超高速フォトニクス/小島磨

62. Resonant exciton excitation photoluminescence and dynamics in a GaAs/AlAs multiple quantum well with internal electric field   アブストラクト(訳)
  室温での振動子強度が大きい励起子の安定性は、デバイス応用において非常に重要である。
  本研究では、量子井戸に閉じ込められた励起子の超高速な解離が光学特性に与える影響について報告する。
  発光スペクトルは、励起エネルギーよりも高いエネルギーの成分と強度の非線形な増加を示した。
  さらに、スペクトル分解されたポンプ-プローブ信号は、励起子位置の変化を示した。
  これらの結果は、テラヘルツ波放射を含む、特に発光タイプの光デバイスにおける励起子の安定性の重要性を示している。
  Reproduced from Journal of AIP Advances 10, 095016-1-7 (2020), with the permission of AIP Publishing.

O. Kojima, T. Kita, M. J. Steer, and R. A. Hogg
AIP Advances 10, 095016-1-7 (2020). download from Kobe University Repository

61. Electron transport in a silicon crystal observed by energy transfer luminescence   アブストラクト(訳)
  半導体結晶中の電子拡散の観察は、デバイスの性能を向上させるために非常に重要である。
  本研究では、半導体基板上に作製したシアニン薄膜からの発光を観測することで電子の拡散過程について研究を行った。
  基板の裏面をレーザー光で励起すると、レーザースポットの20倍に広がった強度プロファイルを観測した。
  空間的な広がりを解析した結果は、拡大が電子拡散に由来することを示唆している。
  この方法は、電子の輸送の解析に使用でき、エネルギー移動に基づく発光デバイスの開発に貢献する。
  Reproduced from Japanese Journal of Applied Physics 59, 082005 (2020), with the permission of IOP Publishing.

O. Kojima, Y. Ito, T. Kita, Y. Shim
Japanese Journal of Applied Physics 59, 082005-1-4 (2020).

60. Exciton dynamics as a function of excitation intensity and double-pulse excitation in cyanine molecule thin films: Toward low-power optical switches   アブストラクト(訳)
  励起子の減衰ダイナミクスは、励起条件、特に励起光強度を変えることで光学的に制御できる。
  この研究では、シアニン薄膜における励起子ダイナミクスの励起光強度と励起パルス列に対する依存性を報告する。
  薄膜中の励起子は2つの減衰成分を示し、高速減衰成分の全励起子数に対する比は励起光強度に依存する。
  一方、第二光パルスによる連続励起では、この比は変わらない。
  全励起光強度は同であるが、第二パルスによるダイナミクスの変化は、単純な励起光強度の増加とは異なる。
  したがって、第二パルスによる連続励起は、低電力光スイッチを実現するための重要なポイントとなり得る。
  Reproduced from Journal of Applied Physics 126, 033103-1-6 (2019), with the permission of AIP Publishing.

O. Kojima, J. Nagauchi, T. Kita
Journal of Applied Physics 126, 033103-1-6 (2019). download from Kobe University Repository

59. Effect of modulation of ultrafast transient carrier dynamics by interface on terahertz signal   アブストラクト(訳)
  ナノ構造半導体におけるドリフトおよび拡散電流と関連するキャリアダイナミクスは、
  活性層へのキャリア注入効率など、デバイスのパフォーマンスに強く影響する。
  本研究では、界面を含むGaAs結晶から放射されるTHz信号に対する光電流方向の影響について報告する。
  信号の極性反転は、拡散からドリフトへの光電流の方向の変化によって引き起こされる。
  これらの結果は、THz波の測定が光電流の方向を考えるうえで役立つことを示唆している。
  Reproduced from Journal of Physics: Conference Series 1220, 012013-1-4 (2019),
  with the permission of IOP Publishing.

