomo, S. Kitayama, T. Kita, M. Fujisawa, and H. Ohta (6th International Workshop on Nano-Scale Spectroscopy & Nanotechnology, Kobe, October 25-29, 2010)

[165] “Ultra-Violet Field-Emission Light Sources Using Carbon Nanofiber Nancomposites” N. Kishi, S. Kitayama, T. Kita, A. Magario, T. Noguchi, Y. Chigi, T. Nishimoto, H. Tanaka, and M. Kobayashi (6th International Workshop on Nano-Scale Spectroscopy & Nanotechnology, Kobe, October 25-29, 2010)

[164] “Influence of the Local Atomic Structure in AlGdN on Deep Ultra-Violet Luminescence” S. Kitayama, H. Yoshitomi, S. Iwahashi, J. Nakamura, T. Kita, Y. Chigi, T. Nishimoto, H. Tanaka, M. Kobayashi, T. Ishihara, and H. Izumi (6th International Workshop on Nano-Scale Spectroscopy & Nanotechnology, Kobe, October 25-29, 2010)

[163] “In-Plane Polarization Anisotropy in Vertically Stacked InAs Quantum Dots” Y. Ikeuchi, M. Asada, T. Inoue, Y. Harada, O. Kojima, and T. Kita (6th International Workshop on Nano-Scale Spectroscopy & Nanotechnology, Kobe, October 25-29, 2010)

[162] “Field-Emission Properties of Carbon Nanofiber Nancomposite in Side-Electron Emission Configuration” N. Kishi, T. Kita, A. Magario, and T. Noguchi (2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, September 22-24, 2010)

[161] “A Tunnel Injection Structure for Speeding up Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quan-Tum Dots Using a GaNAs Quantum-Well Injector” C. Y. Jin, S. Ohta, M. Hopkinson, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, D-5-3, Tokyo, September 22-24, 2010)

[160] “Ferromagnetic State of GdN Thin Film Studied by Ferrimagnetic Resonance” H. Ohta, M. Fujisawa, F. Elmasry, S. Okubo, H. Yoshitomi, S. Kitayama, T. Kita, and O. Wada (30th International Conference on the Physics of Semiconductors, P2-240, Seoul, Korea, July 25-30, 2010)

[159] “Magneto-Photoluminescence Spectroscopy of Exciton Fine Structure in Nitrogen δ-Doped GaAs” Y. Harada, Y. Horiuchi, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (30th International Conference on the Physics of Semiconductors, P2-056, Seoul, Korea, July 25-30, 2010)

[158] “Intraband Rlaxation Process in Highly Stacked Quantum Dots” O. Kojima, M. Mamizuka, T. Kita, O. Wada, and K. Akahane (The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials, Brisbane, Australia, 2P02, July 11-16, 2010)

[157] “Excitation Power Dependence of Nonlinear Optical Response of Excitons in GaAs/AIAs Superlattices” T. Yamashita, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and K. Akahane (The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials, Brisbane, Australia, 2P03, July 11-16, 2010)

[156] “Bound Biexciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs” Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials, Brisbane, Australia, 13P01, July 11-16, 2010)

[155] “Energy Band Structure and Absorption Coefficients in the Quantum-Dots Intermediate Band Solar Cell” W. G. Hu , T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita (35th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Waikiki, Hawaii, pp. 1808‐1813, June 20-25, 2010)

[154] “Multi-Stacked InAs/GaNAs Quantum Dots with Direct Si Doping for Use in Intermediate Band Solar Cell” T. Morioka, R. Oshima, A. Takata, Y. Shoji, T. Inoue, T. Kita, and Y. Okada (35th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Waikiki, Hawaii, pp.1834-1837, June 20-25, 2010)

[153] “Intraband Relaxation of Photoexcited Carriers in Multiple Stacked Quantum Dots and Quantum Dot Chains” O. Kojima, M. Mamizuka, T. Kita, and O. Wada (35th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Waikiki, Hawaii, pp. 1823-1826, June 20-25, 2010)

[152] “Control of Polarization Properties of Electroluminescence from Vertically-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots for 1.3 μm-Band Semiconductor Optical Amplifiers” T. Inoue, M. Asada, N. Yasuoka, T. Kita, and O. Wada (The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Kagawa, FrP44, June 4 , 2010)

[151] “Propagation Velocity of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films” O. Kojima, S. Watanabe, T. Kita, O. Wada, and T. Isu (The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Kagawa, FrE1-4, June 4, 2010)

[150] “Interaction Between Conduction-Band Edge and Nitrogen-Related Localized Levels in Nitrogen-δ-Doped GaAs” Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Kagawa, FrE1-2, June 4, 2010)

[149] “Energy Band Structure and Half-Filled Condition in the Quantum-Dots Intermediate Band Solar Cells” W. G. Hu , T. Inoue, T. Kita, O. Kojima, and O. Wada (The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Kagawa, WeC3-6, June 2, 2010)

[148] “Optical and Ferromagnetic Properties of GdN Thin Films” H. Yoshitomi, S. Kitayama, T. Kita, O. Wada, M. Fujisawa, H. Ohta, and T. Sakurai (The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Kagawa, TuD3-5, June 1, 2010)

[147] “Broadband Light Source Using InAs Quantum Dots With InGaAs Strain-Reducing Layers” M. Tsuda, T. Inoue, T. Kita, and O. Wada (The 37 th International Symposium on Compound Semiconductors, Kagawa, TuC3-6, June 1, 2010)

[146] “All-Optical Switch Using InAs Quantum Dots in a Vertical Cavity” C. Y. Jin, O. Kojima, T. Inoue, S. Ohta, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, and K. Akahane (22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kagawa, WeP22, May 31-June 4, 2010)

[145] “Emission Properties of Excitons Strongly Localized to Nitrogen Pairs in GaAs” Y. Harada, and T. Kita (The International Conference Nanophotonics 2010, IN-06, Tsukuba, May 30, 2010) (Invited Talk)

[144] “Direct Impurity Doping into InAs Quantum Dots by Utilizing Self-Assembling Growth Steps” K. Sasayama, T. Inoue, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (Quantum Dot 2010, Nottingham, April 30, 2010)

[143] “Vertical Stacking of InAs Quantum Dot for Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifiers” T. Inoue, M. Asada, N. Yasuoka, T. Kita, and O. Wada (Quantum Dot 2010, Nottingham, April 30, 2010)

[142] “Vertical-Geometry All-Optical Switches Based on InAs/GaAs Quantum Dots in a Cavity” C. Y. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, and K. Akahane (SPIE Photonics West, 7610-24, San Francisco, January 23-28, 2010)

[141] “Vertically-Stacked InAs Quantum Dots for Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifiers” T. Inoue, M. Asada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (SPIE Photonics West, 7597-57, San Francisco, January 23-28, 2010)

[140] “Exciton Fine Structures of Ordered Nitrogen Pairs in GaAs Fabricated by Using Reconstructed Surface” T. Kita (Abst. Symposium on Surface and Nano Science 2010, E-2, Shizukuishi, January 15-18, 2010) (Invited Talk)

[139] “Energy Band Structure for Intermediate Band Solar Cells” W. Hu, T. Kita, O. Kojima and O. Wada (Abstr. Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009, Kobe, December 1-2, 2009)

[138] “Vertical-Stacking of InAs Quantum Dots for Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifiers” T. Inoue, M. Asada, T. Kita, and O. Wada (Abstr. Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009, Kobe, December 1-2, 2009)

[137] “Direct Impurity Doping into Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots” K. Sasayama, T. Inoue, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (Abstr. Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009, Kobe, December 1-2, 2009)

[136] “Effects of In-Plain Exciton Transfer on Intraband Relaxation Process in Stacked InAs Quantum Dots” M. Mamizuka, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and K. Akahane (Abstr. Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009, Kobe, December 1-2, 2009)

[135] “Effective Dipole Moments of Excitons in GaAs Thin Films” T. Yamashita, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and T. Isu (Abstr. Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009, Kobe, December 1-2, 2009)

[134] “Temperature Dependent Carrier Tunneling in Self-Assembled InGaAs Quantum Dots with a Dilute Nitride Quantum-Well Injector” S. Ohta, C. Y. Jin, M. Hopkinson, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (Abstr. Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009, Kobe, December 1-2, 2009)

[133] “Optical Nonlinearity of InAs Quantum Dots within a Vertical Cavity Structure for All-Optical Switching Devices” C. Y. Jin, O. Kojima, T. Inoue, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, and K. Akahane (Abstr. Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009, Kobe, December 1-2, 2009)

[132] “Thermal Effects on Exciton Dynamics in Quantum Dot Chains” O. Kojima, H. Nakatani, T. Kita, O. Wada, and K. Akahane (International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics, Tokyo, Nobember 18‐20, 2009)

[131] “Narrowband Ultraviolet Light Emitting Devices Using Rare-Earth Ions” T. Kita (International Symposium for Phosphor Materials 2009 (Phosphor Safari ), Niigata, Nobember 4-6, 2009) (Invited Talk)

[130] “Quantum Dots in a Vertical Cavity for All‐Optical Switching Devices” C. Y. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, and K. Akahane (2009 International conference on solid State Devices and Materials, I-6-4, Miyagi, October7‐9, 2009)

[129] “Enhancement of Optical Nonlinearlity by Spatially Expanded Excitons in GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells” O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and K. Akahane (Abstr. 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, Montpellier, August 24-28, 2009)

[128] “Exciton Polarization Splitting of Nitrogen Pairs in GaAs” T. Kita (Abstr. SemiconNano2009, O-15, Anan, August 9-14 2009) (Invited Talk)

[127] “Polarization Controlled Emission from Electronically Coupled Stacked InAs Quantum Dots” T. Inoue, N. Yasuoka, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (Abstr. 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Kobe, July 19-24, 2009)

[126] “All-Optical Switching Using InAs/GaAs Quantum Dots within a Vertical Cavity Structure” C. Y. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, and K. Akahane (Abstr. 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Kobe, July 19-24, 2009)

[125] “Resonant Enhancement of Excitonic Photoluminescence via Biexciton Process in Stacked InAs Quantum Dots” M. Mamizuka, O. Kojima, T. Kita, O. Wada and K. Akahane (Abstr. 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Kobe, July 19-24, 2009)

[124] “Magnetic-Field Control of Exciton Fine Structure Splitting in Nitrogen Delta-Doped GaAs” Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (Abstr. 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Kobe, July 19-24, 2009)

[123] “Spatial Coherence Effect on Transient Response of Confined Excitons in GaAs Thin Films” O. Kojima, S. Watanebe, T. Kita, O. Wada and T. Isu (Abstr. 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Kobe, July 19-24, 2009)

[122] “Field Emission Characteristics of Carbon Nanofiber Nanocomposites” T. Kita, N. Kishi, Y. Tanaka, M. Kawamura, O. Wada, H. Yanagi, A. Magario, and T. Noguchi (Abstr. Internationa Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics, Matsushima, June 9-12, 2009)

[121] “Quantum Dots in a Vertical Cavity for All-Optical Switching Devices” C. Y. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, and K. Akahane (Proc. 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Newport Beach, May 10-14, 2009)

[120] “Control of Exciton Fine Structure of Nitrogen Nanospace in GaAs” T. Kita and Y. Harada (Abstr. 15th International Symposium on Intercalation Compounds, Beijing, May 10-14, 2009)

[119] “Narrowband Ultraviolet Field-Emission Device Using Gd-Doped AlN” T. Kita, S. Kitayama, M. Kawamura, O. Wada, Y. Chigi, Y. Kasai, T. Nishimoto, H. Tanaka, and M. Kobayash (Abstr. The IUMRS International Conference in Asia 2008, Nagoya, December 9-13, 2008) (Invited Talk)

[118] “Side Electron Emission Device Using A Composite of Carbon Nanofibers and Aluminum” H. Tanaka, H. Nakamura, H. Yanagi, T. Kita, K. Yokoyama, A. Magario, and T. Noguchi (Abstr. 8th International Conference on Nano-Molecular Electronics 2008, Kobe, December 16-18, 2008) ICNME2008 Outstanding Poster Presentation Award

[117] “Selective Impurity Doping into InAs Quantum Dots by Controlling the Self-Assembled Process” S. Kido, T. Inoue, T. Kita, and O. Wada (Abstr. 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Vancouver, Aug. 3-8, 2008)

[116] “Influence of Indium Segregation on Optical Properties in InAs/GaAs Quantum Dots” T. Inoue, H. Mizuno, M. Mamizuka, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (Abstr. 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Vancouver, Aug. 3-8, 2008)

[115] “Exciton Response Controlled by Introducing a Spacer Layer in Nitrided InAs Quantum Dots” M. Mamizuka, O. Kojima, T. Inoue, T. Kita, and O. Wada, (Abstr. Third International Conference on Optical, Optoelectronic Materials and Applications, Edmonton, July 20-25, 2008)

[114] “Transient Response in Negative Time Delay Due to Pulse Propagation in GaAs Thin Films” S. Watanabe, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and M. Tsuchiya (Abstr. Third International Conference on Optical, Optoelectronic Materials and Applications, Edmonton, July 20-25, 2008)

[113] “Lengthening of Exciton Lifetime Owing to Expansion of Electron Envelope Functions in Stacked Quantum Dots” O. Kojima, H. Nakatani, T. Kita, O. Wada, K. Akahane, and M. Tsuchiya (Abstr. Third International Conference on Optical, Optoelectronic Materials and Applications, Edmonton, July 20-25, 2008) Best Poster Award

[112] “Anisotropic Linear Polarization Luminescence in CdTe/CdMnTe Quantum Wires” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, H. Ando, and H. Mariette (Abstr. The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condenced Matter, Lyon, July 7-11, 2008) (Keynote Lecture)

[111] “Fine Structure of Bound Excitons in Nitrogen-doped GaAs” T. Kita, Y. Harada, and O. Wada (Abstr. The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condenced Matter, Lyon, July 7-11, 2008)

[110] “Bright Flexible Field Emission Display Device Using Carbon Nanofiber Nanosomposites” M. Kawamura, T. Kita, O. Wada, H. Nakamura, H. Yanagi, A. Magario, and T. Noguchi (Abstr. Carbon 2008, 16P-I-88, Nagano, July 13-18, 2008)

[109] “Near-Field Photoluminescence of Exciton Magnetic Polarons in CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Quantum Wires” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, K. Matsuda, Y. Kanemitsu, H. Ando, and H. Mariette (Abstr. 8th International Conference on Excitonic Process in Condensed Matter, Kyoto, June 22-27, 2008)

[108] “Optical Control of Residual Excitons for Ultrafast Nonlinear Response in GaAs Thin Films” O. Kojima, A. Miyagawa, T. Kita, O. Wada, and T. Isu (Abstr. 8th International Conference on Excitonic Process in Condensed Matter, Kyoto, June 22-27, 2008)

[107] “Exciton Fine Structure of Nitrogen Isoelectronic Center” Y. Harada, T. Kita, and O. Wada (Proc. 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Paris, May 26-29, 2008)

[106] “Optical Cancellation of Exciton Population in GaAs Thin Films” O. Kojima, A. Miygawa, T. Kita, O. Wada, and T. Isu (Abstr. 3rd International Laser, Light-Wave and Microwave Conference 2008, Yokohama, April 23-25, 2008)

[105] “Tailor-Made Optical Properties of InAs Quantum Dots by Controlling Indium Segregation” T. Inoue, H. Mizuno, M. Mamizuka, O. Kojima, T. Kita and O. Wada (Abstr. International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Tokyo, April 7-11, 2008)

[104] “A Specimen Preparation Technique for 3D Charactreization of Nano Materials at Specific-Site Using FIB-STEM/TEM System” T. Yaguchi, M. Konno, T. Kamino, K. Nakamura, J. Azuma, T. Kita, and T. Inoue (MRS Fall Meeting, Boston, MA, November 26-30, 2007)

[103] “3D Characterization of A Single InAs Quantm Dot” M. Konno, T. Yaguchi, T. Kamino, K. Nakamura, J. Azuma, T. Kita, and T. Inoue (6th Internaltiona Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices, Kanazawa, October 28- November 2, 2007)

[102] “Three-Dimensional Structure of A Single InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Observed by Electron Tomography” T. Inoue, T. Kita, O. Wada, M. Konno, T. Yaguchi, and T. Kamino (34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, October 15-18, 2007)

[101] “Exciton Fine Sructure of Isoelectronic Centers in Nitrogen Doped GaAs” T. Kita, Y. Harada, T. Inoue, and O. Wada (34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, October 15-18, 2007)

[100] “Anisotropic Zeeman Effect in CdTe/CdMnTe Quantum Wires” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, H. Ando, and H. Mariette (34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, October 15-18, 2007)

[099] “Control of Optical Polarization in Quantum Dots” T. Kita (2007 Japan-Germany Nanophotonics Seminar, Yonago, September 24-28, 2007) (Invited Talk)

[098] “Anisotropic Magnetic-Field Evolution of Radiative Recombination Lifetime in CdTe/CdMnTe Quantum Wires” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, H. Ando, and H. Mariette (The 13th International Conference on II-VI Compounds, Jeju, September 10-14, 2007)

[097] “Photoluminescence Dynamics of Coupled Quantum Dots” H. Nakatani, T. Kita, O. Kojima, O. Wada, K. Akahane, and M. Tsuchiya (16th International Conference on Dynamical Process in Excited States of Solids, Segovia, June 17-22, 2007)

[096] “Multidirectional Transmission Electron Microscope Observation of a Single InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot” T. Inoue, T. Kita, O. Wada, M. Konno, T. Yaguchi, and T. Kamino (Proc. 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Matsue, pp. 579-581, May 14-18, 2007)

[095] “Real Time Probing of Self-Assembling Process Steps in InAs/GaAs Quantum Dot Growth” T. Kudo, T. Inoue, T. Kita and O. Wada (Proc. 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Matsue, pp. 303-306, May 14-18, 2007)

[094] “Control of Optical Emission from Coupled Excitonic States in Quantum Dot Superlattice Structures” H. Nakatani, T. Kita, O. Kojima, O. Wada, K. Akahane, and M. Tsuchiya (Proc. 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Matsue, pp. 197-199, May 14-18, 2007)

[093] “Bright Electron Emission from Si-doped AlN Thin Films” A. Kishimoto, Y. Inou, T. Kita, and O. Wada (Abstr. International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, October 22-27, 2006)

[092] “High-Resolutioon Transimission Electron Microscope Study on Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots” T. Inoue, K. Matsushita, T. Kita, O. Wada, H. Mori, and H. Yasuda (Abstr. The 16th International Microscopy Congress, Sapporo, September 3-8, 2006)

[091] “Atomically Controlled Doping of Nitrogen on GaAs(001) Surfaces” N. Shimizu, T. Inoue, T. Kita, and O. Wada (Abstr. The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Tokyo, September 3-8, 2006)

[090] “Emission-Wavelength Extension of Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots with Different Sizes” H. Mizuno, T. Inoue, M. Kikuno, T. Kita, and O. Wada (Abstr. The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Tokyo, September 3-8, 2006)

[089] “Confined Electronic Structures of Nitrogen Isoelectronic Centers in GaAs Grown by Atomically Controlled Doping Technique” T. Kita and O. Wada (Proc. 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, pp. 249-250, July 24-28, 2006)

[088] “Anisotropic Magnetic-Field Evolution of Valence-Band States in One-Dimensional Diluted Magnetic Semiconductors” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, and H. Ando (Proc. 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Vienna, pp. 1245-1246, July 24-28, 2006)
DOI:10.1016/j.jlumin.2009.02.028

[087] “Excitonic State and Magnetic Effects in CdTe/Cd(Mg,Mn)Te QWRs” T. Kita (Abstr. 7th International Conference on Excitonic Process in Condensed Matter, Winston-Salem, June 26-30, 2006) (Keynote Lecture)

[086] “Magnetic-Field Sensitive Polarization Anisotropy in One-Dimensional Diluted Magnetic Semiconductors” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, and H. Ando (CLEO/QELS, Long Beach, May 21-26, 2006)

[085] “Emission-Wavelength Extension of InAs/GaAs Quantum Dots by Controlling Lattice-Mismatched Strain” T. Inoue, K. Matsushita, M. Kikuno, T. Kita, and O. Wada (Proc. 18th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Princeton, pp. 201-203, May 7-11, 2006)

[084] “Polarization Insensitive Optical Gain of Columnar Quantum Dots” T. Kita, N. Tamnura, O. Wada, M. Sugawara, Y. Nakata, H. Ebe, and Y. Arakawa (4th International Conference on Semiconductor Quantum Dots 2006, Chamonix, May 1-5, 2006)

[083] “Valence-Band Mixing Induced by sp-d Exchange Interaction in CdMnTe Quantum Wirs” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, H. Mariette, and H. Ando (Abstr. International Symposium on Compound Semiconductors 2005, Rust, September 18-20, 2005)

[082] “Long-Wavelength Emission from Strain Controlled InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots” T. Inoue, K. Matsushita, M. Kikuno, T. Kita, O. Wada, H. Mori, T. Sakata, and H. Yasuda (Extended Abstr. 2005 International Conference on Solid State Device and Materials, Kobe, pp. 100-101, September 13-15, 2005)

[081] “Bound-Exciton Luminescence from Nitrogen Doped GaAs Grown by Site-Controlled Doping Technique” T. Kita and O. Wada, (Proc. International Conference on Quantum Electronics 2005 and the Pacific Rim Conference on Laser and Electro-Optics 2005, Tokyo, July 11-15, 2005) (Invited Talk)

[080] “Valence-Band Mixing in CdTe/CdMnTe Nano-Wire Structures in Magnetic Field” Y. Harada, R. Naganuma, T. Kita, O. Wada, H. Mariette, and H. Ando (Proc. International Conference on Quantum Electronics 2005 and the Pacific Rim Conference on Laser and Electro-Optics 2005, Tokyo, July 11-15, 2005)

[079] “InGaAs Capping Layer Caused Modification to the Optical Properties of InAs Quantum Dot” Y. C. Zhang, T. Kita, O. Wada, Y. Nakata, H. Ebe, M. Sugawara, and Y. Arakawa (Extended Abstr. International Conference on Materials for Advanced Technologies 2005, Singapore, July 3-8, 2005)

[078] “Mechanism of Emission-Wavelength Extension in Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots” K. Matsushita, I. Inoue, X. Z. Shang, T. Mori, H. Seki, T. Kita, O. Wada, H. Mori, T. Sakata, and H. Yasuda (Proc. 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Glasgow, May 8-12, 2005)

[077] “Wavelength Control of Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots in Fiber-Optic Comunication Region” M. Kikuno, T. Mori, H. Seki, K. Matsushita, T. Kita, and O. Wada (Proc. 17th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Glasgow, May 8-12, 2005)

[076] “Emission-Wavelength Extension in Nitrided InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots” T. Kita, K. Matsushita, M. Kikuno, T. Inoue, T. Mori, H. Seki, O. Wada, H. Mori, T. Sakata, and H. Yasuda (Extended Abstr. International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystal 2005, Tokyo, P4, March 7-8, 2005)

[075] “Thermal Carrier Activation Process in InGaAs Capped InAs Quantum Dots” Y .C. Zhang, T. Kita, O. Wada, Y. Nakata, H. Ebe, M. Sugawara, and Y. Arakawa (Extended Abstr. International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystal 2005, Tokyo, P22, March 7-8, 2005)

[074] “Optical Polarization Properties of InAs/GaAs Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier” P. Jayavel, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, M. Sugawara, Y. Nakata , T. Akiyama,J. Tatebayashi, and Y. Arakawa (Extended Abstr. 2004 International Conference on Solid State Device and Materials, Tokyo, P7-3, September 15-17, 2004)

