試料作製装置,測定器

イオン注入器

ion implanter
装置全体

Duoplasmatron
イオン源
イオン源デュオプラズマトロンイオン源
加速電圧3万ボルト
エネルギー30keV,定常ビーム


chember
分析チェンバー
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薄膜製造装置

thin film preparator
薄膜製造装置
蒸発方式抵抗加熱
スパッタリング

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水素吸蔵装置

gas loading metal preparator
電気炉を用いて水素吸蔵合金を作成できます.
四重極質量分析器(写真右)を取り付ければ昇温脱離実験ができます.

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平面結像型軟X線分光器

soft X-ray spectrometer
回折格子計測範囲
1200grooves/mm
2400grooves/mm
10nm-70nm
5nm-50nm

測定系Q-Plate
MCP

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