S. Yamamoto, O. Kojima, T. Kita
Journal of Physics: Conference Series 1220, 012013-1-4 (2019). download from Kobe University Repository

58. Effects of a thin nitrogen-doped layer on terahertz dynamics in GaAs containing InAs quantum dots   アブストラクト(訳)
  超短パルスによって励起された電子の拡散による過渡テラヘルツ信号は、表面近傍のポテンシャル構造に伴って変化する。
  歪み場を引き起こすInAs量子ドットの形成と窒素原子が、量子ドット近傍のポテンシャル構造をさらに変化させる。
  様々なポンプ光エネルギーで観測されたテラヘルツ信号は、興味深い位相の変化を示した。
  さらに、テラヘルツダイナミクスの変化は、量子ドット近傍の希薄窒素層の形成に起因した。
  また、この変化は窒素ドープ層の位置に依存する。
  本研究の結果は、量子ドットの光学特性を制御するための重要な情報を提供する。
  Reproduced from OSA Continuum 2, pp. 1621-1628 (2019), with the permission of OSA Publishing.

O. Kojima, R. Izumi, T. Kita
OSA Continuum 2, pp. 1621-1628 (2019). download from Kobe University Repository

57. Broadband THz absorption spectrometer based on excitonic nonlinear optical effects
A. Majeed, P. Ivanov, B. Stevens, E. Clarke, I. Butler, D. Childs, O. Kojima, R. Hogg
Light: Science & Applications 8, 29-1-5 (2019). download from Kobe University Repository

56. Wide frequency tuning of continuous terahertz wave generated by difference frequency mixing under exciton-excitation conditions in a GaAs/AlAs multiple quantum well   アブストラクト(訳)
  狭いバンド幅と幅広い周波数可変性を備えた連続テラヘルツ波源は、高分解能テラヘルツ分光や高速情報通信を可能にする。
  本研究では、2次の非線形分極の源として励起子の光学非線形性を用い、フォノン散乱による強度の低下なしに、
  0.1から18 THzの広い周波数可変性を示す連続テラヘルツ電磁波を実現する。
  2つの連続波レーザーを使用してGaAs/AlAs多重量子井戸における2つの励起子状態の励起により、
  差周波数混合によりテラヘルツ波が放射される。
  ここで、その強度は励起光強度に対して二乗依存性を示す。
  励起子線の不均一広がり幅を利用して、フォノン効果のない幅広い周波数可変性を実現する。
  Reproduced from Physical Review Applied 10, 044035-1-6 (2018), with the permission of American Physical Society.

O. Kojima, Y. Tarui, H. Shimazu, T. Kita, A. Majeed, P. Ivanov, E. Clarke, R. Hogg
Physical Review Applied 10, 044035-1-6 (2018). download from Kobe University Repository

55. Effect of lattice-mismatch strain on electron dynamics in InAs/GaAs quantum dots as seen by time-domain terahertz spectroscopy
O. Kojima, R. Izumi, T. Kita
Journal of Physics D: Applied Physics 51, 305102-1-6 (2018). download from Kobe University Repository

54. Excitation of thin cyanine films via energy transfer from Si substrate   アブストラクト(訳)
  無機基板からシアニン分子薄膜へのエネルギー移動は、有機発光デバイスの励起方法として研究されている。
  シアニン分子薄膜はlayer-by-layer法によりSi基板上に作製され、
  その発光を観察するために基板の裏面が励起された。
  その発光強度は、励起光強度と励起光エネルギーに依存する。
  さらに、発光強度の励起光エネルギー依存性は、Siの吸収スペクトルに類似したプロファイルを明確に示す。
  これらの結果は、発光が基板を透過した光によるシアニンの直接的な光学的励起によるものではなく、
  基板内の光励起キャリアからのエネルギー移動によるものであることを示している。
  本研究の結果は、このようなエネルギー移動を使用することで、
  電極と発光材料間のエネルギーマッチングなしに無機基板上の有機分子を励起できることを示している。
  Reproduced from Journal of the Physical Society of Japan 86, 094710-1-4 (2017), with the permission of Physical Society of Japan.

Y. Ito, O. Kojima, T. Kita, Y. Shim
Journal of the Physical Society of Japan 86, 094710-1-4 (2017). download from Kobe University Repository

53. Effects of non-exciton components excited by broadband pulses on quantum beats in a GaAs/AlAs multiple quantum well
O. Kojima, Y. Iwasaki, T. Kita, K. Akahane
Scientific Reports 7, 41496-1-7 (2017). download from Kobe University Repository

52. Increase in exciton decay rate due to plane-to-plane interaction between cyanine thin films   アブストラクト(訳)
  シアニン薄膜間の表面電荷に基づく長距離相互作用に起因する励起子緩和速度の増加について報告する。
  シアニン分子層間の空間的距離に対する緩和速度の依存性は、緩和速度がほぼ一定であることを示しており、
  これはよく知られているエネルギー移動過程とは異なる。
  緩和速度が膜厚のゆらぎによる影響をほとんど受けないということは、
  シアニンや他の有機分子を使用における利点である。
  Reproduced from Journal of AIP Advances 6, 075209-1-7 (2016), with the permission of AIP Publishing.