[073] “Anisotropic Exchange Interaction Caused by Hole-Spin Reorientation in (CdTe)0.5(Cd0.75Mn0.25Te)0.5 Tilted Superlattices Grown on CdMgTe(001) Visinal Surface” T. Kita, S. Nagahara, R. Naganuma, Y. Harada, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. 14th International Conference on Crystal Growth, Grenoble, T02-1-4, August 9-13, 2004)

[072] “Ultrafast Anisotropic Processes of Exciton Magnetic Polarons in CdTe/CdMnTe Quantum Wires” R. Naganuma, T. Kita, S. Nagahara, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Proc. The 2004 International Conference on Ultrafast Phenomena, Niigata, July 25-30, 2004; Springer Series in CHEMICAL PHYSICS, Ultrafast Phenomena XIV, edited by T. Kobayashi et al., pp. 263-265, Springer, Germany, 2004)

[071] “Order-Parameter Dependence of Sponteneous Electron Accumulation at Ga0.5In0.5P/GaAs Studied by Raman-Scattering and Photoluminescence Measurements” K. Yamashita, K. Oe, T. Kita, O. Wada, Y. Wang, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Abstr. 27th International Conference on the Physics and Semiconductors, Flagstaff, Arizona, pp. 1353-1354, July 26-30, 2004)

[070] “Hole-Spin Reorentation in (CdTe)0.5(Cd0.75Mn0.25Te)0.5 Tilted Superlattices Grown on Cd0.74Mg0.26Te(001) Visinal Surface” T. Kita, S. Nagahara, R. Naganuma, Y. Harada, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. 27th International Conference on the Physics and Semiconductors, Flagstaff, Arizona, pp. 387-388, July 26-30, 2004)

[069] “Nitridized InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots for Optical Communication Wavelength” T. Kita, Y. Masuda, T. Mori, and O. Wada (Proc. 16th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Kagoshima, pp. 640-642, May 31-June 4, 2004)

[068] “Narrow Bandwidth Photoluminescence Lines from Nitrogen Doped GaAs Grown by Atomically Controlled Doping” T. Kita, K. Kou, and O. Wada (Abstr. European Material Research Society, Strasburg, 1337, May 25-27, 2004)

[067] “Capping Layer Induced Optical Polarization Control of InAs/GaAs Quantum Dots” P. Jayavel, H. Tanaka, M. Uchigami, T. Kita, O. Wada, Y. Nakata , T. Akiyama, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa (Abstr. 3rd International Conference on Semiconductor Quantum Dots, TP15, Banff, May 10-13, 2004)

[066] “Temperature -Optimized Nitridation of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots for Long-Wavelength Emission” T. Kita, Y. Masuda, H. Seki, T. Mori, and O. Wada (Abstr. 3rd International Conference on Semiconductor Quantum Dots, THP8, Banff, May 10-13, 2004)

[065] “Optical Polarization Control in Edge-Emitting InAs/GaAs Quantum Dot” P. Jayavel, H. Tanaka, T. Kita, O. Wada, Y. Nakata , T. Akiyama, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa (Abstr. International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003, P-19, Tokyo, November 17-18, 2003)

[064] “Optical Properties of Nitridized InAs Quantum Dots” T. Kita, Y. Masuda, T. Mori, and O. Wada (Abstr. International Symposium on Quantum Dots and Photonic Crystals 2003, P-15, Tokyo, November 17-18, 2003)

[063] “Control of InGaAs Capping Layer Induced Optical Polarization in Edge-Emitting Photoluminescence of InAs Quantum Dots” P. Jayavel, H. Tanaka, T. Kita, O. Wada, Y. Nakata , T. Akiyama, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa (Extended Abstr. 2003 International Conference on Solid State Device and Materials, Tokyo, September 2003)

[062] “InAsN Quantum Dot's Fabricated by Posnitridation of InAs” T. Kita, Y. Masuda, T. Mori, and O. Wada (Abstr. The 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Nara, July 2003)

[061] “Anisotropic Exchange Interaction in CdTe/CdMnTe Quantum Wires” S. Nagahara, Y. Matsuura, R. Naganuma, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. The 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Nara, July 2003)

[060] “Spin Relaxiation Process in CdTe/CdMgTe Quantum Wires” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. The 10th  International Workshop on Femtosecond Technology, WP-26, p. 120, Tsukuba, July 2003)

[059] “Narrow Bandwidth Photoluminescence from Nitrogen-Delta Doped GaAs” K. Kou, H. Yamamizu, T. Kita, and O. Wada (Abstr. The 10th  International Workshop on Femtosecond Technology, WP-25, p. 119, Tsukuba, July 2003)

[058] “Excitation Intensity Dependence of Edge-Emitting Photoluminescence Properties in InAs Quantum Dots” P. Jayavel, H. Tanaka, T. Kita, O. Wada, Y. Nakata , T. Akiyama, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa (Abstr. The 10th  International Workshop on Femtosecond Technology, TB-6, p. 67, Tsukuba, July 2003)

[057] “Wideband Polarization Insensitivity in Quantum Dot Optical Amplifier” T. Kita, P. Jayavel, H. Tanaka, K. Kho, O. Wada, Y. Nakata, T. Akiyama, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, and Y. Arakawa (Abstr. 2003 Conference on Lasers and Electro-Optics,  p. 116, Baltimore, June 2003)

[056] “Novel Characterization Technique for GaAs/GaInP Heterojunction Bipolar Transistor wafers based on Fourier Transformed Photoreflectance Enabling Selective Determination of Interface Electric Fields” T. Kita, T. Kakutani, O. Wada, T. Tsuchiya, M. Sahara, and H. Sakaguchi (Proc. 15th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Santa Barbara, May 2003)

[055] “Surface Reconstruction Transition with Hysteresis Cycle on GaAs(001) Studied by Reflectance Anisotropy Spectroscopy” T. Kita, M. Nakamoto and O. Wada (Abstr. 4th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, A1-2, Karuizawa, October 2002)

[054] “Enhanced Exchange Interaction  in CdTe/CdMnTe Magnetic Semiconductor Quantum Wires” T. Kita, S. Nagahara, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. 29th International Symposium on Compound Semiconductors, Lausanne, October, 2002)

[053] “One-Dimentional Free Exciton in CdTe/Cd0.74Mg0.26Te Quantum Wires” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. 29th International Symposium on Compound Semiconductors, Lausanne, October, 2002)

[052] “Srain Effects on Photoluminescence Polarizatoin of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots” P. Jayavel, H. Tanaka, K. Kou, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, Y. Nakata and M. Sugawara  (Abstr. 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots, Tokyo, September-October 2002)

[051] “Polarization Controlled Edge Emission from Columnar-Shaped InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots” T. Kita, P. Jayavel, O. Wada, H. Ebe, Y. Nakata and M. Sugawara (Abstr. 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots, Tokyo, September-October 2002)

[050] “Femtosecond Responce of Diffraction Efficiency in GaAs/AlGaAs Photorefractive Multiple Quantum Well” H. Tanaka, K. Terawaki, K. Kou, S. Tsuboi, S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, K. Nakagawa and D. D. Nolte (Extended Abstr. 2002 International Conference on Solid State Device and Materials, G-4-4, pp. 348-349, Nagoya, September 2002)

[049] “Enhanced Magneto-Optical Interaction in CdTe/CdMnTe Quantum Wires” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal and H. Mariette (Extended Abstr. 2002 International Conference on Solid State Device and Materials, F-8-4, pp. 822-823, Nagoya, September 2002)

[048] “Excitation Intensity Dependence of Photoluminescence Polarization in InAs/GaAs Self Assembled Quantum Dots” P. Jayavel, H. Tanaka, K. Kou, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, Y. Nakata and M. Sugawara (Abstr. The 2nd International Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructures and Nanoelectronics, TuP-10, Tsukuba, September 2002)

[047] “Biexciton Formation in CdTe/Cd0.74Mg0.26Te Quantum Wires and Optical Properties under Magnetic Field” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Proc. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, D179, Edinburgh, August 2002)

[046] “Mgneto-Optical Properties of Two-Dimensional Electron Gas Induced by Atomic Ordering in Ga0.5In0.5P/GaAs Interface” K. Yamashita, Y. Matsuura, T. Kita, O. Wada, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Proc. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, D60, Edinburgh, August 2002)

[045] “Dynamics of Exciton and Biexciton Luminescence in CdTe/CdMgTe Quantum Wires” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. The 9th  International Workshop on Femtosecond Technology, TD-3, Tsukuba, June 2002)

[044] “Ultrafast Evolution of Diffraction Efficiency in Photorefractive Multiple Quantum Well” H. Tanaka, K. Terawaki, K. Kou, S. Tsuboi, S. Nagahara, T. Kita, and O. Wada (Abstr. The 9th  International Workshop on Femtosecond Technology, TD-2, Tsukuba, June 2002)

[043] “High-Density Electron Gas Induced by Atomic Ordering in Undoped Ga0.5In0.5P/GaAs Heterostructure” K. Yamashita, T. Kita, O. Wada, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Proc. 14th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 515-518, Stockholm, May 2002)

[042] “Biexciton Formation in CdTe/Cd0.74Mg0.26Te Quantum Wires” S. Nagahara, T. Kita, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. 28th Internationl Symposium on Compound Semiconductors, p. 118, Tokyo, October, 2001. 10)

[041] “Stranski-Krastanov Growth of (In,Ga)As Quantum Dots by Controlling the Wetting Layer” T. Kita, M. Nakahama, K. Yamashita, and O. Wada (Abstr. 28th International Symposium on Compound Semiconductors, p. 155 Tokyo, October, 2001. 10)

[040] “Radiative Lifetimes of Excitons in CdMgTe/CdTe Tilted Superlattices Grown on Vicinal Surfaces” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. 7th International Conference on Optics and Excitons in Confined Systems, ThP-25, Montpellier, September 2001)

[039] “Dynamic Evolusion of Reflectance Anisotropy during (In,Ga)As Quantum Dots Formation on GaAs(001)” T. Kita, M. Nakahama, M. Nakamoto, H. Tango, and K. Yamashita (Abstr. The 13th International Conference on Crystal Growth, 03a-SB1-06, Kyoto, August 2001)

[038] “Two-Dimensional Electron Gas at Ga0.5In0.5P/GaAs Heterointerface Spontaneously Induced by Atomic Ordering” K. Yamashita, T. Kita, Y. Wang, K. Murase, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Abstr. 10th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, ThP64, Linz, July 2001)

[037] “Dynamic Evolution of Reflectance Anisotropy during (In,Ga)As Quantum Dots Formation on GaAs(001)”(Invited), T. Kita (1st International Meeting on Formation and Characterization of Compound-Semiconductor Nanostructures, Tsukuba, August, 2001) 

[036] “Radiative Properties and Spin Relaxation in CdMgTe/CdTe Quantum Wires” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Abstr. The 8th  International Workshop on Femtosecond Technology, TD-14, Tsukuba, June 2001)

[035] “Diffraction of Ultrashort Laser Pulses in Photorefractive Multiple Quantum Wells” K. Nakagawa, S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, and D. D. Nolte (Abstr. The 8th  International Workshop on Femtosecond Technology, TD-4, Tsukuba, June 2001)

[034] “Internal Electric Field Effects at Ordered Ga0.5In0.5P/GaAs Heterointerface Investigated by Photoreflectance Spectroscopy” K. Yamashita, N. Nishida, T. Kakutani, T. Kita, Y. Wang, K. Murase, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Proc. 13th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 330-333, Nara, May 2001)

[033] “Optical Transitions in New Semiconductor Alloy GaAs1-xBix with Temperature-Insensitive Band Gap” J. Yoshida, H. Yamamizu, T. Kita, and K. Oe (Proc. 13th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, pp. 109-112, Nara, May 2001)

[032] “Optical Caracterization of CVD-Diamond Films” T. Kita and T. Nishino (Abstr. The 3rd International Symposium on Diamond Electronic Devices, p. 50, Osaka, January 2001)

[031] “Electron-Beam Electroreflectance Characterization of Si Surfaces and SiO2/Si Interfaces” T. Kita, S. Nagahara, and T. Nishino(Proc. The 3rd International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, pp. 529-534, Hawaii, Nobember 2000)

[030] “Plasmon-Phonon Coupling at Ga0.5In0.5P/GaAs Heterointerfaces Induced by CuPt-Type Ordering” K. Yamashita, T. Kita, T. Nishino, Y. Wang, K. Murase, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (25th International Conference on the Physics of Semiconductors, pp. 453-454, Osaka, September 2000)

[029] “Optical Anisotropy of Stranski-Krastanov Growth Surface of InAs on GaAs (001)” T. Kita, H. Tango, K. Tachikawa, K. Yamashita, T. Nishino, T. Nakayama, and M. Murayama (25th International Conference on the Physics of Semiconductors, pp. 365-366, Osaka, September 2000)

[028] “Reflectance-Difference Spectroscopy of (001) InAs Surfaces in Ultrahigh Vacuum” T. Kita, H. Tango, K. Tachikawa, K. Yamashita, and T. Nishino (25th International Conference on the Physics of Semiconductors, pp. 353-357, Osaka, September 2000)

[027] “Energy Relaxation by Phonon Scattering in Long-Range Ordered AlGaInP” T. Kita, K.Yamashita, T. Nishino, Y. Wang, and K. Murase (25th International Conference on the Physics of Semiconductors, pp. 218-219, Osaka, September 2000)

[026] “Diffraction Property of Ultrashort Laser Pulses in Photorefractive Multiple Quantum Wells” K. Nakagawa, T. Minemoto, T. Kita, K. Yamashita, T. Nishino, M. Dinu, D. D. Nolte, and M. R. Melloch (SPIE's 45th Annual Meeting, Exhibition, and Education Program, 4110-03, San Diego, August 2000)

[025] “Interdiffusion Effects at Long-Range Ordered Ga0.5In0.5P and GaAs Heterointerfaces” K. Yamashita, T. Kita, T. Nishino, Y. Wang, K. Murase, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Proc. 12th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Wiliamsburg, pp. 154-157, May 2000)

[024] “Dynamic Process of InAs Quantum-Dots Growth Observed by Reflectance-Difference Spectroscopy” H. Tango, K. Tachikawa, M. Nakahama, M. Nakamoto, K. Yamashita, T. Kita, and T. Nishino (Proc. 3rd SANKEN International Symposium, pp. 265-266, Osaka, March 2000)

[023] “New Raman-Scattering Modes of Long-Range Ordered Ga0.5In0.5P and GaAs Heterointerfaces” K. Yamashita, T. Kita, T. Nishino, Y. Wang, K. Murase, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Proc. 3rd SANKEN International Symposium, pp. 298-299, Osaka, March 2000)

[022] “Optical Characterization of Synthetic Diamond Films”(招待講演), T. Kita and T. Nishino (Abstr. 4th International Conference on Thin Film Physics and Applications, IS-02, Shanghai, May 2000)

[021] “Cooling Process of Hot Excitons in Ordered Ga0.5In0.5P” T. Kita, M. Sakurai, K. Yamashita, T. Nishino, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Abstr. 12th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, P2-60, Hisn-Chu, March 2000)

[020] “Self-Assembled Growth of InAs-Quantum Dots and the Postgrowth Behavior Studied by Reflectance-Difference Spectroscopy” T. Kita, K. Tachikawa, H. Tango, K. Yamashita, and T. Nishino (Abstr. 3rd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, B7-3, Karuizawa, October 1999)

[019] “Initial Stages of InAs-Quantum Dots Formation Studied by Reflectance-Difference Spectroscopy and Photoluminescence” K. Yamashita, T. Kita,  and T. Nishino (Abstr. 26th International Conference on Compound Semiconductors, Berlin, August 1999)

[018] “Time-Resolved Observation of Anti-Stokes Photoluminescence at Ordered Ga0.5In0.5P and GaAs Interfaces” T. Kita, T. Nishino, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Abstr. 1999 International Conference on Luminescence, PB2-13, Osaka, August 1999)

[017] “Dynamic Process of Two-Dimensional InAs Growth in Stranski-Krastanov Mode” T. Kita, K. Yamashita, H. Tango, and T. Nishino (Abstr. 9th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, p. 55, Fukuoka, July1999)

[016] “Energy Relaxation by Multiphonon Processes in Partially Ordered (Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P” T. Kita, M. Sakurai, K. Yamashita, and T. Nishino (Proc. 11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Davos, pp. 159-162, May 1999)

[015] “Self-Organized Process of InAs-Quantum Dots Monitored by Reflectance-Difference Spectroscopy” T. Kita, T. Hagihara, K. Yamashita, and T. Nishino (Abstr. 25th International Conference on Compound Semiconductors, TuP-11, Nara, October 1998)

[014] “Observations of Ordering-Induced Indirect to Direct Transition in AlGaInP”(招待講演), T. Kita, K. Yamashita, and T. Nishino (40th Electronic Materials Conference, Charlottesville, June 1998)

[013] “Auger Electron Spectroscopy of Super-Doped Si:Mn Thin Films” S. Abe, K. Yamashita, Y. Nakasima, S. Okubo, T. Kita, H. Nakayama, T. Nishino, H. Yanagi, and H. Ohta (Proc. 9th International Conference on Solid Films and Surfaces, Denmark, 1998)

[012] “Efficiency of Photoluminescence Up-Conversion at (Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P and GaAs Heterointerface” K. Yamashita, T. Kita, T. Nishino, and M. Oestreich (Proc. 10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Tsukuba, pp. 521-524, May 1998)

[011] “Spin-Polarized Excitons in Long-Range Ordered Ga0.5In0.5P” T. Kita, K. Bhattacharya, K. Yamashita, T. Nishino, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer (Proc. 10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Tsukuba, pp. 525-528, May 1998)

[010] “Band-Edge Structure of Diamond Films Grown on Silicon” T. Kita, A. Mochida, T. Nishino, A. Hatta, T. Ito, and A. Hiraki (Abstr. 2nd International Symposium on Diamond Electronics Devices, Osaka, March 1998)

[009] “High Efficiency Energy Up-Conversion Induced by Carrier Localization in Ordered (Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P/GaAs Heterointerfaces” K. Yamashita, T. Kita, and T. Nishino (Abstr. 39th Electronic Materials Conference, Colorado, June 1997)

[008] “Up-Converted Photoluminescene from Long-Range Ordered (Al0.5Ga0.5)0.5In0.49P on GaAs Substrates” K. Yamashita, T. Kita, H. Nakayama, and T. Nishino (Proc. 2nd Asia Symposium on Condensed Matter Photophysics, Nara, pp. 89-92, 1996)

[007] “Transient Cathodoluminescence Spectroscopy of Synthetic Diamond Films” T. Kita, Y. Dakeya, G. P. Wei, T. Nishino, M. Marinelli, A. Hatta, T. Ito, and A. Hiraki (Abstr. 1th International Symposium on Diamond Electronics Devices, Osaka, March 1996)

[006] “Anisotropic Photocurrent in Long-Range Ordered Ga0.5In0.5P” T. Kita, A. Fujiwara, H. Nakayama, and T. Nishino (Proc. 7th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Sapporo, pp. 257-260, May 1995)

[005] “Electric Field Induced Coupling of Wave Functions in an InGaAs Single Quantum Well” T. Kita, H. Nakayama, and T.Nishino (Abstr. 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, Banff, p. 180, August 1994)

[004] “Absorption Polarization in Monolayer Superlattices of Long-Range Ordered Ga0.5In0.5P” T. Kita, A. Fujiwara, H. Nakayama, and T. Nishino (Abstr. 7th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices, Banff, p. 393, August 1994)

[003] “Optical Transitions in Long-Range Ordered AlInP” T. Kita, K. Yamashita, H. Nakayama, T. Nishino, M. Kondow, and S. Minagawa (Proc. 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by D.J.Lockwood, World Scientific, Singapore, Vol. 2, pp. 1181-1184, August 1994)

[002] “Photoreflectance Characterization of Built-in Potential in MBE Produced as-Grown GaAs Surface” T. Kanata-Kita, M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa, and T. Nishino (Abstr. International Conference on Modulation Spectroscopy, San Diego, March 1990)

[001] “Device Physics and Optimum Design of a-Si/poly Si Tandem Solar Cells” H. Takakura, K. Miyagi, T. Kanata-Kita, and Y. Hamakawa (Abstr. 4th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Sydney, p. 403, 1989)

学術講演

[569] “入射光スペクトル形状を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率” 松尾哲弘、原田幸弘、朝日重雄、喜多隆 (応用物理学会関西支部 平成30年度第1回講演会、神戸大学、2018. 5. 11)

[568] “GaAs/AIAs多重量子井戸における重い正孔励起子励起下での差周波混合によるテラヘルツ電磁波の偏光特性” 桜井遼、小島磨、喜多隆、R. Hogg (応用物理学会関西支部 平成30年度第1回講演会、神戸大学、2018. 5. 11)

[567] “AlGaAs障壁層を挿入した波長制御InAs/GaAs量子ドットの積層成長” 海津利行、小池孝彰、喜多隆 (第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、2018. 3. 17-20)

[566] “GaAs/AlAs多重量子井戸端面から放射されるテラヘルツ電磁波の偏光特性” 桜井遼、小島磨、喜多隆、R. Hogg (第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、2018. 3. 17-20)

[565] “YAG:Ybにおけるanti-Stokes発光の励起波長依存性” 中山雄太、寺田康太、原田幸弘、喜多隆 (第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、2018. 3. 17-20)

[564] “フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるキャリア収集効率の定量評価” 西村健汰、朝日重雄、海津利行、喜多隆 (第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、2018. 3. 17-20)

[563] “吸収率を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率” 原田幸弘、朝日重雄、喜多隆 (第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、2018. 3. 17-20)

[562] “InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池の動作実証” 岩田尚之、渡部大樹、原田幸弘、朝日重雄、喜多隆 (第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、2018. 3. 17-20)

[561] “プラズマ励起タイプの紫外線蛍光体・光源の開発と医療応用” 喜多隆 (日本学術振興会第166委員会「透明酸化物光・電子材料」の第78回研究会、アイビーホール青学会館、2018. 1. 26) 招待講演

[560] “2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池のキャリア収集効率” 西村健汰、朝日重雄、海津利行、喜多隆 (「平成 29 年度 第 1 回ナノ材料部門委員会 第 1 回研究会」「平成 29 年度 第 3 回半導体エレクトロニクス部門委員会 第 2 回研究会 」、京都大学、⑦、2017. 11. 25)

[559] “InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池の動作検証” 岩田尚之、渡部大樹、朝日重雄、海津利行、喜多隆 (「平成 29 年度 第 1 回ナノ材料部門委員会 第 1 回研究会」「平成 29 年度 第 3 回半導体エレクトロニクス部門委員会 第 2 回研究会 」、京都大学、⑥、2017. 11. 25)

[558] “Efficient Carrier Collection of Up-Converted Electrons in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells ” S. Asahi, K. Nishimura, K. Kusaki, T. Kaizu, and T. Kita (第36回電子材料シンポジウム(EMS36)、長浜ロイヤルホテル、2017. 11. 8-10)

[557] “Anti-Stokes Photoluminescence in Yb-Doped Yttrium Aluminum Garnet” Y. Nakayama, Y. Harada, and T. Kita (第36回電子材料シンポジウム(EMS36)、長浜ロイヤルホテル、2017. 11. 8-10)

[556] “水銀フリー紫外光源の開発” 喜多隆 (日本学術振興会第125委員会「光電変換」の第238回研究会、キャンパスプラザ京都、2017. 10. 25) 招待講演

