第２０回研究会

日時： 2019年10月23日(水) 13:00〜16:45
場所： 産業技術総合研究所　臨海副都心センター＜別館＞　会議室１（11F 11205〜6)
〒135-0064　　東京都江東区青海2-3-26
***アクセス***
参加費：　会員−無料， 非会員−\20,000

プログラム： 
13:00 - 14:00　ウエハ付き状態の圧電薄膜のBAWフィルタ向け評価法および
               ScAlN薄膜成長のノウハウ
					 　　 柳谷隆彦（早稲田大学）

14:00 - 15:00  T-ZrO2バッファ層を用いたSi基板上エピタキシャル
               圧電薄膜成長技術
					　　　木島　健（KRYSTAL）

15:00 - 15:15　休憩

15:15 - 16:15　次世代誘電体デバイスに向けたナノクリスタルの
               ボトムアップ技術の開発
　　　　　　　　　                            三村憲一（産総研）
 
16:15 - 16:45　Transducers2019 / F2cp2 2019 学会報告
                      神野伊策（神戸大学）／吉村　武（大阪府立大学）

17:00 - 18:30 　交流会 　
				交流会費：　\1,500



参加ご希望の方は10月14日(月)までに下記事務局までご連絡下さい．
・懇親会の参加についても合わせてご連絡下さい．
2019年度法人会員登録は随時受け付けております．

神戸大学大学院工学研究科機械工学専攻　神野研究室内
「圧電MEMS研究会」事務局　竹中京子
e-mail : takenaka"@"port.kobe-u.ac.jp   (""は削除して下さい)