J. Nagauchi, O. Kojima, T. Kita, Y. Shim
AIP Advances 6, 075209-1-7 (2016). download from Kobe University Repository

51. Effects of exciton line widths on the amplitude of quantum beat oscillations   アブストラクト(訳)
  本研究では、Voigt関数を使用したモデルによって、量子ビート振動の振幅に対する励起子線幅の効果について報告する。
  Voigt関数を使用すると、2つの励起子間の中心エネルギーに最大振幅が現れる。
  この結果は、これまでに報告されている多くの実験結果と一致する。
  この解析は、強い量子ビート振動の条件の決定を助けるものであり、
  テラヘルツ電磁波発生や超高速光スイッチなどのデバイスアプリケーションにとって重要である。
  Reproduced from Journal of Applied Physics Express 9, 062801-1-3 (2016), with the permission of IOP Publishing.

O. Kojima, T. Kita
Applied Physics Express 9, 062801-1-3 (2016). download from Kobe University Repository

50. Fabrication of cyanine dye thin films grown by a layer-by-layer method
J. Nagauchi, O. Kojima, T. Kita, Y. Shim
Material Research Express 2, 076402-1-7 (2015). download from Kobe University Repository

49. Rapid dephasing related to intersubband transitions induced by exciton quantum beats observed by a pump-probe technique in a GaAs/AlAs multiple quantum well   アブストラクト(訳)
  ポンプ-プローブ法で測定されたGaAs/AlAs多重量子井戸における重い正孔と軽い正孔の励起子間の
  サブバンド間遷移に関連する量子ビート振動の位相緩和について説明する。
  位相緩和の温度とポンプ光エネルギーへの依存性を明らかにする。
  時間領域信号の解析から、強い量子ビートがサブバンド間遷移に関連する急速な位相緩和を誘発することが明らかになった;
  その位相緩和速度の依存性は、振幅の依存性と対応する。
  これは、量子ビートが超高速光応答を利用する応用使えることを意味する。
  Reproduced from Physical Review B 91, 125307-1-4 (2015), with the permission of American Physical Society.

O. Kojima, K. Kojima, T. Kita, K. Akahane
Physical Review B 91, 125307-1-4 (2015). download from Kobe University Repository

48. Effect of exciton oscillator strength on upconversion photoluminescence in GaAs/AlAs multiple quantum wells   アブストラクト(訳)
  GaAs/AlAs多重量子井戸におけるアップコンバージョン発光(UCPL)について報告する。
  AlAs障壁からのUCPLは、GaAs量子井戸における励起子の共鳴励起によって引き起こされる。
  量子井戸が十分なミニバンド幅を有する場合、励起子振動子強度が小さいため、UCPLはほとんど観測されない。
  UCPL強度の励起光エネルギー依存性と励起密度依存性はそれぞれ、励起子共鳴プロファイルと線形な増加を示す。
  これらの結果は、観測されたUCPLが飽和した2段励起過程によって引き起こされており、
  その発生には多数の励起子が必要であることを示している。
  Reproduced from Applied Physics Letters 105, 181901-1-3 (2014), with the permission of AIP Publishing.

O. Kojima, S. Okumura, T. Kita, K. Akahane
Applied Physics Letters 105, 181901-1-3 (2014). download from Kobe University Repository

47. Control of optical properties in cyanine dye thin film fabricated by a layer-by-layer method   アブストラクト(訳)
  layer-by-layer (LBL)法によるシアニン色素分子薄膜の作製を報告する。
  LBL薄膜の発光特性は、ドナーとアクセプターの色素分子層の間隔によって制御できる。
  分子の長さに匹敵する約2 nmでエネルギー移動速度の距離依存性が変化する一方、
  発光減衰時間から求めたエネルギー移動速度は最大値で約15 ns^－1を示す。
  したがって、LBL法で作製した薄膜は、より高い繰り返しでの超高速光スイッチに利用可能である。
  Reproduced from Journal of Applied Physics 115, 083503-1-4 (2014), with the permission of AIP Publishing.