[555] “GaAs/AlAs多重量子井戸における差周波混合法によるテラヘルツ電磁波の偏光特性” 小島磨、喜多隆、Richard Hogg (日本物理学会2017年秋季大会、岩手大学、2017. 9. 21-24)

[554] “InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるバンド内遷移の偏光特性” 原田幸弘、山田淳也、渡部大樹、朝日重雄、喜多隆 (第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場、2017. 9. 5-8)

[553] “近接積層InAs/GaAs量子ドットの成長温度による電子状態の変化” 海津利行、喜多隆 (第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場、2017. 9. 5-8)

[552] “2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池のヘテロ界面における電圧ブースト効果” 朝日重雄、草木和輝、原田幸弘、喜多隆 (第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場、2017. 9. 5-8)

[551] “低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における熱脱出の抑制” 平尾和輝、朝日重雄、海津利行、原田幸弘、喜多隆 (第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場、2017. 9. 5-8)

[550] “フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるバンド内光学遷移特性” 草木和輝、朝日重雄、海津利行、玉置亮、岡田至崇、喜多隆 (第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場、2017. 9. 5-8)

[549] “InAs/GaAs量子ドット超格子を用いた偏波制御型半導体光増幅幅デバイスの基礎特性” 中廣光、海津敏行、喜多隆、赤羽浩一(平成29年度半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回研究会、和歌山大学、2017. 7. 15)

[548] “フォトンアップコンバージョン太陽電池の開発:構造の提案と原理検証” 草木和輝、朝日重雄、海津利行、喜多隆 (平成29年度半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回研究会、和歌山大学、2017. 7. 15)

[547] “低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池” 平尾和輝、朝日重雄、海津敏行、原田幸弘、喜多隆 (平成29年度半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回研究会、和歌山大学、2017. 7. 15) 学生優秀講演賞

[546] “Effects of Exciton Oscillator Strength on Terahertz Generation Due to Differential-Wave-Mixing in GaAa/AlAs Multiple Quantum Wells” Y. Tarui, O. Kojima, T. Kita, and R. A. Hogg (日本物理学会 第72回年次大会、大阪大学、2017. 3. 17-20)

[545] “GaAs/AlAs多重量子井戸における波形制御パルスによる量子ビート生成Ⅲ” 小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会 第72回年次大会、大阪大学、2017. 3. 17-20)

[544] “Extremely-Long Electron Lifetime in InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As Dot-in-Well Intermediate-Band Soler Cells” S. Asahi、H. Teranishi、T. Kaizu、and T. Kita (第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、 2017. 3. 14-17)

[543] “近接積層InAs/GaAs量子ドットのGaAsスペーサ層膜厚と成長温度による広帯域偏光特性制御(2)” 海津利行、田尻祐介、喜多隆 (第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、 2017. 3. 14-17)

[542] “InAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池特性のミニバンド形成の効果” 平尾和輝、朝日重雄、海津利行、喜多隆 (第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、 2017. 3. 14-17)

[541] “InAs量子ドット周辺の歪み制御によるGaAs表面からのテラヘルツ電磁波発生波長の長波長化” 小島磨、和泉亮、喜多隆 (第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、 2017. 3. 14-17)

[540] “GaAs中のエピタキシャル窒素膜における反ストークス発光” 小川泰弘、原田幸弘、海津利行、喜多隆 (第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、 2017. 3. 14-17)

[539] “量子ドット中間バンド型太陽電池のキャリアダイナミクス” 喜多隆 (平成28年度太陽光発電プロジェクト講演会~量子ナノ半導体のエネルギー交換デバイスへの応用について~、宮崎大学、2017. 3. 9) 招待講演

[538] “水銀フリー紫外光源の開発” 喜多隆 (応用物理学会関西支部セミナー「光機能の新展開」~深紫外材料・デバイスの新展開~、大阪市立大学、2017. 1. 7) 招待講演

[537] “Si基板からシアニン分子薄膜へのエネルギー移動による発光に対するキャリア拡散の効果” 伊藤由佳子、小島磨、喜多隆、沈用球 (第27回光物性研究会(2016)、神戸大学百年記念会館、I A-6、2016. 12. 2-3)

[536] “GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子励起条件下での差周波混合によるテラヘルツ電磁波の高効率発生” 樽井雄規、小島磨、喜多隆、Avan Majeed、Pavlo Ivanov、Edmund Clarke、Richard A. Hogg (第27回光物性研究会(2016)、神戸大学百年記念会館、II A-44、2016. 12. 2-3)

[535] “GaAs中のデルタドーピング窒化層を利用した光によるフォノン制御” 小川泰弘、原田幸弘、海津利行、喜多隆 (第27回光物性研究会(2016)、神戸大学百年記念会館、I A-12、2016. 12. 2-3)

[534] “InGaAs/GaAsP波状量子井戸におけるキャリア寿命の評価” 趙博文、齋藤昌太、トープラサートポンカシディット、田尻祐介、小川泰弘、ソダーバンルハッサネット、渡辺健太郎、喜多隆、杉山正和、中野義昭 (第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、15p-A34-9、2016. 9. 13-16)

[533] “近接積層InAs/GaAs量子ドットのGaAsスペーサ層膜厚と成長温度による広帯域偏光特性制御” 海津利行、田尻祐介、喜多隆 (第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、16a-B9-10、2016. 9. 13-16)

[532] “多重量子井戸太陽電池における実行移動度近似の妥当性検証” トープラサートポンカシディット、井上智之、渡辺健太郎、喜多隆、杉山正和、中野義昭 (第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、15p-A34-8、2016. 9. 13-16)

[531] “Dot-in-Well中間バンド型太陽電池における長い電子寿命の観測” 寺西陽之、朝日重雄、海津利行、喜多隆 (第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、16a-A35-2、2016. 9. 13-16)

[530] “InAs/GaAs量子ドット中間バンド型太陽電池における電子の熱脱出過程の解明” 平尾和輝、渡辺翔、朝日重雄、原田幸弘、喜多隆 (第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、16a-A35-1、2016. 9. 13-16)

[529] “テラヘルツ電磁波発生による量子ドット周辺の歪みの変化観測” 小島磨、和泉亮、喜多隆 (第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、16a-B9-12、2016. 9. 13-16)

[528] “ヘテロ界面を利用した光アップコンバージョン太陽電池の2段階光吸収による大幅な電流増加” 朝日重雄、寺西陽之、海津利行、喜多隆 (第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、15p-A34-6、2016. 9. 13-16)

[527] “可視光による水と炭素の反応を利用した高効率水素合成 ” 川尻庸資、谷屋啓太、西山覚、喜多隆、内野隆司、 杉山正和、上野正実 (平成 28 年度 第 2 回半導体エレクトロニクス部門委員会 第 1 回研究会、 大阪府立大学、2016. 7. 30)

[526] “InAs/GaAs 量子ドット超格子太陽電池におけるタイムオブフライト光励起キャリアダイナミクス ” 梅田将斗、谷渕泰三、朝日重雄、海津利行、 喜多隆 (平成 28 年度 第 2 回半導体エレクトロニクス部門委員会 第 1 回研究会、 大阪府立大学、2016. 7. 30)

[525] “Epitaxial Glowth of Mg-Doped AIN Thin Films at Low Substrate Temperrature Using Reactive Sputtering Technique” T. Myoken, K. Ozaki, H. Izumi, and T. Kita (第35回電子材料シンポジウム(EMS35)、ラフォーレ琵琶湖、Th2-10、2016. 7. 6-8)

[524] “Thermal Carrier-Escape Process from the Intermediate Band in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells” K. Hirao, S. Asahi, S. Watanabe, T. Kaizu, Y. Harada, and T. Kita (第35回電子材料シンポジウム(EMS35)、ラフォーレ琵琶湖、We2-8、2016. 7. 6-8)

[523] “Investigation of Buck-Like Carrier Transport and Effective Mobility in Multiple Quantum Well Solar Cells” K. Toprasertpong, T. Inoue, K. Watanabe, T. Kita, M. Sugiyama, and Y. Nakano (第35回電子材料シンポジウム(EMS35)、ラフォーレ琵琶湖、We2-10、2016. 7. 6-8)

[522] “GaAs/AlAs多重量子井戸における波形制御パルスによる量子ビート生成II” 小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会 第71回年次大会、東北学院大学、19pBH-6、2016. 3. 19-22)

[521] “エネルギー移動によるシアニン分子薄膜の発光の空間分布” 伊藤由佳子、小島磨、喜多隆、沈用球 (日本物理学会 第71回年次大会、東北学院大学、20pBP-2、2016. 3. 19-22)

[520] “Effects of Magnetic Field on Terahertz Generation Due to Differential-Wave-Mixing in a GaAs/AlAs Multiple Quantum Well” Y. Tarui, O. Kojima, T. Kita, A. Majeed, P. Ivanov, E. Clarke, and R. A. Hogg (日本物理学会 第71回年次大会、東北学院大学、21aAG-10、2016. 3. 19-22)

[519] “窒素δドープGaAs上InAs量子ドットにおけるIn-Gaインターミキシング制御” 海津利行、喜多隆 (第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、20p-P16-2、2016. 3. 19-22)

[518] “量子井戸太陽電池における電子と正孔の走行時間および実効移動度の評価” トープラサートポンカシディット、谷渕泰三、加田智之、朝日重雄、渡辺健太郎、杉山正和、喜多隆、中野義昭 (第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、20a-S011-6、2016. 3. 19-22)

[517] “ペロブスカイト / Si モノリシックタンデムセルのためのp+-Si / TiO2 再結合層” 立石義和、松田拓未、山下兼一、喜多隆 (第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、19a-P5-23、2016. 3. 19-22)

[516] “長波長発光近接積層InAs/GaAs量子ドットの偏光フォトルミネッセンス特性” 田尻祐介、海津利行、喜多隆 (第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、21a-H112-8、2016. 3. 19-22)

[515] “急速熱アニールしたGaAs中のエピタキシャル窒素膜の輻射再結合寿命” 小川泰弘、原田幸弘、海津利行、喜多隆 (第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、21p-H112-6、2016. 3. 19-22)

[514] “InAs/GaAs 量子ドット超格子太陽電池におけるミニバンド形成が2段階光吸収に与える影響” 渡辺翔、朝日重雄、加田智之、海津利行、原田幸弘、喜多隆 (第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、20a-S011-2、2016. 3. 19-22)

[513] “Dot-in-Well 中間バンド型太陽電池における中間順位内の長い電子寿命” 朝日重雄、寺西陽之、渡辺翔、渡部大樹、海津利行、喜多隆 (第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、20a-S011-3、2016. 3. 19-22)

[512] “量子ドット中間バンド型太陽電池におけるキャリアの長寿命化と2段階光電流生成の増強” 朝日重雄、寺西陽之、笠松直史、加田智之、海津利行、喜多隆 (第26回光物性研究会、神戸大学百年記念会館、ⅢB-106、2015. 12. 11-12)

[511] “Terahertz Wave Radiation Under Exciton Resonant Excitation Conditions in a GaAs/AlAs Multiple Quantum Well” Y. Tarui, O. Kojima, T. Kita, A. Majeed, P. Ivanov, E. Clarke, R. Hogg (第26回光物性研究会、神戸大学百年記念会館、III A-95、2015. 12. 11-12)

[510] “励起子量子ビートの振幅に対する励起子線幅の効果” 小島磨、喜多隆 (第26回光物性研究会、神戸大学百年記念会館、ⅡA-54、2015. 12. 11-12)

[509] “エネルギー移動によるシアニン分子薄膜の励起” 伊藤由佳子、小島磨、喜多隆、沈用球 (第26回光物性研究会、神戸大学百年記念会館、ⅡA-44、2015. 12. 11-12)

[508] “ダブルパルス照射下でのシアニン分子薄膜の励起子応答” 長内順平、小島磨、喜多隆、沈用球 (第26回光物性研究会、神戸大学百年記念会館、ⅠB-35、2015. 12. 11-12)

[507] “ポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおけるパリティ選択則の緩和” 廣田舞、芝川忠慶、原田幸弘、喜多隆 (「平成27年度半導体エレクトロニクス部門委員会 第2回研究会」「平成27年度ナノ材料部門委員会 第1回研究会、京都大学、9、2015. 11. 21)

[506] “Generation of Terahertz Wave Due to Excitation of Heavy-Hole and Light-Hole Excitons in a GaAs/AlAs Multiple Quantum Well” Y. Tarui, O. Kojima, T. Kita, A. Majeed, P. Ivanov, E. Clarke, and R. Hogg (「平成27年度半導体エレクトロニクス部門委員会 第2回研究会」「平成27年度ナノ材料部門委員会 第1回研究会、京都大学、10、2015. 11. 21)

[505] “半導体基板からのエネルギー移動によるシアニン分子の励起” 伊藤由佳子、小島磨、喜多隆、沈用球 (「平成27年度半導体エレクトロニクス部門委員会 第2回研究会」「平成27年度ナノ材料部門委員会 第1回研究会、京都大学、12、2015. 11. 21)

[504] “水銀を使わないフィルム型紫外光源の開発” 喜多隆 (第66回日本皮膚科学会中部支部学術大会、神戸国際会議場、2015. 10. 31)

[503] “GaAs/AlAs多重量子井戸における波形制御パルスによる量子ビート生成” 小島磨、岩崎勇樹、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会2015年秋季大会、関西大学、16aCF-5、2015. 9. 16-19)

[502] “無機-有機間エネルギー移動によるシアニン分子薄膜の発光特性” 伊藤由佳子、小島磨、喜多隆、沈用球 (日本物理学会2015年秋季大会、関西大学、18pPSA-19、2015. 9. 16-19)

[501] “透明電極を有する有機鉛ハライドペロブスカイト太陽電池の作製と評価” 松田拓未、山下兼一、北村雅季、喜多隆 (第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、13p-PB9-25、2015. 9. 13-16)

[500] “InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池における超高速時間分解キャリア走行過程” 谷渕泰三、加田智之、朝日重雄、喜多隆 (第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、14a-2M-6、2015. 9. 13-16)

[499] “GaAsキャップ層成長温度によるInAs/GaAs量子ドットのサイズ二項分布変化” 海津利行、田尻祐介、喜多隆 (第76回応用物理学会秋季学術講演会、 名古屋国際会議場、14p-2W-8、2015. 9. 13-16)

[498] “Dot-in-well 中間バンド型太陽電池のバイアス依存性” 朝日重雄、寺西陽之、谷渕泰三、渡部大樹、海津利行、喜多隆 (第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、14a-2M-9、2015. 9. 13-16)

[497] “InAs/GaAs量子ドット超格子を利用したホットキャリア型太陽電池” 渡部大樹、原田幸弘、海津利行、喜多隆 (第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、14a-2M-8、2015. 9. 13-16)

[496] “近接積層InAs/GaAs量子ドット半導体光アンプの光導波モード解析” 大橋知幸、諏訪雅也、喜多隆 (第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、14p-2W-4、2015. 9. 13-16)

[495] “InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリア冷却過程” 原田幸弘、笠松直史、渡部大樹、喜多隆 (第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、14a-2M-7、2015. 9. 13-16)

[494] “Annealing Effects on the Delocalized Electronic States of Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAs” Y. Ogawa, Y. Harada, T. Baba, and T. Kita (第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、Th3-15、2015. 7. 15-17)

[493] “Excitation-Intensity Dependence of Two-Step Photoexcitation in InAs/GaAs/Al0.7Ga0.3As Intermediate-Band Solar Cells” S. Asahi, H. Teranishi, N. Kasamatsu, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita (第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、Th4-5、2015. 7. 15-17)

[492] “Carrier Time-of-Flight Spectroscopy with Infrared Assistance for Escaping Process in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells” T. Tanibuchi, T. Kada, N. Kasamatsu, S. Asahi, and T. Kita (第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、Th4-4、2015. 7. 15-17)

[491] “Hot-Carrier Distribution in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices and Its Application to Solar Cells” D. Watanabe, N. Kasamatsu, Y. Harada, and T. Kita (第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、Th4-6、2015. 7. 15-17)

[490] “Fabrication of Perovskite/C-Si Structure for a Monolithic Tandem Photovoltaic Cell” T. Matsuda, T. Nakamura, Y. Tateishi, K. Yamashita, S. N. B. Shamsudin, and T. Kita (第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、Th4-7、2015. 7. 15-17)

[489] “急速熱アニールによるGaAs中のエピタキシャル窒素シートにおける2次元物性の制御” 小川泰弘、原田幸弘、海津利行、喜多隆 (日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 平成27年度第1回研究会、大阪工業大学うめきたナレッジセンター、B-5、2015. 7. 11)

[488] “InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクス” 原田幸弘、渡部大樹、笠松直史、喜多隆 (日本物理学会第70回年次大会、早稲田大学、 24aBK-6、2015. 3. 21-24)

[487] “ポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおける励起緩和過程の偏光異方性” 廣田舞、芝川忠慶、原田幸弘、喜多隆 (第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、11a-A10-3、2015. 3. 11-14)

[486] “シアニン色素薄膜におけるエネルギー移動による励起子緩和時間の制御” 長内順平、小島磨、喜多隆、沈用球 (第62回応用物理学会春季学術講演会、 東海大学、12p-D4-16、 2015. 3. 11-14)

[485] “GaAsキャップ層成長温度によるInAs/GaAs量子ドットの広帯域発光波長制御” 松村拓哉、海津利行、喜多隆 (第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、14a-D4-5、2015. 3. 11-14)

[484] “InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池における超高速過渡光電流応答” 谷渕泰三、加田智之、笠松直史、松村拓哉、朝日重雄、喜多隆 (第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、奨 13a-A26-3、2015. 3. 11-14)

[483] “量子ドット中間バンド型太陽電池の2段階光電流の励起光強度依存性” 朝日重雄、寺西陽之、笠松直史、加田智之、海津利行、喜多隆 (第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、13a-A26-10、2015. 3. 11-14)

[482] “GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜におけるアニール効果” 原田幸弘、小川泰弘、馬場健、海津利行、喜多隆 (第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、13p-D4-3、2015. 3. 11-14)

[481] “半導体量子井戸における励起子量子ビートのポンプ光エネルギー依存性” 小島磨、喜多隆 (第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、12p-A24-1、2015. 3. 11-14)

[480] “量子ドット超格子太陽電池における光生成キャリアの過渡伝導特性” 谷渕泰三、加田智之、笠松直史、松村拓哉、朝日重雄、喜多隆 (日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門 平成26年度 第1回講演会・見学会、広島大学、P3、2015. 1. 24)

[479] “ポリマー薄膜中のコロイドpbs量子ドットにおける励起緩和過程の偏光異方性” 廣田舞、芝川忠義、原田幸弘、喜多隆 (第25回光物性研究会、神戸大学、I A-11、2014. 12. 12-13)

[478] “InAs/GaAs量子ドット太陽電池におけるキャリア脱出の影響” 笠松直史、加田智之、渡部大樹、原田幸弘、喜多隆 (第25回光物性研究会、神戸大学、I B-39、2014. 12. 12-13)

[477] “GaAs/AlAs多重量子井戸におけるダブルパス法による励起子量子ビート制御” 小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (第25回光物性研究会、神戸大学、I B-29、 2014. 12. 12-13)

[476] “Layer-by-Layer 法によるシアニン色素積層薄膜の作製と励起子緩和特性の評価” 長内順平、小島磨、喜多隆、沈用球 (第25回光物性研究会、神戸大学、I B-38、2014. 12. 12-13)

[475] “GaAs中のエピタキシャル2次元窒素シート非局在電子状態の発光ダイナミクス” 馬場健、原田幸弘、海津利行、喜多隆 (第25回光物性研究会、神戸大学、I B-35、2014. 12. 12-13)

[474] “InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池における高効率2段階光吸収過程” 加田智之、朝日重雄、海津利行、喜多隆、玉置亮、岡田至崇、宮野健次郎 (第25回光物性研究会、神戸大学、III B-105、2014. 12. 12-13) 奨励賞

[473] “ポリマー中に埋め込まれたPbSコロイド量子ドットにおける磁気発光強度のヒステリシス特性” 芝川忠慶、廣田舞、原田幸弘、喜多隆 (平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、神戸大学、B-6、2014. 11. 8)

[472] “InAs/GaAs量子ドット超格太陽電池における2段階光吸収” 加田智之、朝日重雄、海津利行、喜多隆、玉置亮、岡田至崇、宮野健次郎 (平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、神戸大学、B-4、2014. 11. 8)

[471] “低次元量子構造を利用したホットキャリア型太陽電池の提案” 渡部大樹、笠松直史、原田幸弘、喜多隆 (平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、神戸大学、B-3、2014. 11. 8) 学生優秀講演賞

[470] “GaAs cap 層成長温度によるInAs/GaAsInAs/GaAs量子ドットの発光波長制御” 松村拓哉 、海津利行、喜多隆 (平成26年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会、神戸大学、A-4、2014. 11. 8)

[469] “太陽光が最強の再生可能エネルギーとなる日” 喜多隆 (第8回KOBE工学サミット in Tokyo トライアル、東京六甲クラブ、2014. 10. 21) 招待講演

[468] “GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態(Ⅱ)” 原田幸弘、馬場健、海津利行、喜多隆 (第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、18a-A20-10、2014. 9. 17-20)

[467] “窒素δドープGaAs上のInAs量子ドットの発光波長シフト機構” 海津利行、喜多隆 (第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、18p-A20-17、2014. 9. 17-20)

[466] “GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜における発光ダイナミクス” 馬場健、原田幸弘、海津利行、喜多隆 (第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、18a-A20-11、2014. 9. 17-20)

[465] “光スイッチ応用へ向けたシアニン色素薄膜の作製” 長内順平、小島磨、喜多隆、沈用球 (第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、18a-A3 -6、2014. 9. 17-20)

[464] “低次元量子構造を利用したホットキャリア中間バンド型太陽電池” 渡部大樹、笠松直史、原田幸弘、喜多隆 (第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、17p-A28-12、2014. 9. 17-20)

[463] “InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池における量子準位へのキャリア緩和過程が2段階吸収に与える影響” 加田智之、朝日重雄、海津利行、喜多隆、玉置亮、岡田至崇、宮野健次郎 (第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、17p-A28-9、2014. 9. 17-20)

[462] “中間バンド型太陽電池の高障壁層導入による効率的な室温2段階光吸収” 朝日重雄、寺西陽之、笠松直史、加田智之、海津利行、喜多隆 (第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、17p-A28-10、2014. 9. 17-20)

[461] “GaAs/AlAs多重量子井戸におけるアップコンバージョン発光” O. Kojima, S. Okumura, T. Kita, and K. Akahane (日本物理学会2014年秋季大会, 中部大学, 8aAJ-6、2014. 9. 7-10)

[460] “Dot-in-Well 構造を用いた量子ドット太陽電池の室温2段階光吸収” 朝日重雄、寺西陽之、笠松直史、加田智之、海津利行、喜多隆 (平成26年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、大阪大学、A-4、2014. 7. 26) 学生優秀講演賞

[459] “近接積層InAs/GaAs量子ドット半導体光アンプの光導波モード制御” 大橋知幸、諏訪雅也、安達貴哉、海津利行、原田幸弘、喜多隆 (平成26年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、大阪大学、A-3、2014. 7. 26)

[458] “近接積層InAs/GaAs量子ドットによるTE/TMランダムレーザ発振” 安達貴哉、大橋知幸、諏訪雅也、松村拓哉、原田幸弘、海津利行、喜多隆 (平成26年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、大阪大学、A-2、2014. 7. 26)

[457] “Enhancement of Interaction Among Nitrogen Pair Centers in Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAs” T. Baba, Y. Harada, T. Kaizu, and T. Kita (第33回電子材料シンポジウム、ラフォーレ修善寺、2014. 7. 9-11)