O. Kojima, R. Fujii, T. Kita, Y. Shim
Journal of Applied Physics 115, 083503-1-4 (2014). download from Kobe University Repository

46. Pulse modulation towards low-power operation based on the quantum beat of excitons in a GaAs/AlAs multiple quantum well
O. Kojima, K. Hayashii, T. Kita, K. Akahane
Journal of Physics D: Applied Physics 47, 105101-1-5 (2014). download from Kobe University Repository

45. Effects of pumping on propagation velocities of confined exciton polaritons in GaAs/Al_xGa_1-xAs double heterostructure thin films under resonant and non-resonant probe conditions   アブストラクト(訳)
  GaAs(110 nm)/Al_0.3Ga_0.7Asダブルヘテロ構造薄膜で反射されたプローブパルスと
  ゲートパルスとによって生成される第2高調波光の強度である相互相関信号の測定により、
  ダブルヘテロ構造中の励起子ポラリトンの伝搬について報告する。
  プローブ光のエネルギーを最低励起子エネルギーに一致させると、非線形分散の出現により信号波形が変化する。
  その一方、プローブ光のエネルギーを2つの励起子状態の中心とする非共鳴プローブ条件下では、
  信号波形は複雑な変化を示す。これらの結果は、光励起による励起子ポラリトンの伝播速度の変化に起因する。
  Reproduced from Journal of Applied Physics 113, 013514-1-6 (2013), with the permission of AIP Publishing.

O. Kojima, S. Ohta, T. Kita, T. Isu
Journal of Applied Physics 113, 013514-1-6 (2013). download from Kobe University Repository

44. Enhancement of optical anisotropy by interconnection effect along growth direction in multistacked quantum dots   アブストラクト(訳)
  スペーサー層厚さの減少にともなう、積層InAs量子ドット(QDs)の面内の光学異方性の増強について報告する。
  発光強度の面内偏光異方性は、格子不整合歪みによって引き起こされる楕円のQD形状に基本的には起因する。
  偏光度は、スペーサ層の厚さを薄くすると約40％に増加する。
  スペーサ層の厚さが減少すると、電子の包絡波動関数が成長方向に沿って長くなり、
  電子の結合を引き起こす。この結合により、面内異方性が増強される。
  これらの結果は、結合効果による垂直方向の相互作用が、QDの光学異方性の重要な要因であることを示している。
  Reproduced from Japanese Journal of Applied Physics 52, 012001-1-4 (2013), with the permission of IOP Publishing.

H. Tanaka, O. Kojima, T. Kita, K. Akahane
Japanese Journal of Applied Physics 52, 012001-1-4 (2013). download from Kobe University Repository

43. Quantum beats of type-I and type-II excitons in an In_xGa_1−xAs/GaAs strained single quantum well   アブストラクト(訳)
  反射型ポンププローブ法を用いて、In_0.15Ga_0.85As/GaAs歪み単一量子井戸(SQW)における
  タイプIの重い正孔(HH)励起子とタイプIIの軽い正孔(LH)励起子との量子ビートに関する研究を行った。
  タイプIIのLH励起子は、In_0.15Ga_0.85As層の電子とGaAs層のLHとで構成される。
  タイプIおよびタイプIIの励起子のエネルギーは、光変調反射分光法で求めた。
  励起子状態は変分法に基づいて計算された。
  時間領域信号は、HH-LH励起子の分裂エネルギーに対応する周期を持つ振動構造を明確に示した。
  フーリエ変換スペクトルと強度のポンプエネルギー依存性から、
  その振動構造はタイプIのHH励起子とタイプIIのLH励起子の量子ビートに由来すると結論付けた。
  Reproduced from Journal of Applied Physics 112, 043522-1-4 (2012), with the permission of AIP Publishing.