[456] “Hot Carrier Intermediate Band Solar Cell Using Low-Dimensioned Quantum Structures” D. Watanabe, N. Kasamatsu, T. Kada, S. Asahi, Y. Harada, and T. Kita (第33回電子材料シンポジウム、ラフォーレ修善寺、2014. 7. 9-11)

[455] “Two-Step Photon Absorption Via Quantun States in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells” T. Kada, S. Asahi, T. Kaizu, and T. Kita (第33回電子材料シンポジウム、ラフォーレ修善寺、2014. 7. 9-11)

[454] “Reduction of Thermal Carrier Escape in an Intermediate-Band Solar Cell Using Dot-in-Well Structure” S. Asahi, H. Teranishi, N. Kasamatsu, T. Kada, T. Kaizu, and T. Kita (第33回電子材料シンポジウム、ラフォーレ修善寺、2014. 7. 9-11)

[453] “プロープ構造を用いた量子構造太陽電池におけるキャリア走行時間の測定” トープラサートポンガシディット、笠松直史、藤井宏昌、加田智之、朝日重雄、王云鵬、渡辺健太郎、杉山正和、喜多隆、中野義昭 (第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、2014. 3. 17-20)

[452] “近接積層InAs/GaAs量子ドットのサブスレッショルド偏光利得特性” 安達貴哉、諏訪雅也、松村拓哉、大橋知幸、喜多隆 (第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、2014. 3. 17-20)

[451] “InAs/GaAs量子ドット太陽電池の量子準位を介した2段階光吸収” 加田智之、朝日重雄、海津利行、喜多隆、玉置亮、宮野健次郎、岡田至崇 (第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、2014. 3. 17-20)

[450] “InAs/AIxGa₁₋xAs量子ドットにおけるキャリアの熱活性特性” 朝日重雄、寺西陽之、笠松直史、加田智之、海津利行、喜多隆 (第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、2014. 3. 17-20)

[449] “窒素δドープGaAs(001)層上のInAs量子ドット自己形成” 海津利行、田口航平、喜多隆 (第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、 2014. 3. 17-20)

[448] “GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態” 原田幸弘、馬場健、喜多隆 (第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、2014. 3. 17-20)

[447] “量子ドットを利用した光ハーベスト” 喜多隆 (電気情報通信学会 次世代ナノ技術に関する時限研究専門委員会 第4回研究会、㈱島津製作所 関西支社 マルチホール、2014. 1. 24) 招待講演

[446] “GaAs中におけるエピタキシャル2次元窒素膜の磁気発光特性” 馬場健、山本益輝、原田幸弘、喜多隆 (第24回光物性研究会、大阪市立大学、 2013. 12. 13-14)

[445] “InAs/GaAs量子ドットにおけるBound-to-Continuum型サブバンド間遷移の吸収係数” 原田幸弘、前田剛志、喜多隆 (第24回光物性研究会、大阪市立大学、2013. 12. 13-14)

[444] “Layer-by‐Layer法によるシアニン色素薄膜の作製と発光特性” 小島磨、藤井良治、喜多隆、沈用球 (第24回光物性研究会、大阪市立大学、 2013. 12. 13-14)

[443] “窒素エピタキシャル原子薄膜の2次元物性” 喜多隆 (平成25年度東北大プロジェクト研究会、ベルサンピアみやぎ泉、2013. 10. 31) 招待講演

[442] “半導体量子ドット配列構造による新規光機能の実現” 喜多隆 (文部科学省ナノテクノロジープラットホーム 平成25年度 成果報告会、東工大蔵前会館1階 くらまえホール、2013. 10. 17) 招待講演

[441] “近接積層 InAs/GaAs量子ドットの偏波無依存発光特性” 諏訪雅也、安達貴哉、松村拓哉、喜多隆 (第74回応用物理学会秋季学術講演会、同志社大学、19p-D3-14、2013. 9. 16-20)

[440] “希土類添加半導体AlGdNのバンドギャップ制御によるエネルギー移動のチューニング” 石津勇太、辻和真、喜多隆、千木慶隆、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第74回応用物理学会秋季学術講演会、同志社大学、18a-D7-4、2013. 9. 16-20)

[439] “近接積層 InAs/GaAs量子ドット半導体光増幅器の偏光利得スペクトル特性” 安達貴哉, 諏訪雅也, 松村拓哉、喜多隆 (第74回応用物理学会秋季学術講演会、同志社大学、19p-D3-15、2013. 9. 16-20)

[438] “Spectral Gain Feature of InAs/GaAs Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier” T. Andachi, M. Suwa, T. Matsumura, and T. Kita (第32回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、Fr1-4、2013. 7. 10-12)

[437] “Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells” N. Kasamatsu, A. Hasegawa and T. Kita (第32回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、Th5-5、2013. 7. 10-12)

[436] “Effects of Built-in Electric Field on Carrier Escape from the Intermediate Band in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell” T. Kada, A. Hasegawa, and T. Kita (第32回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、Th5-4、2013. 7. 10-12)

[435] “Massive Improvement in Ultra-Violet Emission of Thermal Annealed AlGdN” K. Tsuzi, Y. Ishizu, T. Kita, Y. Chigi, T. Nishimoto, H. Tanaka, M. Kobayashi, T. Ishihara, and H. Izumi (第32 回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、We2-19、2013. 7. 10-12)

[434] “量子ドット太陽電池の輻射再結合特性” 笠松直史、長谷川愛子、喜多隆 (第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、29a-G4-1、2013. 3. 27-30)

[433] “Si直接ドーピングInAs/GaAs量子ドットのキャリア緩和過程” 長谷川隆一、原田幸弘、喜多隆 (第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、28p-G20-1、2013. 3. 27-30)

[432] “窒素を高濃度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性” 原田幸弘、山本益輝、馬場健、喜多隆 (第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、29p-G20-15、2013. 3. 27-30)

[431] “斜め積層InAs/GaAs量子ドットの端面発光特性” 原田幸弘、別所侑亮、喜多隆、田口英次、保田英洋 (第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、28p-G20-14、2013. 3. 27-30)

[430] “歪み補償多層積層量子ドットにおける光学利得の面内異方性” 小島磨、田中秀治、喜多隆、赤羽浩一 (第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大、 28p-G20-13、 2013. 3. 27-30)

[429] “GaAs/AlAs 多重量子井戸における励起子量子ビートによる光パルス強度変調” 小島磨、村井研、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会第68回年次大会、広島大学、26aXQ-4、2013. 3. 26-29)

[428] “量子ドット3次元構造のボトムアップ成長と物性制御” 喜多隆 (第29回太陽光発電プロジェクト講演会、宮崎大学、2013. 1. 16 ) 招待講演

[427] “量子ドット太陽電池における光励起緩和過程” 喜多隆 (関西支部セミナー「光物性とその光機能-太陽光エネルギーハーベスティングのための新しい光機能-」、大阪市立大学、2013. 1. 12) 招待講演

[426] “窒素を高濃度にデルタドープしたGaAs の磁気光学特性” 山本益輝 (若手フロンティア研究会2012、神大会館2Fホワイエ、2012. 12. 25)

[425] “量子ドット3次元構造のボトムアップ成長と物性制御” 喜多隆 (第12回インテリジェント・ナノプロセス研究会、トラストシティカンファレンス仙台、2012. 12. 20) 招待講演

[424] “量子ドットを利用した光ハーベス” 喜多隆 (平成24年度東北大プロジェクト研究会、茂庭荘、2012. 12. 14) 招待講演

[423] “窒素デルタドーピングによるGaAs電子状態の制御” 山本益輝、木村航平、原田幸弘、喜多隆 (第23回光物性研究会、大阪市立大学、ⅡB-67、 2012. 12. 7)

[422] “In0:53Ga0:47As/InP超格子における2段階光吸収を利用した中間バンド型太陽電池” 原田幸弘、胡衛国、喜多隆 (第23回光物性研究会、大阪市立大学、ⅠB-35、2012. 12. 7)

[421] “GaAsエピタキシャル界面への窒素デルタドーピングと超高均一発光” 喜多隆 (第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)、九州大学筑紫キャンパス、10pAS1、2012. 11. 10) 特別講演

[420] “量子ドット中間バンド型太陽電池における光励起緩和過程” 喜多隆 (第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)、九州大学筑紫キャンパス、10aA02、 2012. 11. 10) 招待講演

[419] “CNTナノコンポジットのフィールドエミッションデバイスへの適用” 喜多隆 (平成24年度第3回カーボンナノ材料研究会、大阪科学技術センタービル、2012. 11. 8) 招待講演

[418] “量子ドット光アンプの利得スペクトル測定” 諏訪雅也、喜多隆 (平成24年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会、和歌山大学、C02、2012. 9. 29)

[417] “熱アニールによる希土類添加半導体AlGdNの紫外発光特性向上” 石津勇太、市井邦之、來山真也、喜多隆、千木慶隆、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (平成24年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会、和歌山大学、A01、2012. 9. 29)

[416] “光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおける2段階光吸収の増強” 原田幸弘、前田剛志、喜多隆 (第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、松山大学、12a-H8-7、2012. 9. 11-14)

[415] “A-IGZO薄膜における物理特性の成膜ガス圧力依存性” 安野聡、喜多隆、高橋真、日野綾、森田晋也、林和志、釘宮敏洋 (第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、松山大学、12p-PB8-16、2012. 9. 11-14)

[414] “光の量子カッティングに向けたYAl60(BO3)4中のTb3+,Yb3+間のエネルギー移動の励起プロセス依存性” 島崎雅史、河田真典、喜多隆、石原嗣生 (第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、松山大学、12a-PA4-8、2012. 9. 11-14)

[413] “InフラックスによるInAs/GaAs量子ドットの積層方向の制御” 別所侑亮、原田幸弘、喜多隆、田口英次、保田英洋 (第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、松山大学、12p-J-5、2012. 9. 11-14)

[412] “SiダイレクトドーピングによるInAs量子ドットのフェルミ準位の変化” 長谷川隆一、井上知也、原田幸弘、喜多隆 (第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、松山大学、12p-J-7、2012. 9. 11-14)

[411] “窒素流量制御による深紫外蛍光薄膜AlGdNの発光強度向上” 市井邦之、來山真也、石津勇太、喜多隆、千木慶隆、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、松山大学、13p-F1-4、2012. 9. 11-14)

[410] “InAs供給量を制御した近接積層InAs/GaAs量子ドットの発光特性” 高橋章浩、池内佑一郎、上田竜也、原田幸弘、喜多隆 (第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学、松山大学、12p-J-6、2012. 9. 11-14)

[409] “希土類イオンを利用した水銀フリー面型紫外光源の開発” 喜多隆、來山真也、千木慶隆、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第34回日本光医学・光生物学会、 神戸商工会議所、WS1-2、2012. 7. 27-28) 招待講演

[408] “Ⅲ-Ⅴ族量子構造を用いたナノフォトニクス応用” 喜多隆 (シリコン・フォトニクス時限研究専門委員会第17回研究会、神戸大学、2012. 7. 12-13) 招待講演

[407] “Temperature Dependent Photocurrent Measurement of InAs/GaAs Quantum Dots Solar Cells” A. Hasegawa, and T. Kita (31th Electronic Materials Symposium、Izu、Fr1-12、2012. 7. 11-13)

[406] “Delocalization of Electronic States Formed by Nitrogen Pairs in GaAs” M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, and T. Kita (31th Electronic Materials Symposium、Izu、We2-18、2012. 7. 11-13)

[405] “歪み補償多層積層量子ドットにおける非共鳴励起キャリアダイナミクス” 田﨑絢哉、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会第67回年次大会、関西学院大学、24pPSA-24、2012. 3. 24-27)

[404] “深紫外蛍光薄膜AlGdNの励起・緩和過程” 市井邦之、石津勇太、來山真也、中村順也、喜多隆、千木慶隆、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成23年度第2回研究会、京都工芸繊維大学、A04、2012. 3. 24)

[403] “Improvent of Optical and Ferromanetic Properties by Nitrogen Vacancies Within Rock-Salt GdN Thin Film” R. Vidyasagar, S. Kitayama, H. Yoshitomi, T. Kita, T. Sakurai, and H. Ohta (日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成23年度第2回研究会、 京都工芸繊維大学、 A05、 2012. 3. 24)

[402] “GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性” 喜多隆、原田幸弘 (第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、15p-E1-7、2012. 3. 15-18)

[401] “窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線幅の温度依存性” 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆 (第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、18a-E1-2、2012. 3. 15-18)

[400] “ナローバンド深紫外蛍光体AlGdN薄膜を用いた電子励起型発光デバイスの特性評価” 來山真也、岩橋進哉、喜多隆、千木慶隆、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、18a-GP8-15、2012. 3. 15-18)

[399] “InAs/GaAs量子ドット広帯域光源による高分解能光コヒーレンストモグラフィ” 椿一平、喜多隆 (第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、16a-A8-9、2012. 3. 15-18)

[398] “近接積層InAs/GaAs量子ドットの光物性” 高橋章浩、池内佑一郎、小西康太、別所侑亮、原田幸弘、喜多隆、田口英次、保田英洋 (第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学、16a-A8-6、2012. 3. 15-18)

[397] “深紫外蛍光薄膜AlGdNの局所配位構造と発光強度の相関関係” 市井邦之、來山真也、岩橋進哉、中村順也、喜多隆、千木慶隆、西本郎朗、田中寛之、 小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第59回応用物理学関係連合講演会、 早稲田大学、 18a-GP8-7、 2012. 3. 15-18)

[396] “量子ドットを用いた偏波無依存デバイス” 喜多隆 (第3回IPDA研究会、古河電工健康保健組合 逗子保養所・研修センター、2012 .2. 2) 招待講演

[395] “量子ドットの3次元構造化と電子状態の制御” 喜多隆 (徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部フロンティア研究センター日亜寄附講座、徳島大学、2011. 12. 27) 招待講演

[394] “希土類添加半導体を利用した深紫外光源の開発” 喜多隆 (2011神戸大学物性実験研究室セミナー、神戸大学、2011. 12. 10) 招待講演

[393] “GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子における励起子–格子相互作用” 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆 (第22回光物性研究会(2011)、熊本大学、III B-106、2011. 12. 9-11)

[392] “GaAs 薄膜における励起子応答の光スイッチング特性” 大田翔平、小島磨、喜多隆、井須俊郎 (第22回光物性研究会(2011)、熊本大学、I A-8、2011. 12. 9-11)

[391] “積層InAs量子ドットにおける光学利得の異方性” 田中秀治、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (第22回光物性研究会(2011)、熊本大学、I A-18、2011. 12. 9-11)

[390] “希土類イオンを利用した面型紫外光源の開発” 喜多隆、來山真也、岩橋進哉、千木慶隆、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第340回蛍光体同学会講演会、化学会館ホール、2011. 11. 11) 招待講演

[389] “光共振器構造を有する中間バンド型太陽電池の光吸収増強効果” 前田剛志、小島磨、原田幸弘、喜多隆 (日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成23年度第1回研究会、神戸大学、B06、2011. 10. 21)

[388] “近接積層量子ドット成長を利用した偏波無依存光応答の実現” 小西康太、池内佑一郎、原田幸弘、喜多隆、田口英次、保田英洋 (日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成23年度第1回研究会、神戸大学、B05、2011. 10. 21)

[387] “AlGdNからの高輝度深紫外発光に影響する局所原子構造の評価” 來山真也、岩橋進哉、中村順也、市井邦之、喜多隆、千木慶隆、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成23年度第1回研究会、神戸大学、B02、2011. 10. 21)

[386] “希土類添加酸化物半導体を利用した光増感と太陽電池への応用” 河田真典、島崎雅史、喜多隆 (日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成23年度第1回研究会、神戸大学、A05、2011. 10. 21)

[385] “量子ドットの積層化と電子状態の制御” 喜多隆 (CRESTシンポジウム、東京大学武田先端知ビル、2011. 10. 17-18) 招待講演

[384] “再生可能エネルギーへの移行:太陽光発電の役割” 喜多隆 (第42回平成23年度神戸大学公開講座研究最前線、神戸大学、2011. 9. 25) 招待講演

[383] “量子ドットへの選択的不純物添加” 喜多隆 (第7回量子ナノ材料セミナー、東京大学先端科学技術研究センター、2011. 9. 21) 招待講演

[382] “強磁性薄膜GdNの強磁性共鳴による研究” 福岡洋平、藤澤真士、張衛民、大久保晋、太田仁、吉富大明、來山真也、喜多隆、和田修 (日本物理学会2011年秋季大会、富山大学、21pTL-7、2011. 9. 21-24)

[381] “GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性” 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆 (日本物理学会2011年秋季大会、富山大学、21pPSA-37、2011. 9. 21-24)

[380] “GaAs薄膜における励起子状態の光制御に対する入射光エネルギー依存性” 五井恵太、小島磨、喜多隆、井須俊郎 (日本物理学会2011年秋季大会、富山大学、21aPB-9、2011. 9. 21-24)

[379] “GaAs inpi 超格子におけるコヒーレントプラズモン振動のドーピング濃度依存性” 小島磨、阪本創、井上知也、喜多隆 (日本物理学会2011年秋季大会、富山大学、21pHD-7、2011. 9. 21-24)

[378] “歪み補償多層積層量子ドットにおける非共鳴励起緩和過程” 田崎絢哉、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会2011年秋季大会、富山大学、21pPSB-46、2011. 9. 21-24)

[377] “積層量子ドット構造におけるキャリア寿命に対する中間層膜厚依存性” 楢原康平、庄司靖、吉田勝尚、星井拓也、神戸大学生、喜多隆、岡田至崇 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、1a-ZA-10、2011. 8. 29-9. 2)

[376] “GaAs薄膜中の光電場に対する局所場の効果” 小島磨、山下太香恵、喜多隆、井須俊郎 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、 31p-P16-3、2011. 8. 29-9. 2)

[375] “非共鳴励起下における励起子ポラリトンと光電場の結合” 大田翔平、小島磨、喜多隆、井須俊郎 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、1p-K-9、2011. 8. 29-9. 2)

[374] “多層積層高密度量子ドットにおける光学利得” 田中秀治、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、2a-K-4、2011. 8. 29-9. 2)

[373] “ナローバンド深紫外蛍光体AlGdNエピタキシャル薄膜の成長温度依存性” 來山真也、岩橋進哉、中村順也、喜多隆、千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、1p-P11-19、2011. 8. 29-9. 2)

[372] “ナローバンド深紫外蛍光体AlGdN薄膜の電子線励起による発光特性” 岸直央、來山真也、喜多隆、千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、1p-P11-20、2011. 8. 29-9. 2)

[371] “GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光” 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、1p-K-10、2011. 8. 29-9. 2)

[370] “窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線の起源” 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、30p-ZA-6、2011. 8. 29-9. 2)

[369] “不純物制御したInAs量子ドットにおける発光再結合ダイナミックス” 長谷川隆一、井上知也、田中秀治、原田幸弘、小島磨、喜多隆 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、1a-ZA-4、2011. 8. 29-9. 2)

[368] “近接積層に伴う量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性変化” 池内佑一郎、麻田将貴、井上知也、原田幸弘、喜多隆、田口英次、保田英洋 (第72回応用物理学関係連合講演会、山形大学、1a-ZA-11、2011. 8. 29-9. 2)

[367] “Layer-by-Layer法による交互吸着シアニン色素薄膜の作製” 藤井良治小島磨、喜多隆 (第72回応用物理学関係連合講演会山形大学、30a-S-1、2011. 8. 29-9. 2)

[366] “希土類イオンを利用した面型紫外光源の開発” 喜多隆 (第15回寄附講座セミナー、阿南工業高等専門学校、2011. 7. 27) 招待講演

[365] “Deep-UV Emission Properties of AlGdN Phosphor Thin Film Using Electron-Beam Excitation” S. Iwahashi, N. Kishi, S. Kitayama, T. Kita, Y. Chigi, T. Nishimoto, H. Tanaka, M. Kobayashi, T. Tsuguo, A. Magario, and T. Noguchi (30th Electronic Materials Symposium, Biwako, Th2-12, June 29-July 1, 2011)

[364] “In-Plane Optical Anisotropy in Stacked InAs Quantum Dots with Interconnected Electron States” H. Tanaka, O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane (30th Electronic Materials Symposium, Biwako, Th1-9, June 29-July 1, 2011)

[363] “Capping Layer Dependence of Bound Exciton Luminescence in Nitrogen Delta-Doped GaAs” Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita (30th Electronic Materials Symposium, Biwako, Th3-10, June 29-July 1, 2011)

[362] “Electronic States in Multiply Stacked InAs/GaAs Quantum Dots Studied by Polarized Photoluminescence Spectroscopy” Y. Ikeuchi, M. Asada, T. Inoue, Y. harada, O. Kojima, and T. Kita (30th Electronic Materials Symposium, Biwako, Th1-10, June 29-July 1, 2011)

[361] “Optimum Design of InAs/GaAs Quantum Dots and Device Structures for Solar Cells” A. Hasegawa, W. Hu, and T. Kita (30th Electronic Materials Symposium, Biwako, Th1-7, June 29-July 1, 2011)

[360] “希土類イオンを利用した水銀フリー深紫外光源の開発” 喜多隆 (新無機膜研究会 平成23年度総会・第64回研究会、尼崎リサーチインキュベーションセンター、2011. 6. 15) 招待講演

[359] “希土類イオンを利用した面型深紫外光源の開発” 喜多隆 (日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第74回研究会、キャンパス・イノベーションセンター東京、2011. 4. 22) 招待講演

[358] “GaAs薄膜における励起子状態制御に対する空間電場コヒーレンスの効果” 五井恵太、小島磨、山下太香恵、喜多隆、井須俊郎 (日本物理学会第66回年次大会、新潟大学、25pPSB-31、2011. 3. 25-28)

[357] “多層積層量子ドット励起子とスペーサー層キャリアとの相関” 小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会第66回年次大会、新潟大学、25pHD-7、2011. 3. 25-28)

[356] “GaAs/AIAs超格子における励起子非線形光学特性に対するミニバンド形成の効果” 山下太香恵、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会第66回年次大会、新潟大学、25pPSA-19、2011. 3. 25-28)

[355] “トップダウンとボトムアップの融合による量子ナノ構造作製プロセスのブレークスルーと新たなデバイスへの展開” 喜多隆 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、26p-BN-1、2011. 3. 24-27)イントロダクトリートーク

[354] “重心運動閉じ込め励起子の量子ビートの生成と検出” 大田翔平、小島磨、喜多隆、井須俊郎 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、25a-KV-7、2011. 3. 24-27)

[353] “シアニン色素薄膜におけるエネルギー移動の飽和のメカニズム” 藤井良治、小島磨、喜多隆 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、24p-KH-8、2011. 3. 24-27)

[352] “ナローバンド深紫外蛍光体AlGdN結晶薄膜の電子線励起発光特性” 岩橋進哉、岸直央、來山真也、喜多隆、千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和、曲尾章、野口徹 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、26p-BW-9、2011. 3. 24-27)

[351] “ナローバンド深紫外蛍光体AlGdNエピタキシャル薄膜の低温成長” 來山真也、岩橋進哉、中村順也、喜多隆、千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、26p-BW-8、2011. 3. 24-27)

[350] “近接多層積層量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性” 池内佑一郎、麻田将貴、井上知也、原田幸弘、小島磨、喜多隆 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、24p-BQ-5、2011. 3. 24-27)

[349] “多層積層量子ドットにおける偏光特性の励起光強度依存性” 田中秀治、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、26p-KV-3、2011. 3. 24-27)

[348] “SiドープInAs量子ドットにおける非輻射再結合の抑制” 井上知也、喜多隆 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、24p-BQ-3、2011. 3. 24-27)

[347] “ 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性” 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、25p-BQ-3、2011. 3. 24-27)

[346] “GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性” 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆 (第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、25a-KV-6、2011. 3. 24-27)

[345] “自己形成量子ドット成長過程のその場観察と新規光デバイスの作製” 喜多隆、井上知也 (日本表面科学会第67回表面科学研究会<In-situモニタリングの視点からみた表面制御・評価技術~現状と課題~>、機械振興会館、2011. 2. 2) 招待講演

[344] “希土類化合物半導体GdNにおけるバンド端光吸収の磁気光学特性” 吉富大明、來山真也、喜多隆、藤澤真士、太田仁 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、ⅢA-95、2010. 12. 10)

[343] “シアニン色素薄膜におけるエネルギー移動に対するドナー‐アクセプタ分子数比の効果” 藤井良治、小島磨、喜多隆 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、III A-91、2010. 12. 10)

[342] “GaSb/AlGaSb多層量子井戸構造における発光特性” 加島正一、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、2010. 12. 10)

[341] “GaAs中の窒素等電子トラップ束縛励起子の発光ダイナミクス” 久保輝宜、井上知也、原田幸弘、小島磨、喜多隆 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、2010. 12. 10)

[340] “検出パルス制御によるGaAs薄膜中の閉じ込め励起子の超高速応答” 大田翔平、小島磨、喜多隆、井須俊郎 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、2010. 12. 10)

[339] “変調ドープGaAsにおけるコヒーレントプラズモンのドーピング濃度依存性” 阪本創、 小島磨、 井上知也、 喜多隆 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、2010. 12. 10)

[338] “窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフト” 原田幸弘、久保輝宜、小島磨、喜多隆 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、2010. 12. 10)

[337] “GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の光制御” 五井恵太、小島磨、山下太香恵、喜多隆、井須俊郎 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、2010. 12. 10)

[336] “歪み補償積層量子ドットの光学異方性” 田中秀治、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、2010. 12. 10)

[335] “積層超高密度量子ドットにおけるキャリアダイナミクス” 小島磨、飛田直樹、喜多隆、赤羽浩一 (第21回光物性研究会(2010)、大阪市立大学、2010. 12. 10)

[334] “自己形成量子ドットの精密な成長制御と3次元構造化” 喜多隆 (平成22年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会<ナノスケールのゆらぎ・電子相関制御に基づく新規ナノデバイス>、ベルサンピアみやぎ泉、2010. 11. 26-27) 招待講演

[333] “量子ドットの多層積層化に伴う偏光異方性の発現と制御” 池内佑一郎、麻田将貴、井上知也、原田幸弘、小島磨、喜多隆 (日本材料学会半導体エレクトロニクス研究部門平成22年度第2回研究会、大阪府立大学、2010. 11. 20)

[332] “AIGdN結晶薄膜を利用したナローバンド深紫外発光デバイスの開発と基礎特性” 岸直央、來山真也、喜多隆、曲尾章、野口徹千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、小林幹弘 (日本材料学会半導体エレクトロニクス研究部門平成22年度第2回研究会、大阪府立大学、2010. 11. 20)

[331] “量子ドット超格子によるキャリアダイナミックス制御” 喜多隆 (第6回量子ナノ材料セミナー<半導体量子ナノ構造を用いた超高効率太陽電池の展望と技術課題>、 (独)物質・材料研究機構、2010. 10. 1) 招待講演

[330] “変調ドープGaAsにおける長寿命コヒーレントプラズモン” 阪本創、小島磨、井上知也、喜多隆 (日本物理学会2010年秋季大会、大阪府立大学、24pRC-8、 2010. 9. 23-26)

[329] “GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の制御性” 五井恵太、山下太香恵、小島磨、喜多隆、井須俊郎 (日本物理学会2010年秋季大会、大阪府立大学、25pPSB-31、2010. 9. 23-26)

[328] “高密度多層積層量子ドットにおけるキャリア移動” 小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会2010年秋季大会、大阪府立大学、25aWQ-1、2010. 9. 23-26)

[327] “GaAs/AlAs超格子における励起子非線形光学特性に対する励起子分子の寄与” 山下太香恵、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (日本物理学会2010年秋季大会、大阪府立大学、25aWQ-4、2010. 9. 23-26)

[326] “積層量子ドットにおける偏光特性に対する電子的結合効果” 田中秀治、小島磨、喜多隆、赤羽浩一 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)

[325] “希土類窒化物半導体GdNの強磁性相転移に伴うバンド端構造変化” 吉富大明、來山真也、喜多隆、藤澤真士、太田仁 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)

[324] “Siダイレクトドーピングをした積層量子ドットの中間バンド型太陽電池への応用” 森岡孝之、大島隆治、高田彩未、庄司靖、井上知也、喜多隆、岡田至崇 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)

[323] “深紫外光源用Gd添加AIN薄膜の構造と発光強度の関係” 小林幹弘、千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、喜多隆、來山真也、石原嗣生、泉宏和 (第71回応用物理学会学術講演会、 崎大学、2010. 9. 14-17)

[322] “量子ドット太陽電池における吸収係数の理論的解析” 胡衛国、井上知也、小島磨、喜多隆 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)

[321] “GaAs薄膜におけるレーザースペクトル幅制御による励起子応答制御” 大田翔平、小島磨、喜多隆、井須俊郎 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)

[320] “Siを直接ドープしたInAs量子ドットにおける発光増強機構” 井上知也、笹山憲吾、喜多隆 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)

[319] “多層積層量子ドットにおける高次励起子準位励起効果” 小島磨、飛田直樹、喜多隆、赤羽浩一 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)

[318] “シアニン色素薄膜におけるエネルギー移動の高効率化” 藤井良治、小島磨、喜多隆 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)

[317] “AINバッファー層導入による深紫外蛍光体AIGdNの発光強度向上” 來山真也、吉富大明、岩橋進哉、中村順也、喜多隆、千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、 2010. 9. 14-17)

[316] “プラズマチューブアレイを用いたフィルム型水銀フリー深紫外光源” 郭濱剛、粟本健司、篠田傳、千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和、喜多隆 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、15p-NB-5、2010. 9. 14-17)招待講演

[315] “Ⅲ-Ⅴ半導体中不純物制御と励起子物性” 原田幸弘、喜多隆 (第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、2010. 9. 14-17)招待講演

[314] “Optical Anisotropy in Vertically Stacked InAs Quantum Dots” T. Inoue, M. Asada, and T. Kita (29th Electronic Materials Symposium, Shyuzennji, July 14-16, 2010)

[313] “Long-Lived Oscillation Due to Coherent Plasmons in a Modulation Doped GaAs” T. Sakamoto, O . Kojima, T. Inoue, and T. Kita (29th Electronic Materials Symposium, Shyuzennji, July 14-16, 2010)

[312] “Polarization Control of Semiconductor Optical Amplifiers by Using Vertically Stacked InAs/GaAs Quantum Dots” M. Asada, T. Inoue, N. Yasuoka, and T. Kita (29th Electronic Materials Symposium, Shyuzennji, July 14-16, 2010)

[311] “GaAs/AlAs超格子における励起子非線形応答の励起光強度依存性” 山下太香恵、小島磨、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (日本物理学会第65回年次大会、岡山大学、23aPS-40、2010. 3. 20-23)

[310] “高密度多層積層量子ドットにおける励起子緩和ダイナミクス” 小島磨、狸塚正貴、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (日本物理学会第65回年次大会、岡山大学、21aHW-8、2010. 3. 20-23)

[309] “自己形成量子ドッによる光制御” 喜多隆 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、19p-TG-6、2010. 3. 17-20)

[308] “シアニン色素添加ポリマー薄膜におけるエネルギー移動特性の制御” 濱野将吾、小島磨、喜多隆、和田修 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、17a-ZL-2、2010. 3. 17-20)

[307] “積層InAs/GaAs量子ドットにおけるEL偏光特性制御” 井上知也、麻田将貴、安岡奈美、喜多隆、和田修 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、17p-TW-15、2010. 3. 17-20)

[306] “積層量子ドットにおける光励起キャリアの緩和ダイナミクス” 狸塚正貴、小島磨、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、17a‐TM‐18、2010. 3. 17-20)

[305] “GaAsN量子井戸からInAs量子ドットへのキャリアトンネリング特性” 大田翔平、金潮淵、Mark Hopkinson、小島磨, 喜多隆、和田修 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、17a‐TM‐28、2010. 3. 17-20)

[304] “深紫外蛍光体AlGdNの発光効率に及ぼす局所構造の影響” 來山真也、吉富大明、喜多隆、和田修、千木慶隆、西本哲郎、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、20p‐TF‐5、2010. 3. 17-20)

[303] “中間バンド型量子ドット太陽電池のエネルギー変換効率に及ぼすバンド構造の影響” 胡衛国、井上知也、喜多隆、小島磨、和田修 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、17a‐TF‐6、2010. 3. 17-20)

[302] “窒素をデルタドープしたGaAsにおける電子状態の磁場依存性” 原田幸弘、小島磨、喜多隆、和田修 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、17a-TM‐29、2010. 3. 17-20)

[301] “カーボンナノファイバー/エラストマー複合体を利用したフィールドエミッションデバイスにおける電界集中効果” 岸直央、喜多隆、和田修、曲尾章、野口徹 (第57回応用物理学関係連合講演会、東海大学、20a-TD-7、2010. 3. 17-20)

[300] “希土類窒化物半導体を用いたナローバンド深紫外光源の開発” 喜多隆 (応用物理学会開催支部セミナー「光物性とその制御」~希土類添加半導体の光物性とその光機能~、大阪府立大学、2010. 1. 9 )招待講演

[299] “GaAs中窒素配列ナノ空間からの励起子分子発光” 喜多隆、原田幸弘 (特定領域研究会議「配列ナノ空間を利用した新物質科学・ユビキタス戦略」、東京大学、2010. 1. 7)

[298] “深紫外蛍光体AlGdNの原子構造制御による発光効率の向上” 來山真也、 喜多隆、千木慶隆、笠井義弘、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、石原嗣生、泉宏和 (日本材料学会「半導体エレクトロニクス研究部門平成21年度第1回研究会、大阪工業大学、2009. 12. 19)

[297] “希土類窒化物半導体GdNヘテロ構造の基礎物性” 吉富大明、來山真也、喜多隆、和田修、藤澤真士、太田仁 (日本材料学会「半導体エレクトロニクス研究部門平成21年度第1回研究会、大阪工業大学、2009. 12. 19)日本材料学会半導体エレクトロニクス部門学生優秀講演賞受賞

[296] “InAs量子ドット積層構造による端面発光の偏光特性制御” 井上知也、麻田将貴、小島磨、喜多隆、和田修 (日本材料学会「半導体エレクトロニクス研究部門平成22年度第1回研究会、大阪工業大学、2009. 12. 19)

[295] “歪み補償積層InAs量子ドットにおける面内励起子移動のバンド内緩和過程への効果” 狸塚正貴、小島磨、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (第20回光物性研究会、大阪市立大学、2009. 12. 11-12)

[294] “GaAs中の窒素等電子束縛励起子における励起子ダイナミックス” 原田幸弘、小島磨、喜多隆、和田修 (第20回光物性研究会、大阪市立大学、2009. 12. 11-12)

[293] “シアンニン色素添加ポリマー薄膜におけるエネルギー移動特性に対するスペクトル重なりの効果” 濱野将吾、小島磨、喜多隆、和田修 (第20回光物性研究会、大阪市立大学、2009. 12. 11-12)

[292] “GaAs薄膜における閉じ込め励起子の双極子モーメント” 山下太香恵、小島磨、喜多隆、和田修、井須俊郎 (第20回光物性研究会、大阪市立大学、2009. 12. 11-12)

[291] “カーボンナノチューブナノコンポジットの電気伝導特性の制御とフィールドエミッションデバイスの最適化” 喜多隆 (特定領域研究「カーボンナノチューブナノエレクトロニクス」第1回研究会、淡路島、2009. 11. 19-21)

[290] “GaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーション” 原田幸弘、小島磨、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (日本物理学会2009年秋季大会、27aPS-54、2009. 9)

[289] “GaAs薄膜の励起子非線形光学応答制御における第一パルス光強度依存性” 山下太香恵、小島磨、喜多隆、和田修、井須俊郎 (日本物理学会2009年秋季大会、27aPS-28、2009. 9)

[288] “GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子非線形光学応答制御” 小島磨、山下太香恵、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (日本物理学会2009年秋季大会、26aXD-13、2009. 9)

[287] “GaAs中窒素配列構造の制御とスケーラブル光子デバイスに向けた基礎サイエンス” 喜多隆 (平成21年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「半導体サイエンスと半導体テクノロジーの融合―技術を先導する半導体サイエンスを目指して―)茂庭荘、2009. 10. 16-17)招待講演

[286] “ナローバンド深紫外光源の開発” 喜多隆、來山真也、 千木慶隆、笠井義弘、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘 (日本セラミックス協会第22回秋季シンポジウム、愛媛大学、2009. 9. 17)招待講演

[285] “SiダイレクトドーピングしたInAs量子ドットにおけるキャリア補償効果” 笹山憲吾,井上知也,喜多隆,小島磨, 和田修 (第70回応用物理学会学術講演会、10p-C-9、2009. 9)

[284] “シアニン色素薄膜におけるフェルスター型エネルギー移動による励起子緩和特性の制御” 濱野将吾、小島磨、喜多隆、和田修 (第70回応用物理学会学術講演会、9a-ZK-7、2009. 9)

[283] “InGaAs歪緩和InAs量子ドットを利用した高帯域光源の開発” 津田恵実、井上知也、喜多隆、和田修 (第70回応用物理学会学術講演会、10p-C-15、2009. 9)

[282] “InAs/GaAs量子ドットの積層構造による端面発光の偏波制御” 井上知也、麻田将貴、小島磨、喜多隆、和田修 (第70回応用物理学会学術講演会、10p-C-17、2009. 9)

[281] “量子ドット埋め込み面型共振器光スイッチ” 金潮淵、小島磨、喜多隆、和田修、M. Hopkinson、赤羽浩一 (第70回応用物理学会学術講演会、8p-TH-5、2009. 9)

[280] “量子ドット埋め込み面型共振器光スイッチにおけるサブバンド間緩和の効果”金潮淵、小島磨、喜多隆、和田修、M. Hopkinson、赤羽浩一 (第70回応用物理学会学術講演会、11a-P8-21、2009. 9)

[279] “AlN/GdNヘテロ構造の作製と基礎光学特性の評価” 吉富大明、來山真也、喜多隆、和田修、藤澤真士、E. Fatma、太田仁 (第70回応用物理学会学術講演会、10a-X-4、2009. 9)

[278] “窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子分子発光” 原田幸弘、堀内義基、小島磨、喜多隆、和田修 (第70回応用物理学会学術講演会、8p-TH-4、2009. 9)

[277] “GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子非線形光学特性の制御” 小島磨、山下太香恵、喜多隆、和田修、井須俊郎、赤羽浩一 (第70回応用物理学会学術講演会、9p-TH-3、2009. 9)

[276] “希土類を利用した深紫外ナローバンド発光デバイスの開発” 喜多隆 (第53回フォトニクスフォーラム、名古屋工業大学、2009. 7. 10)招待講演

[275] “Direct Silicon Doping into Self-Aassembled InAs Quantum Dots by Utilizing Self-Assembling Growth Process” T. Inoue, K. Sasayama, S. Kido, T. Kita, and O. Wada (Proc. 28th Electronic Materials Symposium, Biwako, July 8-10, 2009)

[274] “Enhanced Deep-Ultraviolet Luminescence of AlGdN Grown at Low Temperature” S. Kitayama, H. Yoshitomi, T. Kita, O. Wada, Y. Chigi, Y. Kasai, T. Nishimoto, H. Tanaka, and M. Kobayashi (Proc. 28th Electronic Materials Symposium, Biwako, July 8-10, 2009)

[273] “Magnetic-Field Control of the Exciton Fine Polarization Splitting of Nitrogen Pair Centers in GaAs” Y. Harada, T. Inoue, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada (Proc. 28th Electronic Materials Symposium, Biwako, July 8-10, 2009)

[272] “Multiband Optical Absorption in Stacked InAs Quantum Dots” M. Mamizuka, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and K. Akahane (Proc. 28th Electronic Materials Symposium, Biwako, July 8-10, 2009)

[271] “GaAs 薄膜における励起子過渡応答に対する空間コヒーレンス効果” 小島磨、渡辺真吾、喜多隆、和田修、井須俊郎 (第56回応用物理学会関係連合講演会、30p-ZB-10、2009. 3)

[270] “窒素をデルタドープしたGaAs における等電子束縛励起子微細構造の磁場制御” 原田幸弘、小島磨、喜多隆、和田修 (第56回応用物理学会関係連合講演会、30p-ZB-9、2009. 3)

[269] “量子ドット埋め込み面型共振器構造を用いた超高速全光スイッチ” 金潮淵、小島磨、田嶋良幸、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (第56回応用物理学会関係連合講演会、31p-ZF-1、2009. 3)

[269] “高密度積層量子ドットにおける発光増強機構” 狸塚正貴、小島磨、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (第56回応用物理学会関係連合講演会、31p-ZB-2、2009. 3)

[267] “GaAs(001)表面窒化過程のRHEED観察と精密制御” 藤原正幸、井上知也、久保輝宜、佐々井恒一、喜多隆、和田修 (第56回応用物理学会関係連合講演会、31p-J-15、2009. 3)

[266] “ダイレクトドーピングしたInAs量子ドットの不純物取り込み効果” 笹山憲吾、木戸聖、井上知也、喜多隆、和田修 (第56回応用物理学会関係連合講演会、1p-J-4、2009. 3)

[265] “希土類窒化アルミニウムを用いたナローバンド深紫外発光デバイス特性” 來山真也、河村大之、田中祐介、 吉富大明、喜多隆、和田修、千木慶隆、 笠井義弘、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘 (第56回応用物理学会関係連合講演会、30a-P4-16、2009. 3)

[264] “カーボンナノファイバを分散したアルミニウム複合体エミッタの電子銃特性” 鶴野祐介、田中大貴、柳久雄、大野輝昭、喜多隆、曲尾章、横山和幸、 野口徹 (第56回応用物理学会関係連合講演会、1a-X-1、2009. 3)

[263] “希土類元素を利用したグリーンデバイスへの挑戦” 喜多隆 (「科学技術による地域活性化戦略」ワークショップ、兵庫県民会館、2009. 2. 21)(招待講演)

[262] “超高速全光スイッチに向けた励起子光学非線形応答制御” 小島磨、喜多隆、和田修、井須俊郎 (ナノ学会、ナノ構造・物性部会第1回研究会、神戸大学、2009. 1. 23-24)

[261] “GaAs薄膜における励起子ポラリトン伝播効果” 渡部真吾、小島磨、喜多隆、和田修、井須俊郎 (第19回光物性研究会、大阪市立大学、2008. 12. 5-6)

[260] “シアンニン色素添加ポリマー薄膜における励起子緩和時間の制御” 濱野将吾、小島磨、喜多隆、和田修 (第19回光物性研究会、大阪市立大学、2008.12. 5-6)

[259] “窒素をデルタドープしたGaAsにおける等電子束縛励起子微細構造分裂の磁場制御” 原田幸弘、喜多隆、和田修 (第19回光物性研究会、大阪市立大学、2008.12. 5-6)

[258] “積層超高密度量子ドットの発光特性に対する3次元的結合効果” 小島磨、中谷浩彰、喜多隆、和田修、赤羽浩一、土屋昌弘 (第19回光物性研究会、大阪市立大学、2008.12. 5-6)

[257] “InAs 量子ドット積層構造による端面発光偏波制御” 岸本一正、井上知也、小島磨、喜多隆、和田修 (平成20年度電気関係学会関西支部連合大会、「関西からはばたく最新技術」奨励賞受賞依頼講演、 2008. 11. 8)

[256] “CdTe/CdMnTe 分数層超格子における異方的な磁気光学特性のMn組成分布依存性” 原田幸弘、喜多隆、和田修、安藤弘明、H. Mariette (日本物理学会2008年秋季大会、21aYK-11、2008. 9)

[255] “GaAs 薄膜における超高速励起子密度制御”小島 磨、喜多 隆、和田 修、井須 俊郎 (日本物理学会2008年秋季大会、22aPS-43、2008. 9)

[254] “GaAs薄膜における励起子ポラリトン伝播効果の膜厚依存性” 渡部真吾、小島磨、喜多隆、和田修、井須俊郎 (日本物理学会2008年秋季大会、21pYH-2、2008. 9)

[253] “GaAs 中の窒素アイソエレクトロニック中心に束縛された励起子微細構造における局所場効果” 原田幸弘、喜多隆、和田修 (第69回応用物理学会学術講演会、4a-ZQ-8、2008. 9)

[252] “希土類添加窒化アルミニウムを用いたナローバンド深紫外発光デバイスの開発” 來山真也、 河村大之、田中祐介、喜多隆、和田修、千木慶隆、笠井義弘、西本哲朗、田中寛之、小林幹弘、柳久雄、曲尾章、野口徹 (第69回応用物理学会学術講演会、3p-S-11、2008. 9)

[251] “デュアルチョップフォトリフレクタンス法による半導体材料の非破壊評価” 荻野雄士、喜多隆、和田修 (第69回応用物理学会学術講演会、3p-S-17、2008. 9)

[250] “原子層窒化InAs量子ドットにおける励起子緩和時間の制御” 狸塚正貴、小島磨、井上知也、喜多隆、和田修 (第69回応用物理学会学術講演会、2a-CF-10、2008. 9)

[249] “原子層窒素ドーピングによるInAs量子ドットからのIn偏析制御” 井上知也、狸塚正貴、小島磨、喜多隆、和田修 (第69回応用物理学会学術講演会、2a-CF-9、2008. 9)

[248] “自己形成過程を利用したInAs量子ドットへのダイレクトドーピング” 木戸聖、笹山憲吾、井上知也、喜多隆、和田修 (第69回応用物理学会学術講演会、2a-CF-8、2008. 9)

[247] “CNF/Al複合体側面電子放出素子に及ぼすCNF含量と窒素濃度の影響” 田中大貴、中村浩尚、柳久雄、喜多隆、曲尾章、横山和幸、野口徹 (第69回応用物理学会学術講演会、4p-ZS-13、2008. 9)

[246] “カーボンナノファイバー/エラストマー複合体シートの電子放出特性と電気伝導性” 河村大之、喜多隆、和田修、柳久雄、 曲尾章、野口徹 (第69回応用物理学会学術講演会、4p-ZS-12、2008. 9)

[245] “GaAs薄膜における閉じ込め励起子の密度制御” 小島磨、喜多隆、和田修、井須俊郎 (第69回応用物理学会学術講演会、3a-ZQ-7、2008.9)

[244] “積層量子ドットにおける励起子発光強度に対する電子間結合効果” 小島磨、中谷浩彰、喜多隆、和田修、赤羽浩一、土屋昌弘 (第69回応用物理学会学術講演会、4p-ZQ-18、2008. 9)

[243] “GaAs中窒素束縛励起子微細構造の制御と応用” 喜多隆 (第69回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「窒素添加半導体技術のマイルストーンと新展開」招待講演、2008. 9)

[242] “GaAsへの希薄窒素添加と局所光応答” 喜多隆 (第4回量子ナノ材料セミナー、電気通信大学、2008. 7. 23)招待講演

[241] “Propagation Effect to Exciton-Polaritons in GaAs thin Films” S. Watanabe, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and T. Isu (Proc. 27th Electronic Materials Symposium, J-14, Shyuzennji, July 9-11, 2008)