O. Kojima, K. Mizoguchi, M. Nakayama
Journal of Applied Physics 112, 043522-1-4 (2012). download from Kobe University Repository

42. Observation of quantum beat oscillations and ultrafast relaxation of excitons confined in GaAs thin films by controlling probe laser pulses   アブストラクト(訳)
  反射型ポンププローブ法により、GaAs薄膜に閉じ込められた励起子重心運動の量子ビートと
  緩和ダイナミクスに関する研究である。
  励起子エネルギー間隔と同等に狭められたエネルギー幅のプローブパルスを使用することにより、
  閉じ込め励起子間の量子ビートに起因する振動構造と、寿命より短い超高速応答が出現する。
  この量子ビートの出現は、いわゆる検出過程によるものではない。
  我々の結果は、サンプル内でのプローブパルスの破壊的干渉の減少が、
  励起子量子ビートの観察で重要であることを示している。
  Reproduced from Journal of Applied Physics 111, 023505-1-4 (2012), with the permission of AIP Publishing.

S. Ohta, O. Kojima, T. Kita, T. Isu
Journal of Applied Physics 111, 023505-1-4 (2012). download from Kobe University Repository

41. Dynamics of above-barrier state excitons in multi-stacked quantum dots   アブストラクト(訳)
  多層積層量子ドット(QD)における障壁以上の励起子状態から最低状態までの緩和ダイナミクスについて報告する。
  発光減衰時間が、高次の励起子状態の励起により増加する。
  これは、障壁上の励起子のより広いミニバンド幅と障壁層での包絡波動関数の局在化に起因する。
  障壁上のミニバンドの存在により、成長方向のキャリア輸送が可能になり、QDの近接積層に伴う困難を低減できる。
  これらの結果は、高効率なQDデバイスを達成するための効果的なアプローチを示す。
  Reproduced from Journal of Applied Physics 110, 093515-1-4 (2011), with the permission of AIP Publishing.

O. Kojima, N. Tobita, T. Kita, K. Akahane
Journal of Applied Physics 110, 093515-1-4 (2011). download from Kobe University Repository

40. Extremely uniform bound exciton states in nitrogen d-doped GaAs studied by photoluminescence spectroscopy in external magnetic fields
Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, T. Kita
Journal of Applied Physics 110, 083522-1-5 (2011). download from Kobe University Repository

39. Saturation of Förster resonance energy transfer between two optically nonlinear cyanine dyes of small Stokes shift energies in polymer thin films   アブストラクト(訳)
  エネルギードナーとアクセプターのストークスシフトエネルギーが小さい場合のポリマー薄膜中の
  2つの光学非線形シアニン色素間のフェルスター共鳴エネルギー移動(FRET)の飽和について報告する。
  本研究における色素の組み合わせは、エネルギードナーとアクセプター色素間の距離の2乗に反比例する
  エネルギー移動レートを示す。
  この結果は、通常のFRETによる結果とは大きく異なる。
  励起されたアクセプター色素数に基づく推測から、FRETプロセスに加えてアクセプター色素の光励起により、
  エネルギードナーとアクセプターの間の距離が約10 nmと長距離でもFRETが飽和する。
  Reproduced from Journal of Applied Physics 110, 083521-1-5 (2011), with the permission of AIP Publishing.

O. Kojima, S. Hamano, T. Kita, O. Wada
Journal of Applied Physics 110, 083521-1-5 (2011). download from Kobe University Repository

38. Depolarization effect on optical control of exciton states confined in GaAs thin films
T. Yamashita, O. Kojima, T. Kita, T. Isu
Journal of Applied Physics 110, 043514-1-5 (2011). download from Kobe University Repository

37. Observation of phase shifts in a vertical cavity quantum dot switch
C. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson
Applied Physics Letters 98, 231101-1-3 (2011).

36. Dephasing of excitonic polaritons confined in GaAs thin films
O. Kojima, S. Watanabe, T. Kita, O. Wada, T. Isu
Journal of Physical Society of Japan 80, 034704-1-5 (2011).

35. Propagation velocity of excitonic polaritons confined in GaAs thin films
O. Kojima, S. Watanabe, T. Kita, O. Wada, T. Isu
Physica Status Solidi C 8, pp. 378-380 (2011).