[240] “Growth and Characterization of Double-Stacked InAs Self-Assembled Quantum Dots for Polarization Control of Edge Emission” T. Inoue, K. Kishimoto, O. Kojima, T. Kita and O. Wada (Proc. 27th Electronic Materials Symposium, K-10, Shyuzennji, July 9-11, 2008)

[239] “CdTe/CdMnTe分数層超格子における発光線幅の磁場依存性” 原田幸弘、喜多隆、和田修、安藤弘明、H. Mariette (日本物理学会第63回年次大会、25pWJ-6、2008. 3)

[238] “GaAs薄膜における複数準位励起下での閉じ込め励起子の過渡反射スペクトル” 渡部真吾、小島磨、喜多隆、和田修、井須俊郎 (日本物理学会第63回年次大会、26aPS-27、2008. 3)

[237] “Cu-Pt合金薄膜の熱伝導率と金属組織評価” 三宅 修吾、三宅 綾、池田健一、高松弘行、喜多隆 (第55回応用物理学会関係連合講演会、29a-M-10、2008. 3)

[236] “カーボンナノファイバー/アルミニウム複合体を用いた側面電子放出素子” 田中大貴、中村浩尚、柳久雄、河村大之、喜多隆、和田修、曲尾章、野口徹 (第55回応用物理学会関係連合講演会、29a-J-4、2008. 3)

[235] “カーボンナノファイバー/エラストマー複合体を利用したITOレス・フレキシブルフィールドエミッションデバイスの開発” 河村大之、喜多隆、和田修、中村浩尚、柳久雄、曲尾章、野口徹 (第55回応用物理学会関係連合講演会、29a-J-5、2008. 3)

[234] “希土類添加窒化アルミニウムを用いたフィールドエミッション深紫外発光源の開発” 岸本篤典、来山真也、喜多隆、和田修、小林幹弘、笠井義弘、千木慶隆 (第55回応用物理学会関係連合講演会、29p-ZJ-18、2008. 3)

[233] “GaAs薄膜における閉じ込め励起子の超高速非線形応答の励起光強度依存性” 小島磨、宮川歩弓、喜多隆、和田修、井須俊郎 (第55回応用物理学会関係連合講演会、27p-ZD-15、2008. 3)

[232] “積層量子ドットにおける励起子振動子強度の温度依存性” 中谷浩彰、喜多隆、小島磨、和田修、赤羽浩一、土屋昌弘 (第55回応用物理学会関係連合講演会、28p-E-6、2008. 3)

[231] “端面発光偏波制御を目指したInAs量子ドット積層構造の作製” 井上知也、岸本一正、小島磨、喜多隆、和田修 (第55回応用物理学会関係連合講演会、28a-ZT-4、2008. 3)

[230] “RHEEDシェブロン構造その場分析によるGaAs キャップ層成長中のInAs/GaAs 量子ドット形状評価” 工藤卓也、井上知也、喜多隆、和田修 (第55回応用物理学会関係連合講演会、28p-ZT-1、2008. 3)

[229] “GaAs 中の窒素アイソエレクトロニック中心に束縛された励起子微細構造の磁場制御” 原田幸弘、喜多隆、和田修 (第55回応用物理学会関係連合講演会、29p-ZT-12、2008. 3)

[228] “GaAsへの窒素の位置制御ドープと励起子微細構造偏光分離” 喜多隆、原田幸弘、和田修 (第55回応用物理学会関係連合講演会、29p-ZT-11、2008. 3)

[227] ”希薄磁性半導体量子細線における価電子帯スピン量子化軸の制御” 喜多隆、原田幸弘、和田修、安藤弘明、H. Mariette (第12回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会、D1、大阪大学、2007. 12. 20-21)招待講演

[226] “スペクトル分解反射型ポンプ・プローブ法によるGaAs薄膜中閉じ込め励起子の過渡応答特性” 渡部真吾、小島磨、喜多隆、和田修、井須俊郎 (第18回光物性研究会、II A-47、大阪市立大学、2007.12. 8-9)

[225] ”CdTe/CdMnTe分数層超格子における異方的な磁気光学効果” 原田幸弘、喜多隆、和田修、安藤弘明、H. Mariette (第18回光物性研究会、III B-96、大阪市立大学、2007. 12. 8-9)

[224] ”GaAs中窒素等電子トラップの励起子微細構造” 原田幸弘、喜多隆、和田修 (第18回光物性研究会、I A-12、大阪市立大学、2007. 12. 8-9)

[223] “積層量子ドットの発光特性制御” 中谷浩彰、喜多隆、小島磨、和田修、赤羽浩一、土屋昌弘 (第18回光物性研究会、III A-75、大阪市立大学、2006. 12. 8-9)

[222] “希土類添加窒化アルミニウムによる新しい深紫外光源の開発” 岸本篤典、喜多隆、和田修、小林幹弘、笠井義弘、千木慶隆 (平成19年度電気関係学会関西支部連合大会、G6-25, 2007. 11. 17-18)

[221] “コラムナ量子ドットによる広帯域発光特性制御” 岸本一正、井上知也、喜多隆、和田修 (平成19年度電気関係学会関西支部連合大会、G6-27, 2007. 11. 17-18)

[220] “単一InAs量子ドットの三次元微細構造解析” 今野充、矢口紀恵、上野武夫、中村邦康、東淳三、井上知也、喜多隆 (LSIテスティングシンポジウム2007、2007. 11. 7-9)

[219] “CdTe/CdMnTe分数層超格子における異方的なZeemanシフト” 原田幸弘、喜多隆、和田修、安藤弘明、H. Mariette (日本物理学会2007年秋季大会、22aTG-7、2007. 9)

[218] “液滴エピタキシー法による自己形成InGaAs/GaAs量子ドットの発光偏光特性” 乾彰利、木戸聖、小島磨、喜多隆、和田修 (第68回応用物理学会学術講演会6p-E-6、2007. 9)

[217] “電子線トモグラフィーによるInAs量子ドットの三次元構造解析” 井上知也、喜多隆、和田修、今野充、矢口紀恵、上野武夫 (第68回応用物理学会学術講演会6p-E-3、2007 .9)

[216] “InAs/GaAs量子ドット自己形成過程のRHEEDシェブロン構造のその場分析とIn拡散効果” 工藤卓也、井上知也、喜多隆、和田修 (第68回応用物理学会学術講演会6p-E-2、2007. 9)

[215] “カーボンナノファイバー/エラストマー複合体シートを用いた側面電子放出素子(II)―グリッドによる電界制御―” 河村大之、喜多隆、和田修、柳久雄、曲尾章、野口徹 (第68回応用物理学会学術講演会、5p-T-20、2007. 9)

[214] “カーボンナノファイバー/エラストマー複合体シートを用いた側面電子放出素子” 中村浩尚、柳久雄、喜多隆、曲尾章、野口徹 (第68回応用物理学会学術講演会、5p-T-19、2007. 9)

[213] “フィールドエミッション深紫外発光デバイスの試作” 岸本篤典、喜多隆、和田修 (第68回応用物理学会学術講演会、5p-L-8、2007. 9)

[212] “Optical Emission and Dynamics from Coupled States in Stacked Quantum Dots” H. Nakatani, T. Kita, O. Kojima, O. Wada, K. Akahane, and M. Tsuchiya (Proc. 26th Electronic Materials Symposium, Biwako, July 4-6, 2007)

[211] “Anisotropic Radiative Recombonation Lifetime in CdTe/CdMnTe Quantum Wires” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, H. Ando, and H. Mariette (Proc. 26th Electronic Materials Symposium, Biwako, July 4-6, 2007)

[210] “Multidirection High-Resolution Transmission Electron Microscope Observation of a Single InAs Self-Assembled Quantum Dot Embbeded in GaAs” T. Inoue, T. Kita, and O. Wada (Proc. 26th Electronic Materials Symposium, Biwako, July 4-6, 2007)

[209] “In-Situ Observation of Self-Regurated Process in InAs/GaAs/ Quantum Dot Growth” T. Kudo, T. Inoue, T. Kita, and O. Wada (Proc. 26th Electronic Materials Symposium, Biwako, July 4-6, 2007)

[208] “フレキシブルCNTナノコンポジットの高輝度フィールドエミッション” 喜多隆 (日本化学会第87回春季年会(2007)、2C2-48、関西大学、2007. 3. 25-28)依頼講演

[207] “CdTe/CdMnTe量子細線の1次元励起子と磁場による光制御” 喜多隆 (第54回応用物理学会関係連合講演会、「多元化合物とナノテクノロジーシンポジウム招待講演、27p-W-7、2007. 3)

[206] “カーボンナノファイバー/エラストマー複合体からの強い電子放出” 林洋介、河村大之、喜多隆、和田修、柳久雄、曲尾章、野口徹、遠藤守信 (第54回応用物理学会関係連合講演会、27p-ZR-13、2007. 3)

[205] “結合量子ドットの発光ダイナミックス” 中谷浩彰、喜多隆、小島磨、和田修、赤羽浩一、土屋昌弘 (第54回応用物理学会関係連合講演会、29p-T-6、2007. 3)

[204] “スペーサ層の導入による原子層窒化InAs量子ドットの発光波長制御” 井上知也、水野博司、喜多隆、和田修 (第54回応用物理学会関係連合講演会、28p-Q-18、2007. 3)

[203] “FIB-TEMによる単一InAs量子ドットの高分解能多方位観察” 井上知也、喜多隆、和田修、今野充、矢口紀恵、上野武夫 (第54回応用物理学会関係連合講演会、28p-Q-1、2007. 3)講演奨励賞受賞記念講演

[202] “自己形成InAs/GaAs量子ドットの成長その場観察” 工藤卓也、井上知也、喜多隆、和田修 (第54回応用物理学会関係連合講演会、28p-Q-12、2007. 3)

[201] “量子ドット超格子構造の光学特性” 中谷浩彰、喜多隆、和田修、赤羽浩一 (第17回光物性研究会研究会、pp. 157-160、大阪市立大学、2006.12. 8-9)

[200] “CdTe/CdMnTe量子細線の近接場分光” 原田幸弘、喜多隆、和田修、L. Marsal、H. Mariette、松田一成、金光義彦 (第17回光物性研究会研究会、pp. 101-104、大阪市立大学、2006. 12. 8-9)

[199] “GaAs(001)面にドープした窒素アイソエレクトロニック中心からの多励起子光学遷移” 井上匠、喜多隆、和田修 (第17回光物性研究会研究会、pp. 121-124、大阪市立大学、2006.12. 8-9)

[198] “CdTe/CdMnTe量子細線の近接場光学スペクトル” 原田幸弘、喜多隆、和田修、L. Marsal、H. Mariette、松田一成、金光義彦 (日本物理学会2006年秋季大会、23pXJ-4、2006. 9)

[197] “CdTe/CdMnTe量子細線における電子状態の磁場依存性” 原田幸弘、喜多隆、和田修、安藤弘明 (日本物理学会2006年秋季大会、25aXJ-12、2006. 9)

[196] “イントロダクトリー:ボトムアップ成長技術のマイルストーンとナノエピタキシィへの展開” 喜多隆 (第67回応用物理学会学術講演会、シンポジウム招待講演、30a-B-1、2006. 8)シンポジウム世話人

[195] “InAs/GaAs量子ドット成長過程におけるファセット形成のその場観察” 工藤卓也、坂本光優、水野博司、清水範彦、喜多隆、和田修 (第67回応用物理学会学術講演会、29a-ZF-2、2006. 8)

[194] “量子ドット多層積層構造の端面発光偏波特性” 中谷浩彰、喜多隆、和田修、赤羽浩一、土屋昌弘 (第67回応用物理学会学術講演会、31p-ZF-19、2006. 8)

[193] “高分解能断面TEMによる埋め込み量子ドット形状のマルチアングル直接観察” 井上知也、喜多隆、和田修、今野充、矢口紀恵、上野武夫 (第67回応用物理学会学術講演会、31p-ZF-10、2006.8)応用物理学会講演奨励賞受賞講演

[192] “GaAs(001)面にドープした窒素アイソエレクトロニック中心からの多励起子発光” 井上匠、喜多隆、和田修 (第67回応用物理学会学術講演会、29a-B-10、2006.8)

[191] “量子ドット形成ステップの精密制御とデバイス応用” 喜多隆 (第2回量子ナノ材料セミナー、筑波大学、2006. 6)(招待講演)

[190] “High-Intensity Field-Electron Emission from Carbon Nanotube/Elastomer Nanocomposits” Y. Hayashi, T. Kita, O. Wada, H. Yanagi, Y. Kawai, A. Magario, and T. Noguchi (Proc. 25th Electronic Materials Symposium, Izu-no-kuni, July 5-7, 2006)

[189] “Effects of Nitridation on InAs Quantum Dots with Different Sizes” T. Inoue, H. Mizuno, T. Kita, O. Wada, H. Mori, and H. Yasuda (Proc. 25th Electronic Materials Symposium, Izu-no-kuni, July 5-7, 2006)

[188] “Anisotropic Magnetic-Field Evolution of Valence-Band States in One-Dimensional Diluted Magnetic Semiconductors” Y. Harada, T. Kita, O. Wada, and H. Ando (Proc. 25th Electronic Materials Symposium, Izu-no-kuni, July 5-7, 2006)

[187] “CdTe/CdMnTe量子細線における交換相互作用と電子状態の制御” 原田幸弘、喜多隆、和田修、安藤弘明 (日本物理学会第61回年次大会、28pPSB-1、2006.3.27-3. 30)

[186] “カーボンナノチューブ/エラストマー複合体の構造と電子放出特性” 喜多隆、林洋介、柳久雄、河合康史、曲尾章、野口徹 (第53回応用物理学関係連合講演会、22p-ZP-7、2006. 3)

[185] “カーボンナノチューブ/アルミニウム複合体の構造と電界電子放出特性” 柳久雄、河合康史、林洋介、喜多隆、曲尾章、野口徹 (第53回応用物理学関係連合講演会、22p-ZP-5、2006. 3)

[184] “高分解能TEMによる原子層窒化InAs量子ドットの原子構造解析” 井上知也、松下和征、喜多隆、和田修、森博太郎、保田英洋 (第53回応用物理学関係連合講演会、22p-Q-9、2006. 3)

[183] “InGaAsキャップInAs/GaAs量子ドットの光学利得偏波特性” 中谷浩彰、田村暢啓、張元常、喜多隆、和田修、江部広治、中田義昭菅原充、荒川泰彦、菅原充 (第53回応用物理学関係連合講演会、25p-T-18、2006. 3)

[182] “低温成長SiドープAlN薄膜からの高効率フィールドエミッション” 稲生佳樹、藤井俊輔、喜多隆、和田修 (第53回応用物理学関係連合講演会、23a-ZQ-4、2006. 3)

[181] “GaAs(001)面にドープした窒素アイソエレクトニック中心の局在電子状態” 井上匠、喜多隆、和田修 (第53回応用物理学関係連合講演会、24a-P-9、2006. 3)

[180] “異なるサイズのInAs/GaAs量子ドットへの原子層窒化の影響” 水野博司、菊野美緒、松下和征、井上知也、清水範彦、喜多隆、和田修 (第53回応用物理学関係連合講演会、22p-Q-15、2006. 3)

[179] “原子レベルで制御したGaAs(001)表面窒化過程のRHEED観察” 清水範彦、、松下和征、喜多隆、和田修 (第53回応用物理学関係連合講演会、2006. 3)

[178] “InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性-半導体光増幅器の実現に向けて-” 田村暢啓、張元常、喜多隆、和田修、江部広治、中田義昭菅原充、荒川泰彦、菅原充 (電子情報通信学会LQE研究会、pp.35-38、神戸大学、2006. 1. 31-2. 2)

[177] “形状制御したInAs/GaAs量子ドットの偏光光学利得特性” 田村暢啓、張元常、喜多隆、和田修、江部広治、菅原充、荒川泰彦、中田義昭 (第16回光物性研究会研究会、pp.283-286、大阪市立大学、2005. 12. 9-10)

[176] “GaAs中に規則配列させた窒素のアイソエレクトロニック発光” 井上匠、喜多隆、和田修 (第16回光物性研究会研究会、pp. 119-122、大阪市立大学、2005. 12. 9-10)

[175] “CdMnTe量子細線構造における光学特性の磁場依存性” 原田幸弘、喜多隆、和田修、L. Marsal, H. Mariette、安藤弘明 (第16回光物性研究会研究会、pp.107-110、大阪市立大学、2005. 12. 9-10)

[174] “InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得特性” 田村暢啓、張元常、喜多隆、和田修、江部広治、菅原充、荒川泰彦、中田義昭 (第66回応用物理学会学術講演会、10p-W-5, 2005. 9)

[173] “GaAs(001)への窒素の位置制御ドープとアイソエレクトロニック発光特性” 井上匠、喜多隆、和田修 (第66回応用物理学会学術講演会、9p-ZA-15, 2005. 9)

[172] “Valence-Band Mixing in CdTe/CdMnTe Nano-Wire Structures in Magnetic Field” Y. Harada, R. Naganuma, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, H. Mariette, and H. Ando (Proc. 24th Electronic Materials Symposium, Ehime, July 4-6, 2005)

[171] “High-Resolution Transmission Electron Microscope Study of Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots” T. Inoue, K. Matushita, T. Kita, O. Wada, H. Mori, T. Sakata, and H. Yasuda (Proc. 24th Electronic Materials Symposium, Ehime, July 4-6, 2005)

[170] “磁場下CdTe/CdMnTe細線構造における価電子帯バンドミキシング” 原田幸弘、永沼良太、喜多隆、和田修、L. Marsal、H. Mariette、安藤弘明 (日本物理学会2005年秋季大会、24aZC-4、2005. 3)

[169] “低温成長AlNを用いた有機電界放出発光素子” 藤井俊輔、河井康史、日野大輔、柳久雄、喜多隆、和田修 (第52回応用物理学関係連合講演会、30a-YL-12、2005. 3)

[168] “InAs/GaAsコラムナ量子ドットの発光強度の積層数依存性” 田村暢啓、喜多隆、和田修、江部広治、菅原充、荒川泰彦、中田義昭 (第52回応用物理学関係連合講演会、30a-ZM-8、2005. 3)

[167] “原子層窒化InAs/GaAs量子ドットの長波長発光メカニズム” 松下和征、井上知也、X. Z. Shang、森孝嘉、関浩行、菊野美緒、喜多隆、和田修、森博太郎、坂田孝夫、保田英洋 (第52回応用物理学関係連合講演会、30a-ZM-3、2005. 3)

[166] “原子層窒化によるInAs/GaAs量子ドット発光の長波長化-量子ドット発光の窒化条件依存性-” 菊野美緒、森孝嘉、関浩行、松下和征、水野博司、清水範彦、井上知也、喜多隆、和田修 (第52回応用物理学関係連合講演会、30a-ZM-1、2005. 3)

[165] “CdTe/CdMnTe細線構造における励起子エネルギーの異方的緩和特性” 永沼良太、原田幸弘、喜多隆、和田修、 L. Marsal、H. Mariette (第15回光物性研究会研究会、pp.125-128、京都大学、2004. 12. 3-4)

[164] “磁場下CdTe/CdMnTe細線構造における正孔スピンの再配列と異方的磁気光学効果の発現” 原田幸弘、永沼良太、喜多隆、和田修、 L. Marsal、H. Mariette、安藤弘明 (第15回光物性研究会研究会、pp. 121-124、京都大学、2004. 12. 3-4)

[163] “CdTe/CdMnTe量子細線における励起子磁気ポーラロンの異方的なエネルギー緩和特性” 永沼良太、原田幸弘、喜多隆、和田修、 L. Marsal、H. Mariette (日本物理学会2004年秋季大会、14aYC-3、2004. 9. 12-15)

[162] “InAs量子ドット成長のその場RDS評価と界面制御” 喜多隆 (第65回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「量子ドットの将来像と実現のためのマイルストーン」2―V(24)招待講演, 2004. 9)シンポジウム世話人

[161] “InAs量子ドット表面の窒化による成長界面の制御” 関浩行、森孝嘉、菊野美緒、松下和征、喜多隆、和田修、中田義昭、秋山知之、江部広治、菅原充、荒川泰彦 (第65回応用物理学会学術講演会、1a-P2-6、2004. 9)

[160] “原子層窒化によるInAs量子ドット発光の長波長化を波長制御” 森孝嘉、関浩行、菊野美緒、松下和征、喜多隆、和田修 (第65回応用物理学会学術講演会、1a-P2-4, 2004. 9)

[159] “GaAs(001)に挿入した窒素原子層の創るIsoelectronic Trap からの狭線幅発光” 長濱崇裕、高ー邦、喜多隆、和田修 (第65回応用物理学会学術講演会、1a-P1-3, 2004. 9)

[158] “1.3 micro-m Emission from Nitridized InAs Quantum Dot” T. Mori, Y. Masuda, H. Seki, K. Matushita, T. Kita, and O. Wada (Proc. 23th Electronic Materials Symposium, Izu, July 2004)

[157] “Anisotropic Magneto-Optical Effects in CdTe/CdMnTe Tilted Superlattices Grown on CdTe0.74Mg0.26Te(001) Vicinal Surface” R. Naganuma, Y. Harada, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Proc. 23th Electronic Materials Symposium, Izu, July 2004)

[156] “CdTe/CdMnTeナノワイヤにおけるホールスピン配向の面内磁場異方性” 原田幸弘、永沼良太、松浦佑一郎、永原靖治、喜多隆、和田修、 H. Mariette (日本物理学会第59回年次大会、29aYF-11、2004. 3. 27-30)

[155] “CdTe/CdMnTeナノワイヤにおける磁気ポーラロン形成” 永沼良太、原田幸弘、松浦佑一郎、永原靖治、喜多隆、和田修、 H. Mariette (日本物理学会第59回年次大会、29aYF-12、2004. 3. 27-30)

[154] “CdTe/CdMnTeナノワイヤ構造におけるZeemanシフトの異方性と正孔スピンの再配列” 永原靖治、喜多隆、原田幸弘、永沼良太、松浦佑一郎、和田修、 H. Mariette (第51回応用物理学関係連合講演会、28p-ZK-10、2004. 3)

[153] “原子層窒化によるInAs量子ドット発光の長波長化(Ⅱ)” 関浩行、増田吉孝、森孝嘉、菊野美緒、松下和征、喜多隆、和田修 (第51回応用物理学関係連合講演会、30p-YG-7、2004. 3)

[152] “低温成長AlN薄膜の電子エミッション特性に及ぼすSiドープの影響” 日野大輔、武智正紀、藤井俊輔、喜多隆、和田修、潘路軍、中山喜萬 (第51回応用物理学関係連合講演会、30p-YN-13、2004. 3)

[151] “磁性イオンを希薄ドープした半導体量子ナノワイヤ中のスピン制御” 永原靖治、喜多隆、和田修、H. Mariette (平成15年度材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会研究会、神戸大学ベンチャービジネスラボラトリ、2004. 1. 20)

[150] “量子ドットの偏光制御とSOAへの応用” 田中宏和、P. Jayavel、内上昌裕、喜多隆、和田修、中田義昭、秋山知之、江部広治、菅原充、荒川泰彦 (Pre-Conference of IEEE International Semiconductor Laser Conference 2004, IEICE LQE/OPE Technical Meeting, Kobe, 2003. 12. 18-20)

[149] “窒素を希薄ドープしたGaAsからの狭線幅発光” 高ー邦、喜多隆、和田修 (第14回光物性研究会研究会、pp.339-342、大阪市立大学、2003. 12. 5-6)

[148] “CdTe/CdMnTe量子細線における巨大磁気光学効果” 永原靖治、松浦佑一郎、永沼良太、喜多隆、和田修、 H. Mariette (第14回光物性研究会研究会、pp.263-266、大阪市立大学、2003. 12. 5-6)

[147] “CdTe/CdMnTe量子細線における交換相互作用の面内異方性” 永沼良太、原田幸弘、松浦佑一郎、永原靖治、喜多隆、和田修、 H. Mariette (第14回光物性研究会研究会、pp.259-262、大阪市立大学、2003. 12. 5-6)

[146] “微傾斜基板上のCdTe/CdMnTe分数層超格子にける交換相互作用の異方性と量子細線特性” 永原靖治、松浦佑一郎、永沼良太、喜多隆、和田修、H. Mariette (日本物理学会2003年秋季大会、21aTH-3、2003. 9. 20-23)

[145] “CdTe/CdMgTe量子細線におけるスピン緩和特性” 坪井聡、長濱崇裕、永原靖治、喜多隆、和田修、 L. Marsal、H. Mariette (第64回応用物理学会学術講演会、31p-ZF-3、2003. 8)

[144] “原子層窒化によるInAs量子ドット発光の長波長化” 増田吉孝、森孝嘉、喜多隆、和田修 (第64回応用物理学会学術講演会、31p-K-15、2003. 8)

[143] “低温成長AlSiN薄膜からの高効率電子放出” 武智正紀、日野大輔、喜多隆、和田修、潘路軍、中山喜萬 (第64回応用物理学会学術講演会、30p-G-16、2003. 8)

[142] “CdTe/(Cd,Mn)Te量子細線中の磁気ポーラロン形成” 松浦佑一郎、永沼良太、永原靖治、喜多隆、和田修、 L. Marsal, H. Mariette (第64回応用物理学会学術講演会、2a-ZL-8、2003. 8)

[141] “窒素をデルタドープしたGaAs(001)からの狭線幅発光” 高一邦、喜多隆、和田修 (第64回応用物理学会学術講演会、1p-K-6, 2003. 8)

[140] “InAs量子ドットの端面発光における偏光特性の制御” 田中宏和、P. Jayavel、喜多隆、和田修、江部広治、菅原充、館林潤、荒川泰彦、中田義昭、秋山知之 (第64回応用物理学会学術講演会、31p-K-14、2003. 8)

[139] “Photoluminescence from Postnitridized InAs Quantum Dots” Y. Masuda, T. Mori, T. Kita, and O. Wada (Proc. 22th Electronic Materials Symposium, Moriyama, H13, pp. 275-276, July 2003)

[138] “Highly Efficient Field Emission from Low Temperature Grown AlSiN Thin Film” M. Takechi, D. Hino, T. Kita, O. Wada, L. Pan, and Y. Nakayama (Proc. 22th Electronic Materials Symposium, Moriyama, G12, pp.241-242, July 2003)

[137] “Polarization Controle of Cleaved-Edge Photoluminescence from InAs Quantum Dots Capped by InGaAs” H. Tanaka, P. Jayavel, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, Y. Nakata, and T. Akiyama (Proc. 22th Electronic Materials Symposium, Moriyama, H14, p.277-278, July 2003)

[136] “Observation of Anisotropic Giant Magneto-Optical Effects in CdTe/CdMnTe Quantum Wires” S. Nagahara, Y. Matsuura, R. Naganuma, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette (Proc. 22th Electronic Materials Symposium, Moriyama, I6, p. 291-292, July 2003)

[135] “Photoluminescence Polarization Properties and Electronic States in InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots” P. Jayavel, H. Tanaka, T. Kita, O. Wada, H. Ebe, M. Sugawara, J. Tatebayashi, Y. Arakawa, Y. Nakata, and T. Akiyama (ナノ学会、PpII-7、2003. 5. 29-31)

[134] “高濃度SiドープAlNの基礎吸収端構造” 武智正紀、折口貴彦、日野大輔、喜多隆、和田修 (第50回応用物理学関係連合講演会、29p-V-7、2003. 3)

[133] “歪キャップ層導入によるInAs量子ドットの端面発光偏光特性の制御” 田中宏和、P. Jayavel, 嶋田善和、喜多隆、和田修、江部広治、菅原充、館林潤、荒川泰彦、中田義昭、秋山知之 (第50回応用物理学関係連合講演会、29a-YA-11、2003. 3)

[132] “CdTe/CdMgTe量子細線における磁気光学特性の異方性” 永原靖治、松浦佑一郎、永沼良太、喜多隆、和田修、 L. Marsal, H. Mariette (第50回応用物理学関係連合講演会、29a-ZH-8、2003. 3)

[131] “CdTe/CdMgTe量子細線における巨大磁気光学効果” 永原靖治、喜多隆、和田修、 L. Marsal、H. Mariette (第13回光物性研究会研究会、大阪市立大学、2002. 12. 6-7)

[130] “自己形成量子ドットのMBE成長プロセスと光物性制御” (招待講演)、喜多隆 (応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその応用」:ナノ構造マテリアルの光物性、大阪市立大学、2002. 11. 1)

[129] “CdTe/CdMnTe量子細線の磁気光学特性” 永原靖治、松浦祐一郎、喜多隆、和田修、H. Mariette(日本物理学会2002年秋季大会、8aSB-11、2002. 9. 6-9)

[128] “CdTe/CdMgTe量子細線からの励起子発光” 永原靖治、喜多隆、和田修、H. Mariette (日本物理学会2002年秋季大会、6pSA-15、2002. 9. 6-9)

[127] “CdTe/CdMgTe量子細線における1次元励起子の巨大ゼーマン効果” 永原靖治、喜多隆、和田修、H. Mariette(第63回応用物理学会学術講演会、25p-ZA-11、2002. 9)

[126] “コラムナ量子ドットによる偏光無依存基礎吸収端の実現” 喜多隆、和田修、江部広治、中田義昭、菅原充 (第63回応用物理学会学術講演会、25a-YD-7、2002. 9)

[125] “Optical Properties of CdTe/CdMgTe Quantum Wirs under Magnetic Field” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, and H. Mariette  (Proc. 21th Electronic Materials Symposium, pp. 251-252, Izunagaoka, June 2002)

[124] “Optical Reflectance Study of Surface Reconstruction Transition of GaAs(001)” T. Kita, M. Nakamoto, and O. Wada  (Proc. 21th Electronic Materials Symposium, pp. 153-154, Izunagaoka, June 200)

[123] “CdTe/CdMgTe量子細線の磁気光学特性” 永原靖治、喜多隆、和田修、H. Mariette (第49回応用物理学関係連合講演会、29p-YH-13、2002. 3)

[122] “自然超格子Ga0.5In0.5P/GaAsからの発光の磁場及び温度依存性” 山下兼一、松浦佑一郎、喜多隆、和田修、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (第49回応用物理学関係連合講演会、29p-ZQ-1、2002. 3)

[121] “InAs/GaAs自己形成量子ドット成長における2D-3D成長転移とドット成長の自己停止” 喜多隆、中濱正洋、和田修、中山隆史、村山美佐緒 (第49回応用物理学関係連合講演会、29a-ZQ-7、2002. 3)

[120] “GaAs(001)表面c(4x4)-(2x4)相変化の反射率差分光観察” 喜多隆、中本正幸、和田修 (第49回応用物理学関係連合講演会、27p-ZQ-8、2002. 3)

[119] “高濃度電子蓄積層を有する自然超格子Ga0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面における磁気光学特性” 山下兼一、喜多隆、和田修、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (第12回光物性研究会研究会、I-B-17、大阪大学、2001. 12. 7-8)

[118] “CdTe/CdMgTe量子細線における励起子発光” 永原靖治、喜多隆、和田修、L. Marsal、H. Mariette (第12回光物性研究会研究会、I-A-14、大阪大学、2001. 12. 7-8)

[117] “InGaP系自然超格子の光物性-原子オーダリングによる新しい光物性の発現と制御-”(招待講演)、喜多隆 (応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその応用」:半導体超格子・量子井戸構造の光物性における最近の話題、大阪市立大学、2001. 11. 2)

[116] “CdTe/CdMgTe量子細線における励起子状態” 永原靖治、喜多隆、和田修、L. Marsal、H. Mariette(電子情報通信学会電子デバイス研究会・電子部品材料研究会合同研究会、2001. 10. 11)

[115] “CdTe/CdMgTe量子細線からのエキシトン発光” 永原靖治、喜多隆、和田修、H. Mariette(第62回応用物理学会学術講演会、13p-YB-16、2001. 9)

[114] “自然超格子構造により誘発されたGa0.5In0.5P/GaAs界面蓄積電荷による発光特性” 山下兼一、喜多隆、和田修、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (第62回応用物理学会学術講演会、12a-T-5、2001. 9)

[113] “Reflectance-Difference Spectroscopy of (In,Ga)As Wetting Layer During Stranski-Krastanov Growth” M. Nakahama, M. Nakamoto, K. Yamashita, T. Kita, O. Wada, T. Nakayama, M. Murayama  (Proc. 20th Electronic Materials Symposium, pp. 191-192, 2001)

[112] “Excitonic Luminescence from CdMgTe/CdTe Tilted Superlattices Grown on Vicinal Surfaces” S. Nagahara, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, H. Mariette  (Proc. 20th Electronic Materials Symposium, pp. 143-144, 2001)

[111] “Internal Electric Field  and Spontaneous Electron Accumulation at Ga0.5In0.5P/GaAs Heterointerface Induced by Atomic Ordering” K. Yamashita, T. Kita, O. Wada, Y. Wang, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer  (Proc. 20th Electronic Materials Symposium, pp.159-160, 2001)

[110] “Ga0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面における光変調メカニズムへの自然超格子の影響 ” 山下兼一、西田直史、角谷寿文、喜多隆、王勇、邑瀬和生、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (第48回応用物理学関係連合講演会、30a-G-9、2001. 3)

[109] “反射率差分光(RDS)による(In,Ga)As量子ドット形成初期過程における2次元ぬれ層の前駆的変化の観察” 中濱正洋、丹後英樹、中本正幸、山下兼一、喜多隆、中山隆史、村山美紗緒 (第48回応用物理学関係連合講演会、31p-G-3、2001. 3)

[108] “CdTe/CdMgTe分数層超格子からの励起子発光の温度依存性” 永原靖治、喜多隆、H. Mariette (第48回応用物理学関係連合講演会、28p-K-11、2001. 3)

[107]“Optical Properties of Ga0.5In0.5P/GaAs heterointerface Induced by Long-Range Ordering” K. Yamashita, T. Kita, T. Nishino, Y. Wang, K. Murase, C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (第11回光物性研究会、pp. 61-64、2000. 12)

[106] “半導体自然超格子における新機能の発現と物性” 喜多隆 (第6回材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会、、2000. 9)

[105] “CdTe/CdMgTe分数層超格子からのエキシトン発光の温度依存性” 永原靖治、喜多隆、H. Mariette(第61回応用物理学会学術講演会、4a-Z-6、2000. 9)

[104] “フォトリフレクタンスによるGaAsBiのバンドギャップエネルギーの温度依存性” 吉田順一、福本直之、山下兼一、喜多隆、尾江邦重 (第61回応用物理学会学術講演会、3p-ZA-11、2000. 9)

[103] “反射率差分光(RDS)によるInAs量子ドット形成表面過程の2次元成長層の観察” 丹後英樹、中濱正洋、中本正幸、山下兼一、喜多隆 (第61回応用物理学会学術講演会、3a-ZA-7、2000. 9)

[102] “自然超格子Ga0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面における内部電界の考察” 山下兼一、喜多隆、王勇、邑瀬和生、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (第61回応用物理学会学術講演会、4p-ZA-4、2000. 9)

[101] “電子線励起による半導体評価-新しい分光顕微鏡の開発-” 喜多隆(第17回兵庫県産学交流会、2000. 7)

[100] “Electronic Raman Scattering from Long-Range Ordered Ga0.5In0.5P/GaAs Interfaces” K. Yamashita, T. Kita, T. Nishino Y. Wang, K. Murase, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer  (19th Electronic Materials Symposium, pp. 129-130, 2000. 6)

[099] “Reflectance-Defference Spectroscopy during InAs Quantum Dots Growth” H. Tango, K. Tachikawa, K. Yamashita, M. Nakahama, M. Nakamoto, T. Kita, and T. Nishino (19th Electronic Materials Symposium, pp. 65-66, 2000. 6)

[098] “ワイドギャップ半導体の電子線変調反射分光評価” 永原靖治、喜多隆(日本真空協会関西支部第2回研究例会、真関研第12-2、pp. 13-20、2000)

[097] “Ga0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面における自然超格子の影響 - 偏光ラマンスペクトル - ” 山下兼一、喜多隆、西野種夫、王勇、邑瀬和生、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (第47回応用物理学関係連合講演会、29p-P-5、2000. 3)応用物理学会講演奨励賞受賞講演

[096] “反射率差分光(RDS)によるInAs量子ドット形成初期過程の観察” 丹後英樹、立川功二、喜多隆、山下兼一、西野種夫 (第47回応用物理学関係連合講演会、29p-P-5、2000. 3)

[095] “AlGaInP自然超格子におけるエネルギー緩和過程” 喜多隆、桜井幹夫、山下兼一、西野種夫、王勇、邑瀬和生 (第10回光物性研究会、pp. 169-172、1999. 9)

[094] “フォトリフラクティブ多重量子井戸デバイスの帯域制御” 中川清、喜多隆、山下兼一、西野種夫、峯本工、M. Dinu、M. R. Melloch、D. D. Nolte (第60回応用物理学会学術講演会、1p-ZH-3、1999. 9)

[093] “自然超格子Ga0.5In0.5P/GaAsにおけるアンチストークス発光の時間分解スペクトル” 福本直之、桜井幹夫、山下兼一、喜多隆、西野種夫、C. Geng、F.Scholz、H. Schweizer(第60回応用物理学会学術講演会、2p-T-9、1999. 9)

[092] “反射率差分光法によるInAs自己形成量子ドット成長表面の観察” 立川功二、丹後秀樹、喜多隆、山下兼一、西野種夫 (第60回応用物理学会学術講演会、1p-T-8、1999. 9)応用物理学会講演奨励賞受賞講演

[091] “電子線変調分光によるダイヤモンド結晶の評価” 永原靖治、細呂木秀夫、喜多隆、桜井幹夫、西野種夫 (第60回応用物理学会学術講演会、3p-B-18、1999. 9)

[090] “(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P自然超格子ドメイン中のエネルギー緩和過程” 喜多隆、桜井幹夫、山下兼一、西野種夫、王勇、邑瀬和生 (第60回応用物理学会学術講演会、2p-T-12、1999. 9)

[089] “Ga0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面における自然超格子の影響.発光・ラマンスペクトルー” 山下兼一、喜多隆、西野種夫、王勇、邑瀬和生、C.Geng、F.Scholz、H.Schweizer (第60回応用物理学会学術講演会、2p-T-10、1999. 9)

[088] “エピタキシャル混晶半導体における相分離とオーダリング:その起源と物性” 中山弘、山下兼一、喜多隆、西野種夫 (日本学術振興会第26回半導体界面制御技術第154委員会研究会、1999. 7. 15)

[087] “Reflectance-Defference Spectroscopy of Two-Dimensional InAs During Stranski-Krastanov Formation of Quantum Dots” T. Kita, K. Yamashita, H. Tango, and T. Nishino (18th Electronic Materials Symposium, pp. 141-142, 1999. 7)

[086] “Relaxation Processes of Photoexcited Carriers in GaAs/InAs/GaAs Quantum Structures” K. Yamashita, T. Kita, and T. Nishino (18th Electronic Materials Symposium, pp. 39-40, 1999. 7)

[085] “ダイアモンドのバンド端の電子線変調分光による評価” 西野種夫、喜多隆、持田篤範 (日本学術振興会未来開拓学術研究推進事業プロジェクト研究会、1999. 3)

[084] “Ga0.5In0.5P自然超格子における励起キャリアの緩和過程の規則度依存性” 桜井幹夫、喜多隆、山下兼一、西野種夫 (第46回応用物理学関係連合講演会、30p-P-14、1999. 3)

[083] “自己形成InAs量子ドットにおける励起キャリアの緩和過程” 山下兼一、北山裕樹、喜多隆、西野種夫 (第46回応用物理学関係連合講演会、29p-ZL-4、1999. 3)

[082] “自然超格子構造を形成した(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pにおける電気光学効果” 山下兼一、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第59回応用物理学会学術講演会、17p-YE-16、1998. 9)

[081] “GaAs, InGaAs成長表面のRDS(実験)”(シンポジウム講演), 喜多隆、西野種夫 (第59回応用物理学会学術講演会、17p-YP-5、1998. 9)

[080] “Time-Resolved Up-Converted Photoluminescence at Semiconductor Heterointerface” K. Yamashita, T. Kita, H. Nakayama, and T. Nishino (17th Electronic Materials Symposium, pp.129-130, 1998. 7)

[079] “自然超格子(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P/GaAs におけるアンチストークス発光の時間分解スペクトル” 山下兼一、喜多隆、桜井幹夫、中山弘、西野種夫、 M. Oestreich (第45回応用物理学関係連合講演会、28a-ZM-10、1998. 3)

[078] “Ga0.5In0.5P自然超格子におけるスピン偏光励起子” 喜多隆、桜井幹夫、K. Bhattacharya、山下兼一、西野種夫、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (第45回応用物理学関係連合講演会、28a-ZM-11、1998. 3)

[077] “電子線変調分光法によるワイドギャップ半導体の評価” 喜多隆、西野種夫 (応用物理学会関西支部セミナー、97年度第2回研究会、1998. 3)

[076] “Growth and Properties of Mn-Doped Micro Silicon Dots” H. Nakayama, H. Ohta, H. Yanagi, S. Abe, K. Yamashita, T. Kita and T. Nishino (第3回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会、1997. 11)

[075] “自然超格子構造を有する(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面での波長変換における局在準位の役割” 山下兼一、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第58回応用物理学会学術講演会、5a-M-9、1997. 10)

[074] “半導体へテロ界面での光の波長変換における励起電子ダイナミックス(II)” 喜多隆、山下兼一、西野種夫、M.Oestreich (第58回応用物理学会学術講演会、5a-M-8、1997. 10)

[073] “Role of Carrier Localization in Energy Up-Conversion at (Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P/GaAs Heterointerface” K. Yamashita, T. Kita, H. Nakayama, and T. Nishino (16th Electronic Materials Symposium, pp.100-101, 1997. 7)

[072] “GaAs/AlAsタイプI超格子におけるXレベルの光誘起シフト” 赤穂一樹、喜多隆、中山弘、西野種夫、細田誠、大谷直毅 (第44回応用物理学関係連合講演会、30p-PB-14、1997. 3)

[071] “Ga0.5In0.5P自然超格子における電子状態のミキシングと局在化” 萩原武嗣、山下兼一、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第44回応用物理学関係連合講演会、30p-M-12、1997. 3)

[070] “(Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P/GaAsヘテロ界面における波長変換機構(II)” 山下兼一、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第44回応用物理学関係連合講演会、30p-M-11、1997. 3)

[069] “半導体へテロ界面での光の波長変換における励起電子ダイナミックス” 喜多隆、西野種夫、M. Oestreich (第44回応用物理学関係連合講演会、30p-M-13、1997. 3)

[068] “Ga0.5In0.5P自然超格子へ注入された電子のTime-of-Flight分光” 喜多隆、山下兼一、中山弘、西野種夫 (第57回応用物理学会学術講演会、9a-ZE-4、1996. 9)

[067] (Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P/GaAsヘテロ界面における波長変換機能” 山下兼一、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第57回応用物理学会学術講演会、9a-ZE-3、1996. 9)

[066] “電子線変調反射分光を用いたMgS/ZnSeヘテロ構造の評価” 小南悟、喜多隆、中山弘、西野種夫、鈴木秀樹、梨木裕之、末宗幾夫 (第57回応用物理学会学術講演会、8a-SZN-21、1996. 9)

[065] “Ordering Effects on Photoluminescence Properties of Indirect-Gap AlGaInP” K. Yamashita, T. Kita, H. Nakayama, and T. Nishino (15th Electronic Materials Symposium, pp.169-170, 1996. 7)

[064] “原子オーダリングによる半導体自然超格子の形成と光物性”(基調講演), 喜多隆、西野種夫 (物性研短期研究会「ナノ構造の光物性の新局面」、1996. 6)

[063] “間接遷移型混晶半導体自然超格子における直接遷移発光特性” 山下兼一、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第43回応用物理学関係連合講演会、27p-ZC-14、1996. 3)

[062] “電子線変調反射分光によるワイドギャップ半導体の評価 (II)” 小南悟、嵩谷雄治郎、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第43回応用物理学関係連合講演会、26a-SZN-8、1996. 3)

[061] “原子オーダリングによる新しいブリュアン端バンド構造” 喜多隆、萩原武嗣、山下兼一、中山弘、西野種夫 (第43回応用物理学関係連合講演会、29a-X-4、1996. 3)

[060] “原子オーダリングによるAlGaInP自然超格子の形成とバンド制御機構” 喜多隆、西野種夫 (電子材料研究会、EFM-95-3、1995. 8)

[059] “電子線変調反射分光によるワイドギャップ半導体の評価” 嵩谷雄治郎、小南悟、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第56回応用物理学会学術講演会、28p-ZB-2、1995. 8)

[058] “間接遷移型混晶半導体の自然超格子によるバンド構造制御ー直接遷移化ー” 山下兼一、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第56回応用物理学会学術講演会、28a-ZF-8、1995. 8)

[057] “間接遷移型混晶半導体の自然超格子によるバンド構造制御ー発光特性ー” 喜多隆、山下兼一、中山弘、西野種夫 (第56回応用物理学会学術講演会、28a-ZF-9、1995. 8)

[056] “Control of Electronic States in AlGaInP Alloys by Atomic Ordering”(招待講演), 喜多隆、山下兼一、中山弘、西野種夫 (1995年日本MRSシンポジウム、S-A-(2)、1995. 7)

[055] “Direct Transition in Long-Range Ordered (AlxGa1-x)0.5In0.5P” 山下兼一、喜多隆、中山弘、西野種夫 (1995年日本MRSシンポジウム、P-A-(6)、1995. 7)

[054] “Electroreflectance and Photoluminescence of Long-Range Ordered (AlxGa1-x)0.5In0.5P” K. Yamashita, T. Kita, H. Nakayama, T. Nishino, and S. Minagawa (14th Electronic Materials Symposium, pp.81-82, 1995. 7)

[053] “Ga0.5In0.5P混晶半導体自然超格子における偏光吸収特性(III)” 喜多隆、藤原章、中山弘、西野種夫 (第42回応用物理学関係連合講演会、31a-ZK-5、1995. 3)

[052] “Ga0.5In0.5P混晶半導体自然超格子における偏光吸収特性(II)” 藤原章、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第55回応用物理学会学術講演会、19a-V-1、1994. 9)

[051] “p-HEMTにおける2次元電子ガス濃度の非破壊評価” 喜多隆、中山弘、西野種夫、坂口春典 (第55回応用物理学会学術講演会、20p-MG-1、1994. 9)

[050] “Zone-Folding Effects on Optical Transition Strength in Long-Range Ordered GaInP” 喜多隆、藤原章、中山弘、西野種夫 (1994年日本MRSシンポジウム、A02、1994. 7)

[049] “Electroreflectance and Photoluminescence of Long-Range Ordered Al0.5In0.5P” T. Kita, K. Yamashita, H. Nakayama, and T. Nishino (13th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, pp.123-124, 1994. 7)