34. Interaction between conduction-band edge and nitrogen-related localized levels in nitrogen d-doped GaAs
Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, O. Wada
Physica Status Solidi C 8, pp. 365-367 (2011).

33. Bound biexciton luminescence in nitrogen d-doped GaAs
Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, O. Wada
Physica Status Solidi B 248, pp. 464-467 (2011).

32. Excitation power dependence of nonlinear optical response of excitons in GaAs/AlAs superlattices
T. Yamashita, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, K. Akahane
Physica Status Solidi C 8, pp. 50-53 (2011).

31. Intraband relaxation process in highly stacked quantum dots
O. Kojima, M. Mamizuka, T. Kita, O. Wada, K. Akahane
Physica Status Solidi C 8, pp. 46-49 (2011).

30. Detailed design and characterization of all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a vertical cavity
C. Jin, O. Kojima, T. Inoue, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, K. Akahane
IEEE Journal of Quantum Electronics 46, pp. 1582-1589 (2010).

29. Temperature-dependent carrier tunneling for self-assembled InAs/GaAs quantum dots with a GaAsN quantum well injector
C. Jin, S. Ohta, M. Hopkinson, O. Kojima, T. Kita, O. Wada
Applied Physics Letters 96, 151104-1-3 (2010).

28. Temperature dependence of photoluminescence characteristics of excitons in stacked quantum dots and quantum dot chains
O. Kojima, H. Nakatani, T. Kita, O. Wada, K. Akahane
Journal of Applied Physics 107, 073506-1-4 (2010).

27. Vertical-geometry all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a cavity
C. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, K. Akahane
Applied Physics Letters 95, pp. 021109 (2009).

26. Optical Kerr response to multi pump pulses on GaAs weakly confined exciton
A. Kanno, R. Katouf, O. Kojima, J. Ishi-Hayase, M. Tsuchiya, T. Isu
physica status solidi (c) 6, pp.1509-1512 (2009).

25. Exciton response controlled by introducing a spacer layer in nitrided InAs quantum dots
M. Mamizuka, O. Kojima, T. Inoue, T. Kita, O. Wada
physica status solidi (c) 6, pp. S146-S149 (2009).

24. Transient reflectivity response with negative time delay caused by femtosecond pulse propagation in GaAs thin films
S. Watanabe, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, T. Isu
physica status solidi (c) 6, pp. S139-S142 (2009).

23. Effects of indium segregation on optical properties of nitrogen-doped InAs/GaAs quantum dots
T. Inoue, M. Mamizuka, H. Mizuno, O. Kojima, T. Kita, O. Wada
Journal of Applied Physics 104, 103532 (2008).

22. Ultrafast All-Optical Control of Excitons Confined in GaAs Thin Films
O. Kojima, A. Miyagawa, T. Kita, O. Wada, T. Isu
Applied Physics Express 1, 112401 (2008).

21. Photoluminescence characteristics of quantum dots with electronic states interconnected along growth direction
O. Kojima, H. Nakatani, T. Kita, O. Wada, K. Akahane, M. Tsuchiya
Journal of Applied Physics 103, 113504 (2008).

20. Spectral width dependence of residual carrier effect on nonlinear optical response of weakly confined excitons
O. Kojima, T. Isu, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, R. Katouf, M. Sasaki, M. Tsuchiya
physica status solidi (c) 5, pp. 2858-2860 (2008).

19. Ultrafast response induced by interference effects between weakly confined exciton states
O. Kojima, T. Isu, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, R. Katouf, M.Sasaki, M. Tsuchiya
Journal of the Physical Society of Japan 77, 044701 (2008).

18. Photoluminescence dynamics of weakly confined excitons in GaAs thin films
A. Kanno, R. Katouf, O. Kojima, J. Ishi-Hayase, M.Sasaki, M. Tsuchiya, T. Isu
Journal of Luminescence 128, pp. 1069-1071 (2008).

17. Photoluminescence dynamics of coupled quantum dots
H. Nakatani, T. Kita, O. Kojima, O. Wada, K. Akahane, M. Tsuchiya
Journal of Luminescence 128, pp. 975-977 (2008).

16. Effects of excitation spectral width on decay profile of weakly confined excitons
O. Kojima, T. Isu, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, R. Katouf, M.Sasaki, M. Tsuchiya
Journal of Luminescence 128, pp. 966-968 (2008).