[048] “電子線変調反射分光による半導体局所領域電子状態の評価(II)ー変調条件のスペクトルに及ぼす影響ー” 河瀬和雅、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第41回応用物理学関係連合講演会、30p-P-9、1994. 3)

[047] “Al0.5In0.5P混晶半導体自然超格子における新しい光学遷移の観測” 喜多隆、山下兼一、藤原章、中山弘、西野種夫 (第41回応用物理学関係連合講演会、29a-X-8、1994. 3)

[046] “InGaAs/GaAs歪超格子における光学遷移の電界効果” 喜多隆、中山弘、西野種夫 (電子情報通信学会技術研究報告・電子デバイス、ED93-128、1993)

[045] “不純物ドープBi2O3薄膜における光メモリー特性” 岡田真和、喜多隆、中山弘、西野種夫 (第54回応用物理学会学術講演会、29a-SZM-16、1993. 9)

[044] “InGaAs/GaAs歪超格子タイプII光学遷移の電界発展における非局在量子準位の影響” 喜多隆、中山弘、西野種夫、坂口春典 (第54回応用物理学会学術講演会、29p-ZW-5、1993. 9)

[043] “Ga0.5In0.5P混晶半導体自然超格子における偏光吸収特性” 喜多隆、藤原章、中山弘、西野種夫 (第54回応用物理学会学術講演会、29p-ZW-11、1993. 9)

[042] “Anisotropic Optical Transitions in Ordered Ga0.5In0.5P Alloys” T. Kanata-Kita, M. Nishimoto, H. Nakayama, and T. Nishino (12th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, pp.111-116, 1993. 7)

[041] “秩序化Ga0.5In0.5P混晶半導体の単原子層周期構造による光学遷移の異方性” 金田(喜多)隆、西本雅彦、中山弘、西野種夫 (第40回応用物理学関係連合講演会、31a-ZR-8、1993. 3)

[040] “混晶半導体における原子の規則化と電子状態” 金田(喜多)隆、中山弘、西野種夫 (物性研短期研究会、pp. 19-20、1993)

[039] “Siマイクロファセット上でのMBE InGaAsの成長異方性” 前田英史、金田(喜多)隆、中山弘、西野種夫 (電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会、SDM92-118、1992. 12)

[038] “長距離秩序化GaInP混晶半導体の電子状態と偏光フォトルミネッセンス” 金田(喜多)隆、中山弘、西野種夫 (第66回半導体物性等研究会、1992)

[037] “混晶半導体歪ヘテロエピタキシー過程における吸着、組成揺らぎ、及び秩序” 中山弘、栃木誠、三枝弘典、西野種夫、前田英史、金田(喜多) (金属学会1992年秋期大会・宿題テーマシンポジウム、S3・28、1992. 10)

[036] “規則化Ga0.5In0.5P混晶半導体の電子帯構造” 金田(喜多)隆、西本雅彦、中山弘、西野種夫 (金属学会1992年秋期大会・宿題テーマシンポジウム、S3・27、1992. 10)

[035] “歪ヘテロエピタキシー過程における組成揺らぎと秩序:吸着率を用いた統一モデル” 中山弘、栃木誠、三枝弘典、西野種夫、前田英史、金田(喜多)隆 (第53回応用物理学会学術講演会、18p-ZB-2、1992. 9)

[034] “InxGa1-xAs/GaAs超格子における軽い正孔に関するタイプII型光学遷移” 稲積朋子、金田(喜多)隆、中山弘、西野種夫 (第53回応用物理学会学術講演会、18p-ZB-14、1992. 9)

[033] “電子線変調反射分光法による半導体局所領域の評価” 金田(喜多)隆、河瀬和雅、中山弘、西野種夫 (第53回応用物理学会学術講演会、17a-ZA-8、1992. 9)

[032] “Growth Anisotropy and Selectivity of MBE-Grown InGaAs on GaAs” H. Maeda, T. Kanata-Kita, H. Nakayama, and T. Nishino (11th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, pp. 313-320, 1992. 7)

[031] “レーザ干渉プローブによるSiの熱変位計測(2)-測定メカニズムの実験的検証” 高松弘行、住江伸吾、西元善朗、堀内健文、中山弘、金田(喜多)隆、西野種夫 (第39回応用物理学関係連合講演会、30a-SZK-19、1992. 3)

[030] “レーザ干渉プローブによるSiの熱変位計測(1)-測定メカニズムの理論” 高松弘行、住江伸吾、西元善朗、堀内健文、中山弘、金田(喜多)隆、西野種夫 (第39回応用物理学関係連合講演会、30a-SZK-18、1992. 3)

[029] “MBE成長GaAs(001)表面でのIn, Ga原子間相互作用と吸着(2)理論的モデルと計算” 中山弘、三枝弘典、西野種夫 、前田英史、金田(喜多)隆 (第39回応用物理学関係連合講演会、29p-ZA-9、1992. 3)

[028] “Zn1-xCdxS/GaAsヘテロ構造の界面フォトリフレクタンス法による評価” 金田(喜多)隆、日向利文、中山弘、西野種夫 (第39回応用物理学関係連合講演会、28a-Z-3、1992. 3)

[027] “GaAs及びSiマイクロファセット構造の作製とそのRHEED観察” 前田英史、金田(喜多)隆、桜本清昭、中山弘、西野種夫 (第39回応用物理学関係連合講演会、30p-ZA-10、1992. 3)

[026] “Bi2O3多結晶薄膜におけるプログラマブルメモリ特性” 金田(喜多)隆、中谷忠司、中山弘、西野種夫 (第39回応用物理学関係連合講演会、30p-ZW-17、1992. 3)

[025] “MBE成長GaAs(001)表面での In, Ga原子間相互作用と吸着” 中山弘、三枝弘典、西野種夫、前田英史、金田(喜多)隆 (第52回応用物理学会学術講演会、9a-W-3、1991. 10)

[024] “GaAsファセット基板上でのGaAs, InGaAsの MBEおよびAMBE成長” 前田英史、金田(喜多)隆、中山弘、三枝弘典、西野種夫 (第52回応用物理学会学術講演会、9p-W-13、1991. 10)

[023] “Bi2O3機能性薄膜のスパッタリング成長と光学特性” 中谷忠司、金田(喜多)隆、中山弘、西野種夫 (第52回応用物理学会学術講演会、10a-PA-3、1991. 10)

[022] “Zn1-xCdxS/GaAsヘテロ構造の界面フォトリフレクタンス” 日向利文、金田(喜多)隆、中山弘、西野種夫 (第52回応用物理学会学術講演会、9p-ZD-10、1991. 10)

[021] “OMVPE GaxIn1-xP混晶半導体の偏光フォトルミネッセンス法による評価ー成長温度依存性ー” 金田(喜多)隆、西本雅彦、中山弘、西野種夫 (第52回応用物理学会学術講演会、11a-X-3、1991. 10)

[020] “偏光フォトルミネッセンス法による長距離秩序構造を持つGaxIn1-xP混晶半導体の電子帯構造評価” 金田(喜多)隆、西本雅彦、中山弘、西野種夫 (第52回応用物理学会学術講演会、11a-X-2、1991. 10)

[019] “Photoluminescence Polarization Study of Ordered Ga0.5In0.5P Alloys” T. Kanata-Kita, S. Yamauchi, H. Nakayama, and T. Nishino (10th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, 1991. 7)

[018] “n-AlGaAs/GaAs界面に挿入されたInGaAs単一量子井戸におけるシュタルク効果” 藤木剛、金田(喜多)隆、坂口春典、山元隆弘、浜川圭弘 (第38回応用物理学関係連合講演会、30a-PM-3、1991. 3)

[017] “顕微フォトリフレクタンス分光法による半導体表面の評価” 藤木剛、金田(喜多)隆、松永昌幸、高倉秀行、浜川圭弘 (第51回応用物理学会学術講演会、26a-ZK-5、1990. 9)

[016] “Photoreflectance(PR) 分光法によるGaAs中の深い準位の評価 (II)” 松永昌幸、金田(喜多)隆、藤木剛、高倉秀行、浜川圭弘 (第51回応用物理学会学術講演会、27p-ZK-9、1990. 9)

[015] “Photoreflectance Characterization of as-Grown GaAs Surface” T. Kanata-Kita, M. Matsunaga, and Y. Hamakawa (9th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics, 1990. 7)

[014] “Photoreflectance(PR) 分光法によるGaAs中の深い準位の評価” 松永昌幸、沖孝彦、金田(喜多)隆、藤木剛、高倉秀行、浜川圭弘 (第37回応用物理学関係連合講演会、29a-P-6、1990. 3)

[013] “フォトリフレクタンス法によるGaAs表面ポテンシャルの測定” 金田(喜多)隆、松永昌幸、高倉秀行、浜川圭弘 (電子情報通信学会技術研究報告・電子デバイス、ED89-115、1989. 12)

[012] “フォトリフレクタンス法によるGaAs表面電位の測定” 松永昌幸、金田(喜多)隆、高倉秀行、浜川圭弘 (第50回応用物理学会学術講演会、27a-ZA-2、1989. 9)

[011] “グラフォエピタクシ法によるGe薄膜成長(II)” 金田(喜多)隆、高倉秀行、浜川圭弘、刈谷哲也 (第50回応用物理学会学術講演会、27p-W-17、1989. 9)

[010] “宇宙空間におけるグラフォエピタクシ法による太陽電池製造法に関する研究” 浜川圭弘、高倉秀行、金田(喜多)隆、刈谷哲也 (第6回宇宙利用シンポジウム、1989)

[009] “グラフォエピタクシ法によるGe薄膜成長” 金田(喜多)隆、高倉秀行、浜川圭弘、刈谷哲也 (第36回応用物理学関係連合講演会、4a-ZM-8、1989. 3)

[008] “SiOxNyとGeとのWettabilityコントロール” 金田(喜多)隆、高倉秀行、浜川圭弘 (第49回応用物理学会学術講演会、5a-X-4、1988. 10)

[007] “宇宙空間での太陽電池製造法における基板加熱法と無重力用分子線セルの開発” 高倉秀行、金田(喜多)隆、浜川圭弘、刈谷哲也 (第5回宇宙利用シンポジウム、1988)

[006] “グラフォエピタクシ法によるZnSの結晶成長” 金田(喜多)隆、水原秀樹、高倉秀行、浜川圭弘、刈谷哲也 (第35回応用物理学関係連合講演会、30p-ZA-6、1988. 3)

[005] “セラミックス光学薄膜のへテロエピタクシ” 金田(喜多)隆、小林裕、久保田観治 (第34回応用物理学関係連合講演会、31a-H-6、1987.3)

[004] “半導体超微粒子中のフォノンのラマン散乱” 金田(喜多)隆、小林裕、桑原秀樹、平井祐二、久保田観治 (日本物理学会秋の分科会、27p-C-6、1986. 9)

[003] “GaAs-AlAs 超格子のフォノンモード” 中山正昭、金田(喜多)隆、久保田観治、加藤弘、値賀成昭、佐野直克 (第46回応用物理学会学術講演会、1985. 9)

[002] “GaAs-InxGa1-xAs歪超格子のラマン散乱” 中山正昭、金田(喜多)隆、久保田観治、加藤弘、値賀成昭、佐野直克 (第32回応用物理学関係連合講演会、1985. 3)

[001] “GaAs-AlAs Monolayer 超格子 II” 中山正昭、加藤弘、値賀成昭、金田(喜多)隆、久保田観治、佐野直克 (第45回応用物理学会学術講演会、1984. 9)

学術報告

[065] “積層量子ドットによる動的偏波制御光アンプの実現” 喜多隆 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)、平成23年度研究実績報告書、2012年3月)

[064] “3次元自己組織化量子ドット超格子の物性制御と高効率太陽電池応用” 岡田至崇 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(A)、平成23年度研究実績報告書、2012年3月)

[063] “不純物ナノ構造の局所光応答とスケーラブル光子デバイスの実現” 小島磨 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(A)、平成23年度研究実績報告書、2012年3月)

[062] “InAs/GaAs自己形成量子ドットの成長機構と3次元構造化” 喜多隆、別所侑亮、田口英次、保田英洋 (大阪大学超高圧電子顕微鏡センター 23年度年報、No.40、pp.55-56、2011)

[061] “3次元自己組織化量子ドット超格子の物性制御と高効率太陽電池応用” 喜多隆 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(A)、平成22年度研究実績報告書、2011年3月)

[060] “不純物ナノ構造の局所光応答とスケーラブル光子デバイスの実現” 喜多隆、小島磨 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(A)、平成22年度研究実績報告書、2011年3月)

[059] “積層量子ドットによる動的偏波制御光アンプの実現” 喜多隆、小島磨 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)、平成22年度研究実績報告書、2011年3月)

[058] “不純物ナノ構造の局所光応答とスケーラブル光子デバイスの実現” 和田修、喜多隆、小島磨 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(A)、平成21年度研究実績報告書、2010年3月)

[057] “積層量子ドットによる動的偏波制御光アンプの実現”(日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成21年度研究実績報告書、2010年3月)

[056] “フレキシブルフィールドエミッションデバイスの開発” 喜多隆 (文部科学省科学研究費補助金・特定領域研究「カーボンナノチューブナノエレクトロニクス」、平成21年度研究実績報告書、2010年3月)

[055] “窒素配列ナノ構造の局所光応答とコヒーレントデバイス応用” 喜多隆 (文部科学省科学研究費補助金・特定領域研究「配列ナノ空間を利用した新物質科学」、平成21年度研究実績報告書、2010年3月)

[054] “フレキシブルフィールドエミッションデバイスの開発” 喜多隆 (文部科学省科学研究費補助金・特定領域研究「カーボンナノチューブナノエレクトロニクス」、平成20年度研究実績報告書、2009年3月)

[053] “窒素配列ナノ構造の局所光応答とコヒーレントデバイス応用” 喜多隆 (文部科学省科学研究費補助金・特定領域研究「配列ナノ空間を利用した新物質科学」、平成20年度研究実績報告書、2009年3月)

[052] “量子ドットナノ構造による広帯域偏波無依存光アンプの実現” 喜多隆、和田修、小島磨 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成20年度研究実績報告書、2009年3月)

[051] “量子ドットナノ構造による広帯域偏波無依存光中継デバイスの開発” 喜多隆 (神戸大学連携創造本部先端研究推進部門2007年度年報, Vol. 3, 2008.6)

[050] “量子ドットナノ構造による広帯域偏波無依存光アンプの実現” 喜多隆、和田修、小島磨 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成19年度研究実績報告書、2008年3月)

[049] “量子ドットナノ構造による広帯域超高速偏波無依存光増幅デバイスの開発研究” 喜多隆 (神戸大学連携創造本部先端研究推進部門2006年度年報, Vol. 2, 2007.11)

[048] “光アンプ応用を目指した量子ドットナノ構造による偏波無依存・超高速光応答の実現” 喜多隆、和田修、江川満 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成17-18年度研究成果告書、2007年6月)

[047] “光ナノ共振器に埋め込んだ単一原子による自然放出光の制御と単一光子光源応用” 喜多隆、和田修 (日本学術振興会科学研究費補助金・萌芽研究、平成18年度研究実績報告書、2007年3月)

[046] “光アンプ応用を目指した量子ドットナノ構造による偏波無依存・超高速光応答の実現” 喜多隆、和田修、江川満 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成18年度研究実績報告書、2007年3月)

[045] “量子ドットナノ構造による超高速変波無依存光増幅デバイスの開発” 喜多隆 (神戸大学連携創造本部先端研究推進部門2005年度年報, Vol. 1, 2006.11)

[044] “多元制御量子ドットと超高速光機能デバイス応用” 和田修、喜多隆、江川満 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成16-17年度研究成果告書、2006年6月)

[043] “光ナノ共振器に埋め込んだ単一原子による自然放出光の制御と単一光子光源応用” 喜多隆、和田修 (日本学術振興会科学研究費補助金・萌芽研究、平成17年度研究実績報告書、2006年3月)

[042] “光アンプ応用を目指した量子ドットナノ構造による偏波無依存・超高速光応答の実現” 喜多隆、和田修、江川満 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成17年度研究実績報告書、2006年3月)

[041] “Photoluminescence Study of InGAAs capped InAs Quantum Dots (x=0, 0.13, 0.17)” Y. C. Zhang, T. Kita, O. Wada, Y. Nakata, H. Ebe, M. Sugawara, and Y. Arakawa (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 10、pp. 1538-162、2005)

[040] “Long=Wavelength Emission in Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots” K. Matsushita, X. S. Shang, T. Inoue, H. Seki, M. Kikuno, T. Kita, O. Wada, H. Mori, T. Sakata, and H. Yasuda (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 10、pp. 97-103、2005)

[039] “量子ナノワイヤにおけるスピン制御と超高速光応答特性” 喜多隆、和田修 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 10、pp. 13-19、2005)

[038] “偏光制御量子ドット材料とサブバンド間遷移面型受光デバイスへの応用” 和田修、喜多隆、中田義昭 (日本学術振興会科学研究費補助金・萌芽研究、平成16年度研究実績報告書、2005年3月)

[037] “形状制御した量子ドットによる偏光無依存吸収端の実現” 喜多隆、和田修、中田義昭 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成15-16年度研究成果報告書、2005年6月)

[036] “半導体量子ナノ構造のスピンエレクトロニクス応用” 喜多隆 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 9、pp. 102-107、2004)

[035] “フォトニクスマテリアル量子ナノ構造におけるスピン制御” 喜多隆、和田修 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 9、pp. 6-13、2004)

[034] “形状制御量子ドットによる超高速・高非線形光学応答の同時実現”、和田修、喜多隆、菅原充 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成14-15年度研究成果報告書、2004年6月)

[033] “InGaAS Capping Layer Induced Optical Polarization Anisotropy in Edge Emitting Luminescence of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots” P. Jayavel (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 8、pp.193-196、2003)

[032] “CdTe/Cd0.75Mn0.25Te量子細線における磁気光学特性の異方性” 永原靖治、喜多隆、和田修、H. Mariette (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 8、pp.126-129、2003)

[031] “GaAs/AlGaAsフォトリフラクティブ多重量子井戸のフェムト秒光回折” 喜多隆、和田修 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 8、pp.5-14、2003)

[030] “自然超格子Ga0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面に発生した2次元電子ガスの磁気光学特性”、山下兼一、喜多隆、和田修、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 7、pp.34-39、2002)

[029] “CdTe/Cd0.74Mg0.26Te量子細線における励起子分子生成”、永原靖治、喜多隆、和田修、H. Mariette (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 7、pp.30-33、2002)

[028] “ダイヤモンド電子状態の分光法による評価”、西野種夫、喜多隆 (平成8-12年度日本学術振興会未来開拓学術推進事業研究成果報告書「ダイヤモンドによる次世代電子エミッタ-の開発」、pp.47-54、平成13年3月)

[027] “反射率差分光によるワイドギャップ半導体ヘテロ界面の評価”、西野種夫、喜多隆 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成12-13年度研究成果報告書、2002年3月)

[026] “局所電流注入による近接場変調分光法の開発”、西野種夫、林昭博、喜多隆、大谷直毅 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成12-13年度研究成果報告書、2002年3月)

[025] “自然超格子構造発生により誘発されたGa0.5In0.5P/GaAsヘテロ界面における2次元電子ガス”、山下兼一、喜多隆、和田修、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer(神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 6、pp.130-133、2001)

[024] “CdTe/Cd0.74Mg0.26Te量子細線からの励起子発光”、永原靖治、喜多隆、和田修、H. Mariette (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 6、pp.126-129、2001)

[023] “フェムト秒超高速分光システムの構築と半導体ナノ構造における全光スイッチ動作の検証”、喜多隆 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 6、pp.25-30、2001)

[022] “ダイヤモンド薄膜結晶の電子帯構造と負性電子親和力”、西野種夫、喜多隆 (日本学術振興会科学研究費補助金・萌芽研究、平成11年度-平成12年度研究実績報告書、2001年3月)

[021] “半導体自然超格子におけるスピン偏極電子の制御”、喜多隆 (日本学術振興会科学研究費補助金・奨励研究(A)、平成11-12年度研究実績報告書、2001年3月)

[020] “CdTe/CdMgTe分数層超格子からのエキシトン発光”、永原靖治、喜多隆、H. Mariette(神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 5、pp.139-142、2000)

[019] “GaInP/GaAsヘテロ界面の電子状態への自然超格子の影響”、山下兼一、喜多隆、王勇、邑瀬和生、C. Geng、F. Scholz、H. Schweizer (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 5、pp.135-138、2000)

[018] “フォトリフラクティブ多重量子井戸デバイスの広帯域化”、中川清、峯本工、喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 5、pp.44-48、2000)

[017] “自然超格子GaInPとGaAs界面におけるアンチストークス発光の時間分解測光”、 喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 5、pp.31-36、2000)

[016] “ワイドギャップ半導体用の変調分光評価法の開発”、西野種夫、喜多隆、渡辺元之 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(B)(2)、平成10-11年度研究成果報告書、2000年3月)

[015] “半導体自然超格子超薄膜を利用した新量子構造材料創製”、西野種夫、中山弘、喜多隆 (日本学術振興会科学研究費補助金・基盤研究(A)(2)、平成9-11年度研究成果報告書、2000年3月)

[014] “エピタキシャル混晶半導体における相分離とオーダリング:その起源と物性”、中山弘、山下兼一、喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 4、pp.81-91、1999)

[013] “AlGaInP自然超格子における新しい低次元構造と励起キャリアダイナミックス”、 喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 4、pp.31-36、1999)

[012] “半導体自然超格子ヘテロ界面における光の波長変換”、喜多隆 (文部省科学研究費補助金・奨励研究(A)、平成9-10年度研究実績報告書、1999年3月)

[011] “半導体ヘテロ界面での波長変換発光の時間分解測定における光励起キャリアの緩和過程”、 喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 3、pp.104-107、1998)

[010] “半導体ヘテロ界面を利用した高効率の光のエネルギー変換”、 喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 3、pp.27-32、1998)

[009] “偏光励起電場変調スペクトロスコピーの開発”、西野種夫、喜多隆、坂口春典 (文部省科学研究費補助金・基盤研究(A)(2)、平成8-9年度研究成果報告書、1998年3月)

[008] “若手研究者海外派遣報告”、 喜多隆 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 2、pp.121-123、1997)

[007] “自然超格子構造を形成した半導体ヘテロ界面における光の波長変換”、山下兼一、喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 2、pp.112-115、1997)

[006] “半導体ヘテロ構造における光のアップコンバージョンの励起ダイナミックス”、 喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 2、pp.26-32、1997)

[005] “原子オーダリングによるブリュアン端バンド構造制御機構”、 喜多隆 (文部省科学研究費補助金・奨励研究(A)、平成8年度研究実績報告書、1997年3月)

[004] “混晶半導体自然超格子における新しい光学過程の観測”、喜多隆、西野種夫 (神戸大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報、Vol. 1、pp.31-35、1996)

[003] “電子線変調反射分光法”, 喜多隆、西野種夫(電気学会技術報告・第583号、電子材料評価技術の現状と展望、pp.43-49、1996)

[002] “変調光反射測定による原子層エピタキシー表面局在電子状態のその場観察法の開発”、西野種夫、喜多隆 (文部省科学研究費補助金・試験研究(B)(2)、平成5年度-平成6年度研究成果報告書、1995年3月)

[001] “混晶半導体原子層オーダリングによる電子状態の局在化”、喜多隆 (文部省科学研究費補助金・奨励研究(A)、平成4年度研究成果報告書、1993年3月)

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