15. Decay of orientational grating of weakly confined excitons in GaAs thin films
O. Kojima, T. Isu, J. Ishi-Hayase, A. Kanno, R. Katouf, M.Sasaki, M. Tsuchiya
Journal of Luminescence 128, pp. 963-965 (2008).

14. Ultrafast optical Kerr effect of excitons weakly confined in GaAs thin films
A. Kanno, R. Katouf, O. Kojima, J. Ishi-Hayase, M. Tsuchiya, T. Isu
physica status solidi (c) 5, pp. 360-363 (2008)

13. Enhancement of nonlinear optical response of weakly confined excitons in GaAs thin films by spectrally rectangle-shape-pulse-excitation
O. Kojima, T. Isu, J. Ishi-Hayase, M.Sasaki, M. Tsuchiya
Journal of Physics: Conference Series 61, pp. 618-622 (2007).

12. Ultrafast nonlinear optical response of weakly confined excitons in GaAs thin films
O. Kojima, T. Isu, J. Ishi-Hayase, M.Sasaki, M. Tsuchiya
physica status solidi (c) 4, pp. 1731-1734 (2007).

11. Terahertz radiation from coherent confined optical phonons in GaAs/AlAs multiple quantum wells
M. Nakayama, K. Mizoguchi, O. Kojima, T. Furuichi, A. Mizumoto, S. Saito, A. Syouji, K. Sakai
physica status solidi (a) 204, pp. 518-521 (2007).

10. 半導体多重量子井戸構造における励起子量子ビートと光学フォノンとの相互作用
中山正昭, 溝口幸司, 小島磨
固体物理 41, pp. 257-267 (2006).

9. Spectrally resolved nonlinear optical response of weakly confined excitons under femtosecond laser pulse excitation in GaAs thin films
O. Kojima, T. Isu, J. Ishi-Hayase, M. Tsuchiya
physica status solidi (c) 3, pp. 675-678 (2006).

8. Intense terahertz radiation from longitudinal optical phonons in GaAs/AlAs multiple quantum wells
K. Mizoguchi, T. Furuichi, O. Kojima, M. Nakayama, S. Saito, A. Syouji, K. Sakai
Applied Physics Letters 87, pp. 093102 (2005).

7. Characteristics of coupled mode of excitonic quantum beat and coherent longitudinal optical phonon in GaAs/AlAs multiple quantum wells
T. Furuichi, K. Mizoguchi, O. Kojima, K. Akahane, N. Yamamoto, N. Ohtani, M. Nakayama
Journal of Luminescence 112, pp. 142-145 (2005).

6. Intense coherent longitudinal optical phonons in CuI thin films under exciton-excitation conditions
O. Kojima, K. Mizoguchi, M. Nakayama
Journal of Luminescence 112, pp. 80-83 (2005).

5. Enhancement of coherent longitudinal optical phonon oscillations in a　GaAs/AlAs multiple quantum well due to intersubband energy tuning under an electric field
O. Kojima, K. Mizoguchi, M. Nakayama
Physical Review B 70, 233306 (2004).

4. Coupled mode of the coherent optical phonon and excitonic quantum beat in GaAs/AlAs multiple quantum wells
K. Mizoguchi, O. Kojima, T. Furuichi, M. Nakayama, K. Akahane, N. Yamamoto, N. Ohtani
Physical Review B 69, 233302 (2004).

3. Enhancement of coherent LO phonons by quantum beats of excitons in GaAs/AlAs multiple quantum wells
O. Kojima, K. Mizoguchi, M. Nakayama
Journal of Luminescence 108, pp. 195-199 (2004).

2. Coupling of coherent longitudinal optical phonons to excitonic quantum beats in GaAs/AlAs multiple quantum wells
O. Kojima, K. Mizoguchi, M. Nakayama
Physical Review B 68, 155325 (2003).

1. Thermal-strain-induced splitting of heavy- and light-hole exciton energies in CuI thin films grown by vacuum evaporation
D. Kim, M. Nakayama, O. Kojima, I. Tanaka, H. Ichida, T. Nakanishi, H. Nishimura
Physical Review B 60, pp. 13879-13884 (1999).